加热板冷却方法和基板处理装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及加热板冷却方法和基板处理装置及方法。本发明专利技术的实施例提供一种对基板进行热处理的装置及冷却该装置的加热板的方法。作为用于冷却设置在腔室的处理空间内且对基板进行加热处理的加热板的方法，在从所述处理空间中去除所述基板之后，打开所述处理空间，并且通过向所述处理空间内流入在所述处理空间的外部形成的气流而冷却所述加热板。由此，能够缩短加热板的冷却时间。

Heating plate cooling method and substrate treatment device and method

【技术实现步骤摘要】
加热板冷却方法和基板处理装置及方法
本专利技术涉及一种对基板进行热处理的装置及冷却该装置的加热板的方法。
技术介绍
为了制造半导体元件，执行如清洗、沉积、影印、蚀刻以及离子注入等的多种工艺。这些工艺中的影印工艺包括在基板上形成如感光液的液膜的工艺。在基板上形成液膜之后，进行加热基板并将有机物吹到液膜上而使液膜稳定化的烘烤工艺。烘烤工艺包括将基板放置在加热板上并将基板加热至与常温相比非常高的温度的工艺。这种加热工艺需要周期性地确认因高温导致的热变形及损伤等并进行维护。因此，在结束关于规定张数的基板的烘烤工艺或达到规定周期的情况下，冷却加热板并进行关于加热板及其周边装置的损伤确认及维护。但是，在自然冷却加热板时至少需要几个小时。由此，为了缩短加热板的冷却时间，提出使常温的基板或夹具与加热板强制性地接触的方案。但是，加热板在冷却过程中发生如收缩的热变形，这会损伤执行制冷剂功能的基板。[现有技术文献][专利文献]：韩国授权专利10-1605721
技术实现思路
技术问题本专利技术的一目的是提供一种能够缩短加热板的冷却时间的装置及方法。此外，本专利技术的一目的是在没有设置额外的附加装置的情况下能够提高加热板的冷却速度的装置及方法。技术方案本专利技术的实施例提供一种对基板进行热处理的装置及冷却该装置的加热板的方法。作为用于冷却设置在腔室的处理空间内且对基板进行加热处理的加热板的方法，在从所述处理空间中去除所述基板之后，打开所述处理空间，并且通过向所述处理空间内流入在所述处理空间的外部形成的气流而冷却所述加热板。在冷却所述加热板时以及在所述处理空间中处理所述基板时，可以不同地设置所述气流的流速。在冷却所述加热板时，所述气流的流速可以被设置为大于在所述处理空间中处理所述基板时的气流的流速。所述处理空间由上部主体和下部主体的组合形成，所述处理空间的开闭通过所述上部主体或所述下部主体的升降来实现，冷却所述加热板时的所述上部主体与所述下部主体间的间隔距离可以被设置为大于在所述处理空间中处理所述基板时的所述间隔距离。可以通过所述加热板以第一温度对属于第一组的基板进行加热处理，在对属于第一组的基板结束加热处理后冷却所述加热板，在对属于所述第一组的基板进行加热处理期间，持续接通连接到设置在所述加热板的加热器的电源，在冷却所述加热板时断开所述电源。作为利用包括具有内部空间的壳体、设置在所述内部空间且具有用于对基板进行加热处理的处理空间的加热单元、设置在所述内部空间且用于对所述基板进行冷却处理的冷却单元以及在所述内部空间中形成气流的气流形成单元的装置来处理所述基板的方法，包括以下步骤：将所述基板设置在所述加热单元的加热板上且对所述基板进行加热处理；和从所述处理空间中去除所述基板之后冷却所述加热板，其中，在冷却所述加热板的步骤中，打开所述处理空间并向所述处理空间内流入在所述处理空间的外部形成的所述气流以冷却所述加热板。在冷却所述加热板的步骤中所述气流的流速可以被设置成大于在对所述基板进行加热处理的步骤中的气流的流速。所述处理空间由上部主体和下部主体的组合形成，所述处理空间的开闭通过所述上部主体或所述下部主体的升降来实现，在冷却所述加热板的步骤中的所述上部主体与所述下部主体间的间隔距离可以被设置为大于在对所述基板进行加热处理的步骤中的所述间隔距离。一种基板处理装置，包括：壳体，其具有内部空间；加热单元，其设置在所述内部空间中且对基板进行加热处理；气流形成单元，其用于在所述内部空间中形成气流；以及控制器，其用于控制所述加热单元及所述气流形成单元，所述加热单元包括：腔室，在所述腔室的内部具有处理空间；和加热板，其用于在所述处理空间中加热所述基板，其中，所述控制器以如下方式控制所述加热单元及所述气流形成单元：在从所述处理空间中去除基板的状态下冷却所述加热板时，朝向所述内部空间打开所述处理空间以向所述处理空间内流入在所述内部空间中形成的气流，并且通过所述气流来冷却所述加热板。所述控制器可以控制所述气流形成单元以使在冷却所述加热板时的所述气流的流速大于在所述处理空间中对所述基板进行加热处理时的气流的流速。所述加热腔室可包括上部主体和下部主体，所述上部主体和下部主体彼此组合而在内部形成所述处理空间，所述加热单元还包括升降单元，所述升降单元通过升降所述下部主体和所述上部主体中的一者而调节所述上部主体与所述下部主体间的相对高度，所述控制器可控制所述升降单元以使冷却所述加热板时的所述下部主体与所述上部主体间的间隔距离大于在所述处理空间中处理所述基板时的所述间隔距离。所述加热板可包括：支撑板，其用于放置基板；加热器，其用于加热放置在所述支撑板上的基板；和电源，其用于接通或断开所述加热器，所述控制器在冷却所述加热板时断开所述加热器，并且在所述处理空间中对属于所述第一组的基板持续进行加热处理期间接通所述加热器。所述气流形成单元可包括：风扇单元，其用于向所述内部空间供给空气；和排气单元，其用于对所述内部空间进行排气，其中，从上部观察时，所述加热单元及所述冷却单元可以位于所述风扇单元与所述排气单元之间。在所述壳体的一侧壁上可形成有运出运入所述基板的运出运入口，所述风扇单元被设置为比所述排气单元更靠近所述运出运入口，所述冷却单元被设置为比所述加热单元更靠近所述风扇单元，所述加热单元被设置为比所述冷却单元更靠近所述排气单元。从上部观察时，所述风扇单元、所述冷却单元、所述加热单元及所述排气单元可以沿一方向依次排列。有益效果根据本专利技术的实施例，在冷却步骤中形成流速大于加热处理步骤的流速的气流。由此，能够缩短加热板的冷却时间。此外，根据本专利技术的实施例，冷却加热板时的上部主体与下部主体间的间隔距离被设置为大于加热处理所述基板时的该间隔距离。由此，与加热处理基板时的情况相比较，在冷却加热板时向处理空间流入更多量的气流而能够缩短加热板的冷却时间。附图说明图1是示意性地表示本专利技术的一实施例所涉及的基板处理装置的立体图。图2是表示图1的涂布区块或显影区块的基板处理装置的剖视图。图3是图1的基板处理装置的俯视图。图4是表示图3的运送机械手的手部的一例的图。图5是示意性地表示图3的热处理腔室的一例的俯视图。图6是图5的热处理腔室的主视图。图7是表示图6的加热单元的剖视图。图8是表示图7的基板支撑单元的俯视图。图9是表示冷却加热板的过程的流程图。图10至图12是表示图9的加热处理步骤的图。图13是表示图9的冷却步骤的图。图14是表示加热处理工艺与冷却处理工艺间的加热器状态的图表。图15是表示第一组的加热处理工艺、第二组的加热处理工艺与冷却处理工艺间的加热器状态的图表。图16是示意性地表示图3的液处理腔室的一例的图。具体实施方式下面，参照附图对本专利技术的实施例进行更详细说明。本专利技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种加热板冷却方法，用于冷却设置在腔室的处理空间内且对基板进行加热处理的加热板，/n在从所述处理空间中去除所述基板之后，打开所述处理空间，并且向所述处理空间内流入在所述处理空间的外部形成的气流以冷却所述加热板。/n

