气体供给单元制造技术

本发明专利技术涉及一种气体供给单元，包括：背板，设置于腔室内部；簇射头，与所述背板的下部隔开设置并朝向所述腔室内部供给工艺气体或清洗气体；挡板单元，设置于所述背板与所述簇射头之间，通过中央部区域供给工艺气体并通过周边区域供给所述工艺气体或所述清洗气体；以及工艺气体供给源与清洗气体供给源，所述工艺气体供给源朝向所述挡板单元供给所述工艺气体，所述清洗气体供给源朝向所述挡板单元供给所述清洗气体。在执行针对大面积基板的各种处理工艺的基板处理装置中，在根据沉积工艺或清洗工艺而向基板处理装置的内部供给各种气体的情况下，气体供给单元可使气体均匀地在基板处理装置的内部分散。

【技术实现步骤摘要】
气体供给单元
本专利技术涉及一种气体供给单元，更详细而言，涉及一种在执行针对大面积基板的各种处理工艺的基板处理装置中，在根据沉积工艺或清洗工艺而向基板处理装置的内部供给各种气体的情况下，可使气体均匀地在基板处理装置的内部分散的气体供给单元。
技术介绍
通常，基板处理装置包括配置于腔室内侧支撑基板并沿上下移动的基座、及朝向所述基板供给工艺气体等的气体供给部。在这种情况下，根据在所述腔室中执行的处理工艺，通过气体供给部供给的气体的种类会不同。例如，在执行针对基板的沉积工艺的情况下，可通过气体供给部供给工艺气体，且可在执行腔室内部的清洗工艺的情况下供给清洗气体。此时，工艺气体需要均匀地分散并供给到基板的上表面，在清洗气体的情况下，为了对腔室内部进行清洗，需要供给到腔室的内侧的边缘为止。然而，最近液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)、等离子显示面板(PlasmaDisplayPanel，PDP)及有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiodes)等平面显示器逐渐大型化、大面积化，因此对基板供给气体的气体供给部与腔室也同样地大面积化或大型化。在观察这种倾向时，难以使各种气体在大型化的腔室的内侧均匀地分散。通常，在考虑到清洗气体的自由基(radical)反应机制、生命周期(lift-cycle)等时，因所述清洗气体的慢的反应速度及时间延迟，在当从腔室的中央供给所述清洗气体到大面积、大型化的基板处理装置的腔室的最外围边缘为止进行清洗的情况下存在困难。
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]本专利技术为了解决如上所述的问题点，目的在于提供一种在向执行针对大面积基板的工艺的大型腔室的内侧供给各种气体的情况下，可使气体均匀地分散的气体供给单元。另外，本专利技术的目的在于提供一种可根据腔室的处理工艺或根据供给的气体的种类而使气体在挡板单元中分散的区域不同的气体供给单元。进而，本专利技术的目的在于提供一种可在进行沉积工艺的情况下通过挡板单元的中央部区域或周边区域供给沉积气体，在进行清洗工艺的情况下通过挡板单元的周边区域供给清洗气体的气体供给单元。[解决问题的技术手段]如上所述的本专利技术的目的通过气体供给单元来达成，所述气体供给单元包括：背板，设置于腔室内部；簇射头，与所述背板的下部隔开设置并朝向所述腔室内部供给工艺气体或清洗气体；挡板单元，设置于所述背板与所述簇射头之间，通过中央部区域供给工艺气体并通过周边区域供给所述工艺气体或所述清洗气体；以及工艺气体供给源与清洗气体供给源，所述工艺气体供给源朝向所述挡板单元供给所述工艺气体，所述清洗气体供给源朝向所述挡板单元供给所述清洗气体。在这里，在所述挡板单元中可形成：中央喷射孔，朝向所述簇射头供给工艺气体；及至少一个周边喷射孔，朝向所述簇射头供给工艺气体或清洗气体，并与所述中央喷射孔隔开。另外，在所述挡板单元中还可形成：周边喷射流路，使供给所述工艺气体的工艺气体供给线管及供给所述清洗气体的清洗气体供给线管与所述周边喷射孔连接；及中央喷射流路，使所述工艺气体供给线管与所述中央喷射孔连接。进而，在所述挡板单元中，第一挡板、第二挡板及第三挡板层叠配置，与所述工艺气体供给线管及清洗气体供给线管连接并将所述工艺气体或清洗气体传递到所述周边喷射流路的供给流路形成于所述第一挡板，在所述第二挡板形成与所述供给流路连接的所述周边喷射流路，在所述第三挡板可形成所述中央喷射孔、与所述中央喷射孔连接的中央喷射流路、与所述周边喷射流路连接的周边喷射孔。另一方面，所述周边喷射流路可从所述供给流路以放射状延长形成。在这种情况下，在所述第三挡板中还可形成扩散空间，所述扩散空间通过分隔壁与所述中央喷射孔划分开来并包围所述中央喷射孔，且通过贯通孔与所述中央喷射孔连通，所述中央喷射流路可与所述扩散空间连接而供给所述工艺气体。另一方面，所述背板与挡板单元可构成为一个部件。