边缘多余膜层刻蚀一体化装置及方法制造方法及图纸

本申请公开了一种边缘多余膜层刻蚀一体化装置及方法，涉及半导体设备制造领域。该装置至少包括腔体、静电吸附盘、可升降边缘环、至少2组阻挡片支撑组件；静电吸附盘和可升降边缘环设置在腔体内，可升降边缘环设置在静电吸附盘的外侧；至少2组阻挡片支撑组件设置在可升降边缘环的外侧，至少2组阻挡片支撑组件用于交替承载阻挡片；其中，每组阻挡片支撑组件包括至少3个阻挡片支撑组件，每个阻挡片支撑组件包括阻挡片支撑架、阻挡片支撑架旋转升降装置，阻挡片支撑架与阻挡片支撑架旋转升降装置连接；解决了现有技术中刻蚀晶圆边缘工序多、成本高的问题；达到了一体化刻蚀晶圆的有效图形区域和边缘，提高良率，降低成本的效果。

【技术实现步骤摘要】
边缘多余膜层刻蚀一体化装置及方法
本申请涉及半导体设备制造领域，具体涉及一种边缘多余膜层刻蚀一体化装置及方法。
技术介绍
随着半导体工艺技术的不断发展，业界越来越重视边缘区域的良率。在光刻胶涂覆工艺中，晶圆边缘正反面的光刻胶涂布一般都不均匀，不能得到良好的图形，而且容易发生剥离，从而影响晶圆上边缘区域图形，故而都会利用化学或光学方法将边缘部分的光刻胶去除。此外，在刻蚀过程中会产生刻蚀副产物并沉积在晶圆边缘及斜面，比如电介质膜(氮化硅、二氧化硅等)和金属膜(铜、铝等)，这些膜层可能会在后续处理过程中影响产品的质量，因而也需要将这些膜层去除，目前一般需要另外购置专用设备去除这些膜层。
技术实现思路
本申请提供了一种边缘多余膜层刻蚀一体化装置及方法，可以解决相关技术中需要单独的专用设备刻蚀晶圆的边缘，生成工序多、成本高的问题。第一方面，本申请实施例提供了一种边缘多余膜层刻蚀一体化装置，至少包括腔体、静电吸附盘、可升降边缘环、至少2组阻挡片支撑组件；静电吸附盘和可升降边缘环设置在腔体内，可升降边缘环设置在静电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种边缘多余膜层刻蚀一体化装置，其特征在于，至少包括腔体、静电吸附盘、可升降边缘环、至少2组阻挡片支撑组件；/n所述静电吸附盘和所述可升降边缘环设置在所述腔体内，所述可升降边缘环设置在所述静电吸附盘的外侧；/n所述至少2组阻挡片支撑组件设置在所述可升降边缘环的外侧，所述至少2组阻挡片支撑组件用于交替承载阻挡片；/n其中，每组阻挡片支撑组件包括至少3个阻挡片支撑组件，每个阻挡片支撑组件包括阻挡片支撑架、阻挡片支撑架旋转升降装置，所述阻挡片支撑架与所述阻挡片支撑架旋转升降装置连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种边缘多余膜层刻蚀一体化装置，其特征在于，至少包括腔体、静电吸附盘、可升降边缘环、至少2组阻挡片支撑组件；
所述静电吸附盘和所述可升降边缘环设置在所述腔体内，所述可升降边缘环设置在所述静电吸附盘的外侧；
所述至少2组阻挡片支撑组件设置在所述可升降边缘环的外侧，所述至少2组阻挡片支撑组件用于交替承载阻挡片；
其中，每组阻挡片支撑组件包括至少3个阻挡片支撑组件，每个阻挡片支撑组件包括阻挡片支撑架、阻挡片支撑架旋转升降装置，所述阻挡片支撑架与所述阻挡片支撑架旋转升降装置连接。


2.根据权利要求1所述的边缘多余膜层刻蚀一体化装置，其特征在于，
当刻蚀晶圆上的有效图形区域时，所述阻挡片支撑架通过所述阻挡片支撑架旋转升降装置隐藏在所述腔体的侧壁；
当刻蚀所述晶圆的边缘时，每组所述阻挡片支撑组件中的阻挡片支撑架通过阻挡片支撑架旋转升降装置交替移动至所述晶圆的上方，所述阻挡片支撑架用于承载所述阻挡片。


3.根据权利要求1所述的边缘多余膜层刻蚀一体化装置，其特征在于，
当刻蚀晶圆上的有效图形区域时，所述可升降边缘环包围所述晶圆；
当刻蚀所述晶圆的边缘时，所述可升降边缘环位于低于所述静电吸附盘顶部的位置。


4.根据权利要求1至3任一所述的边缘多余膜层刻蚀一体化装置，其特征在于，所述至少2组阻挡片支撑组件均匀设置在所述可升降边缘环的外侧。


5.根据权利要求1至3任一所述的边缘多余膜层刻蚀一体化装置，其特征在于，所述阻挡片支撑架旋转升降装置与所述静电吸附盘之间的距离小于所述阻挡片支撑架的长度。

【专利技术属性】
技术研发人员：阚保国，曹春生，阚杰，冯大贵，吴长明，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32