【技术特征摘要】
20181015 KR 10-2018-01226101.一种加热板冷却方法，用于冷却设置在腔室的处理空间内且对基板进行加热处理的加热板，
在从所述处理空间中去除所述基板之后，打开所述处理空间，并且向所述处理空间内流入在所述处理空间的外部形成的气流以冷却所述加热板。


2.根据权利要求1所述的加热板冷却方法，其中，
在冷却所述加热板时以及在所述处理空间中处理所述基板时，不同地设置所述气流的流速。


3.根据权利要求2所述的加热板冷却方法，其中，
在冷却所述加热板时，所述气流的流速被设置为大于在所述处理空间中处理所述基板时的气流的流速。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的加热板冷却方法，其中，
所述处理空间由上部主体和下部主体的组合形成，
所述处理空间的开闭通过所述上部主体或所述下部主体的升降来实现，
冷却所述加热板时的所述上部主体与所述下部主体间的间隔距离被设置为大于在所述处理空间中处理所述基板时的所述间隔距离。


5.根据权利要求4所述的加热板冷却方法，其中，
通过所述加热板以第一温度对属于第一组的基板进行加热处理，
在对属于第一组的基板结束加热处理后冷却所述加热板，
在对属于所述第一组的基板进行加热处理期间，持续接通连接到设置在所述加热板的加热器的电源，
在冷却所述加热板时断开所述电源。


6.一种基板处理方法，利用包括具有内部空间的壳体、设置在所述内部空间且具有用于对基板进行加热处理的处理空间的加热单元、设置在所述内部空间且用于对所述基板进行冷却处理的冷却单元以及在所述内部空间中形成气流的气流形成单元的装置来处理所述基板，所述方法包括以下步骤：
将所述基板设置在所述加热单元的加热板上且对所述基板进行加热处理；和
从所述处理空间中去除所述基板之后冷却所述加热板，
其中，在冷却所述加热板的步骤中，打开所述处理空间并向所述处理空间内流入在所述处理空间的外部形成的所述气流以冷却所述加热板。


7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，
在冷却所述加热板的步骤中所述气流的流速设置成大于在对所述基板进行加热处理的步骤中的气流的流速。


8.根据权利要求6或7所述的基板处理方法，其中，
所述处理空间由上部主体和下部主体的组合形成，
所述处理空间的开闭通过所述上部主体或所述下部主体的升降来实现，
在冷却所述加热板的步骤中的所述上部主体与所述下部主体间的间隔距离被设置为大于在对所述基板进行加热处理的步骤中的所述间隔距离。


9.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑星哲，吴斗荣，韩相福，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR