晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，即使通过衬底对晶片进行支承而对晶片的背面进行加工，也不会使器件的品质降低。根据本发明专利技术，提供晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：晶片配设工序，在直径为晶片(10)的直径以上的衬底(18)的上表面上配设直径小于晶片的剥离层(16)，并且将直径为晶片的直径以上的聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片材(14)隔着剥离层(16)而铺设在衬底(18)的上表面上，将晶片的正面(10a)定位于片材(14)的上表面而进行配设；片材热压接工序，在密闭环境内对隔着片材而配设于衬底的晶片进行减压并对片材进行加热，并且对晶片进行按压而隔着片材(14)将晶片热压接在衬底上；加工工序，对晶片的背面(10b)实施加工；以及剥离工序，将晶片从片材(14)剥离。

Wafer processing method

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，对晶片的背面进行加工。
技术介绍
由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片在通过磨削装置对背面进行磨削而加工成规定的厚度之后，通过切割装置分割成各个器件芯片，并用于移动电话、个人计算机等电子设备。近年来，为了实现电子设备的小型化、轻量化，存在晶片被薄薄地加工成50μm、30μm的趋势。为了在将这样磨削得较薄的晶片搬送至下一个工序时不发生破损，本案申请人提出了利用衬底(substrate)对晶片进行支承而对晶片的背面进行磨削的技术，其中，该衬底以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、玻璃等作为原材料，具有能够得到刚性的程度的厚度(例如，参照专利文献1)。专利文献1：日本特开2004-296839号公报在通过衬底对晶片进行支承时，采用了在晶片与衬底的接合面涂布液态树脂、蜡等或使用双面胶进行粘贴的方法。但是，存在如下的问题：在通过液态树脂、蜡、双面胶等将晶片利用衬底进行支承的情况下，基于衬底的保持力不能说是充分的，在对晶片的背面进行磨削时，晶片在衬底上移动，从而在磨削中使晶片破损。特别是，在器件的正面上形成有多个被称为凸块的突起电极的情况下，存在磨削时的应力集中于突起电极而发生破损的问题。另外，还存在如下的问题：在磨削结束而将衬底从晶片的正面剥离时，液态树脂、蜡、双面胶的糊料剂等的一部分附着于电极而残留，从晶片一个一个分割而得的器件芯片的品质降低。
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供晶片的加工方法，即使通过衬底对晶片进行支承而对晶片的背面进行加工，也不会使器件的品质降低。为了解决上述主要的技术课题，根据本专利技术，提供晶片的加工方法，对由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片的背面进行加工，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：晶片配设工序，在直径为晶片的直径以上的衬底的上表面上配设直径小于晶片的剥离层，并且将直径为晶片的直径以上的聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片材隔着该剥离层而铺设在衬底的上表面上，将晶片的正面定位于该片材的上表面而进行配设；片材热压接工序，在密闭环境内对隔着该片材而配设于该衬底的晶片进行减压并对该片材进行加热，并且对晶片进行按压而隔着该片材将晶片热压接在该衬底上；加工工序，对晶片的背面实施加工；以及剥离工序，将晶片从该片剥离。该剥离层可以包含纸、布、糯米纸、聚酰亚胺片中的至少任意一种。另外，在该加工工序中，可以实施对晶片的背面进行磨削的磨削加工。优选该聚烯烃系片由聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任意片材构成。优选在该片材热压接工序中，选择了该聚乙烯片的情况下的加热温度为120℃～140℃，选择了该聚丙烯片的情况下的加热温度为160℃～180℃，选择了该聚苯乙烯片的情况下的加热温度为220℃～240℃。优选该聚酯系片由聚对苯二甲酸乙二醇酯片、聚萘二甲酸乙二醇酯片中的任意片材构成。优选在该片材热压接工序中，选择了该聚对苯二甲酸乙二醇酯片的情况下的加热温度为250℃～270℃，选择了该聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下的加热温度为160℃～180℃。优选在该片材热压接工序中，对晶片进行按压以使该片材围绕着晶片而鼓出。本专利技术的晶片的加工方法对由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片的背面进行加工，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：晶片配设工序，在直径为晶片的直径以上的衬底的上表面上配置直径小于晶片的剥离层，并且将直径为晶片的直径以上的聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片材隔着该剥离层而铺设在衬底的上表面上，将晶片的正面定位于该片材的上表面而进行配设；片材热压接工序，在密闭环境内对隔着该片材而配设于该衬底的晶片进行减压并对该片材进行加热，并且对晶片进行按压而隔着该片材将晶片热压接在该衬底上；加工工序，对晶片的背面实施加工；以及剥离工序，将晶片从该片材剥离。由此，晶片以充分的保持力支承于衬底，即使对晶片的背面实施磨削加工，晶片也不会破损。另外，即使在器件的正面上形成有多个突起电极(凸块)的情况下，突起电极也被片材可靠地保持，磨削时的应力被分散而解决了发生破损的问题。另外，由于未使用液态树脂、蜡、双面胶等，而是通过热压接将晶片隔着片材支承于衬底，因此液态树脂、蜡、双面胶的糊料剂等不会附着于器件而残留，从而也不会产生器件的品质降低的问题。另外，将直径小于晶片的剥离层配设在片材与衬底之间，因此能够容易地将片材从衬底剥离。附图说明图1的(a)和(b)是示出晶片配设工序的实施方式的立体图。图2的(a)是实施片材热压接工序的热压接装置的侧视图，图2的(b)是通过片材热压接工序而形成的一体化晶片的剖视图。图3是示出将一体化晶片载置在实施加工工序的磨削装置的卡盘工作台上的方式的立体图。图4是示出使用磨削装置的磨削加工的实施方式的立体图。图5的(a)是示出将一体化晶片载置于剥离用的保持单元的方式的立体图，图5的(b)是示出将衬底从晶片剥离的剥离工序的实施方式的立体图。标号说明10：晶片；11：器件；12：分割预定线；14：片材；16：剥离层；18：衬底；20：加热器工作台；30：热压接装置；32：支承基台；34：吸引孔；36：密闭罩部件；38：按压部件；38b：按压板；50：磨削装置；52：卡盘工作台；60：磨削单元；66：磨削磨轮；68：磨削磨具；70：保持单元。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的晶片的加工方法的实施方式进行详细说明。在图1的(a)中示出由分割预定线12划分而在正面10a上形成有多个器件11的晶片10。在本实施方式中，对晶片10的背面10b进行加工。在执行本实施方式的晶片的加工方法时，首先准备上述的晶片10、片材14、剥离层16以及衬底18。片材14是直径大于等于晶片10的片材，从聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片材进行选择，在本实施方式中，选择聚乙烯(PE)片。剥离层16是直径小于晶片10的圆形状的片材，选择不具有粘接性的薄膜的材料、例如纸。衬底18形成为直径为晶片10的直径以上的圆形状，例如选择玻璃板。另外，剥离层16不限于纸，可以从布、糯米纸、聚酰亚胺片中选择。另外，衬底18不限于玻璃，可以由即使在后述的热压接工序中也不受到热影响而不发生软化的合成树脂、例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。(晶片配设工序)在实施晶片配设工序时，首先将衬底18载置于加热器工作台20的工作台表面22上，该加热器工作台20是实施后述的热压接工序的热压接装置30(参照图2)的保持单元。工作台表面22是平坦面，在加热器工作台20的内部内置有未图示的电加热器和温度传感器。在载置于加热器工作台20的正面22的衬底18上配设剥离层16。在配设剥离层16时，优选使衬底18的中心与剥离层16的中心一致。如上所述，衬底18形成为直径为晶片10的直径以上，剥离层16形成为直径比晶片10小，因此成为衬底18在剥离层16的外侧露出的状态。在衬底18上配设了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，对由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片的背面进行加工，其中，/n该晶片的加工方法至少包含如下的工序：/n晶片配设工序，在直径为晶片的直径以上的衬底的上表面上配设直径小于晶片的剥离层，并且将直径为晶片的直径以上的聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片材隔着该剥离层而铺设在衬底的上表面上，将晶片的正面定位于该片材的上表面而进行配设；/n片材热压接工序，在密闭环境内对隔着该片材而配设于该衬底的晶片进行减压并对该片材进行加热，并且对晶片进行按压而隔着该片材将晶片热压接在该衬底上；/n加工工序，对晶片的背面实施加工；以及/n剥离工序，将晶片从该片材剥离。/n

【技术特征摘要】
20181016 JP 2018-1949211.一种晶片的加工方法，对由分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片的背面进行加工，其中，
该晶片的加工方法至少包含如下的工序：
晶片配设工序，在直径为晶片的直径以上的衬底的上表面上配设直径小于晶片的剥离层，并且将直径为晶片的直径以上的聚烯烃系片或聚酯系片中的任意片材隔着该剥离层而铺设在衬底的上表面上，将晶片的正面定位于该片材的上表面而进行配设；
片材热压接工序，在密闭环境内对隔着该片材而配设于该衬底的晶片进行减压并对该片材进行加热，并且对晶片进行按压而隔着该片材将晶片热压接在该衬底上；
加工工序，对晶片的背面实施加工；以及
剥离工序，将晶片从该片材剥离。


2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该剥离层包含纸、布、糯米纸、聚酰亚胺片中的至少任意一种。


3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
在该加工工序中，实施对晶片的背面...

【专利技术属性】
技术研发人员：木内逸人，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP