【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于硅烷类产品制造
，尤指一种全面制程全回收副产品再使用之 硅烷类产品制造方法。
技术介绍
在微电子产品制造过程，娃用W隔离电子精密组件中各导电层。由于组件，例如巧 片，一再追求精密度，规格设计越来越细，从微米级进步到纳米级，所W娃隔离层已经无法 用机械方法切割形成，而必须用气相层积法形成，所W硅烷类的使用形成必须之材料。 传统的娃甲烧制备方法至少有两种。一种是娃儀法，或称小松法，W娃粉及儀粉为 初始材料，先合成娃化儀，Si+2Mg-----^MgsSi。再W娃化儀与氯化氨依用量比例反应，在 液氨的环境下，生成娃甲烧气相及六氨氯化儀固相残渣，反应式为：【主权项】1. ，包含以下步骤： A、 以娃粉和儀粉在催化剂存在下生成娃化儀； Si+2Mg--------Mg2Si 催化剂 B、 以硅化镁与氯化氨反应，在液氨及催化剂存在下生成硅烷类气体及六氨氯化镁，反 应式为： NH3 Mg2Si+NH4Cl------------------SinHm+MgCl2 ?6NH3 催化剂 其中m=2n+2 C、 将六氨氯化镁通过分离反应得到氯化镁和液氨； MgCl2 ?6NH3------------MgCl2+6NH3 D、 将氯化镁经电解而生成镁粉及氯气； MgCl2---------Mg+Cl2 E、 将步骤D的氯气与步骤C的液氨反应生成氯化氨，将得到的氯化氨用于步骤B中使 用， Cl2+H2--------- 2HC1 NH3+HCI--------NH4Cl 〇2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于...
【技术保护点】
一种硅烷类产品的制造方法，包含以下步骤：A、以硅粉和镁粉在催化剂存在下生成硅化镁；Si+2Mg‑‑‑‑‑‑→Mg2Si催化剂B、以硅化镁与氯化氨反应，在液氨及催化剂存在下生成硅烷类气体及六氨氯化镁，反应式为：NH3Mg2Si+NH4Cl‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑→SinHm+MgCl2·6NH3催化剂其中m＝2n+2C、将六氨氯化镁通过分离反应得到氯化镁和液氨；MgCl2·6NH3‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑→MgCl2+6NH3D、将氯化镁经电解而生成镁粉及氯气；MgCl2‑‑‑‑‑‑‑‑→Mg+Cl2E、将步骤D的氯气与步骤C的液氨反应生成氯化氨，将得到的氯化氨用于步骤B中使用，Cl2+H2‑‑‑‑‑‑‑‑→2HClNH3+HCl‑‑‑‑‑‑‑→NH4Cl。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谢嵩嶽，
申请(专利权)人：上海万寅安全环保科技有限公司，华鼎科技集团有限公司，台湾特品化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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