二碘硅烷的制造方法技术

本发明专利技术的目的是安全且高效地进行利用苯基硅烷与碘的反应的二碘硅烷的工业规模的制造。提供一种二碘硅烷的制造方法，其中，在低温下开始苯基硅烷与碘的反应，在滴加、混合工序结束后，至少包含一边使反应溶液少量地连续地升温一边进行移送的工序。

Manufacturing method of diiodiosilane

【技术实现步骤摘要】
二碘硅烷的制造方法
本专利技术涉及碘硅烷、特别是作为电子材料用途的成膜材料使用的碘硅烷的工业制造方法。
技术介绍
包含碘硅烷的卤代硅烷类在半导体制造时，作为通过CVD法(化学气相生长法)、或ALD法(原子层沉积法)来形成氮化硅等含硅膜的情况下的原材料被广泛使用。特别是二碘硅烷从其反应性的高低、蒸气压的观点出发受到关注，近年来需求提高。二碘硅烷的合成方法从很早就已知，报道了通过苯基硅烷与碘的反应以2个阶段来生成。苯基硅烷与碘的反应由于为固液反应所以反应难以开始，此外由于为放热反应，所以能使稳定的反应持续的条件是困难的。特别是反应最后由于碘的固体变小、比表面积变大、成为高活性，所以稳定地控制反应变得非常困难。Keinan等在无溶剂的情况下进行了该反应，但其规模为NMR管内(内径为4mm左右)这样的小规模，以-20℃这样的低温反应进行(参照下述非专利文献1)。Kerrigan等提出了3L规模的制造方法，但反应一边以-65℃的低温浴进行冷却，一边控制为-6℃～+6℃，之后，用15小时小心地恢复至室温(下述专利文献1)。这本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二碘硅烷的制造方法，其特征在于，使苯基硅烷和碘在溶剂的存在下反应。/n

【技术特征摘要】
20181018 JP 2018-1964681.一种二碘硅烷的制造方法，其特征在于，使苯基硅烷和碘在溶剂的存在下反应。


2.一种二碘硅烷的制造方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村直人，山本靖，米森重明，
申请(专利权)人：山中胡特克株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP