氯硅烷残液的过滤系统和方法技术方案

本发明专利技术公开了氯硅烷残液的过滤系统和方法，系统包括：搅拌器、氮气储罐、过滤器和氯硅烷残液储罐，搅拌器设硅藻土入口、四氯化硅入口和混合物出口；氮气储罐通过第一管道与搅拌器相连，第一管道上设第一阀门；过滤器内自上而下限定出净液腔、过滤腔和进料腔，过滤腔内设有沿其轴向布置的滤芯，滤芯下端封闭且侧壁包裹滤布，滤芯的上端口与净液腔连通，净液腔和进料腔之间设压差检测装置，净液腔设氯硅烷清液出口，混合物出口通过第二管道与进料腔连通，第二管道上设第二阀门；氯硅烷残液储罐通过第三管道与进料腔相连，第三管道上设第三阀门。采用该系统可以解决现有技术中氯硅烷残液中无定形硅和氯化铝析出物难以过滤及过滤成本高的问题。

Filtration system and method of chlorosilane residue

【技术实现步骤摘要】
氯硅烷残液的过滤系统和方法
本专利技术属于多晶硅领域，具体涉及一种氯硅烷残液的过滤系统和方法。
技术介绍
改良西门子法生产多晶硅过程中产生大量的副产物四氯化硅。目前，90％以上的多晶硅企业均采用四氯化硅冷氢化技术处理副产物，将其转化为生产多晶硅的原料三氯氢硅。四氯化硅冷氢化技术是将冶金级硅粉、氢气、四氯化硅在一定的温度、压力条件下，在催化剂作用下反应，生成三氯氢硅。由于冶金级硅粉中含有金属杂质，因此氢化产品(氯硅烷)里引入了细微的硅粉和金属杂质。在急冷塔或淋洗塔以及后续的氯硅烷粗馏过程中，为防止堵塞设备和脱除金属杂质，这些细微硅粉和金属杂质将随四氯化硅液体由塔底排出，排出的这部分固液混合物即为氢化残液。另外，在还原过程中，除了硅、SiCl4、SiH2Cl2、H2和HCl等生成外，还有Si2Cl6、Si2HCl5、Si2H2Cl4、Cl6OSi2和Si3Cl8等一些列的双硅和多硅原子化合物副产物产生，相对于三氯氢硅和四氯化硅，双硅和多硅原子化合物的沸点较高，即为氯硅烷高沸物。还原尾气经过干法回收和精馏提纯后，SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氯硅烷残液的过滤系统，其特征在于，包括：/n搅拌器，所述搅拌器设有硅藻土入口、四氯化硅入口和混合物出口；/n氮气储罐，所述氮气储罐通过第一管道与所述搅拌器相连，并且所述第一管道上设有第一阀门；/n过滤器，所述过滤器内自上而下限定出净液腔、过滤腔和进料腔，所述过滤腔内设有沿其轴向布置的滤芯，所述滤芯下端封闭且侧壁包裹滤布，所述滤芯的上端口与所述净液腔连通，并且所述净液腔和所述进料腔之间设有压差检测装置，所述净液腔设有氯硅烷清液出口，所述混合物出口通过第二管道与所述进料腔连通，并且所述第二管道上设有第二阀门；/n氯硅烷残液储罐，所述氯硅烷残液储罐通过第三管道与所述进料腔相连，所述第三管道上...

【技术特征摘要】
1.一种氯硅烷残液的过滤系统，其特征在于，包括：
搅拌器，所述搅拌器设有硅藻土入口、四氯化硅入口和混合物出口；
氮气储罐，所述氮气储罐通过第一管道与所述搅拌器相连，并且所述第一管道上设有第一阀门；
过滤器，所述过滤器内自上而下限定出净液腔、过滤腔和进料腔，所述过滤腔内设有沿其轴向布置的滤芯，所述滤芯下端封闭且侧壁包裹滤布，所述滤芯的上端口与所述净液腔连通，并且所述净液腔和所述进料腔之间设有压差检测装置，所述净液腔设有氯硅烷清液出口，所述混合物出口通过第二管道与所述进料腔连通，并且所述第二管道上设有第二阀门；
氯硅烷残液储罐，所述氯硅烷残液储罐通过第三管道与所述进料腔相连，所述第三管道上设有第三阀门。


2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述过滤腔内设有多个所述滤芯，所述多个滤芯沿所述过滤腔的径向间隔分布。


3.根据权利要求1或2所述的系统，其特征在于，所述氮气储罐通过第四管道与所述净液腔连通，并且所述第四管道上设有第四阀门。


4.根据权利要求3所述的系统，其特征在于，进一步包括：水解单元，所述水解单元通过第五管道与所述进料腔相连，并且所述第五管道上设有第五阀门。


5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，进一步包括：控制单元，所述控制单元与所述压差检测装置以及所述第一阀门、所述第二阀门和所述第三阀门、所述第四阀门和所述第五阀门相连。

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【专利技术属性】
技术研发人员：曾晓国，万烨，严大洲，张伟，赵新买，赵喜哲，王艳坤，
申请(专利权)人：中国恩菲工程技术有限公司，洛阳中硅高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11