[专利技术的效果]根据具有所述构成的本专利技术，在向执行针对大面积基板的工艺的大型腔室的内侧供给各种气体的情况下，可使气体均匀地分散。另外，根据本专利技术，可根据腔室的处理工艺或根据供给的气体的种类而使气体在挡板单元中分散的区域不同。例如，可在进行沉积工艺的情况下，通过挡板单元的中央部区域或周边区域供给沉积气体，在进行清洗工艺的情况下通过挡板单元的周边区域供给清洗气体。因此，在进行清洗工艺的情况下，也可使清洗气体被充分地供给到腔室的内侧的边缘区域为止，从而明显地提高腔室的清洗效率。附图说明图1是包括本专利技术的一实施例的气体供给单元的基板处理装置的剖面图；图2是根据本专利技术的一实施例的挡板单元的结合立体图；图3是所述挡板单元的分解立体图；图4是沿图3的‘IV-IV’线的剖面图；图5是沿图3的‘V-V’线的剖面图；图6是根据本专利技术的一实施例的第三挡板的局部平面图；图7是根据本专利技术的另一实施例的第三挡板的局部平面图。[符号的说明]100：腔室；200：气体供给单元；210：背板；220：簇射头；310：基座；500：工艺气体供给源；550：清洗气体供给源；700：挡板单元；710：第一挡板；730：第二挡板；750：第三挡板。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施例的气体供给单元的结构详细地进行说明。图1是包括本专利技术的气体供给单元200的基板处理装置1000的侧剖面图。参照图1，所述基板处理装置1000可包括：腔室100，提供针对基板W的处理空间123；及基板支撑单元900，设置于所述腔室100内侧并支撑所述基板W。另外，所述基板处理装置1000可包括供给工艺气体或清洗气体的气体供给单元200。首先，所述基板处理装置1000可包括提供处理所述基板W的处理空间123的腔室100。所述腔室100可包括腔室本体120、及对所述腔室本体120的被开口的上部进行密封的腔室顶盖110。在所述腔室100的内部的处理空间123的下部可包括支撑所述基板W的基板支撑单元900。所述基板支撑单元900安装所述基板W，且可包括通过与下表面中央部连接的驱动杆320沿上下移动的基座310、及从所述基座310的下表面且与所述驱动杆320隔开特定距离而支撑所述基座310的基座支撑部460。在执行针对所述基板W的工艺期间使用等离子体的情况下，可对所述背板210施加高频电源，在这种情况下，可包括使所述基板支撑单元900接地的接地部(未图示)。所述接地部可包含将所述基座310与腔室100连接的带子(strap)等。由于所述腔室100保持接地的状态，因此利用所述带子而使基座310与腔室100电连接，从而使基座310接地。另一方面，所述基板W可安装于所述基座310的上表面。在这种情况下，在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气体供给单元，其特征在于，包括：/n背板，设置于腔室内部；/n簇射头，与所述背板的下部隔开设置并朝向所述腔室内部供给工艺气体或清洗气体；/n挡板单元，设置于所述背板与所述簇射头之间，通过中央部区域供给工艺气体并通过周边区域供给所述工艺气体或所述清洗气体；以及/n工艺气体供给源与清洗气体供给源，所述工艺气体供给源朝向所述挡板单元供给所述工艺气体，所述清洗气体供给源朝向所述挡板单元供给所述清洗气体。/n

【技术特征摘要】
20181011 KR 10-2018-01208421.一种气体供给单元，其特征在于，包括：
背板，设置于腔室内部；
簇射头，与所述背板的下部隔开设置并朝向所述腔室内部供给工艺气体或清洗气体；
挡板单元，设置于所述背板与所述簇射头之间，通过中央部区域供给工艺气体并通过周边区域供给所述工艺气体或所述清洗气体；以及
工艺气体供给源与清洗气体供给源，所述工艺气体供给源朝向所述挡板单元供给所述工艺气体，所述清洗气体供给源朝向所述挡板单元供给所述清洗气体。


2.根据权利要求1所述的气体供给单元，其特征在于：
所述挡板单元包括：
中央喷射孔，朝向所述簇射头供给所述工艺气体；及
至少一个周边喷射孔，朝向所述簇射头供给所述工艺气体或所述清洗气体，并与所述中央喷射孔隔开。


3.根据权利要求2所述的气体供给单元，其特征在于：
所述挡板单元还包括：
周边喷射流路，使供给所述工艺气体的工艺气体供给线管及供给所述清洗气体的清洗气体供给线管与所述周边喷射孔连接；及
中央喷射流路，使所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李洪宰，
申请(专利权)人：TES股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR