温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请公开了一种边缘多余膜层刻蚀一体化装置及方法，涉及半导体设备制造领域。该装置至少包括腔体、静电吸附盘、可升降边缘环、至少2组阻挡片支撑组件；静电吸附盘和可升降边缘环设置在腔体内，可升降边缘环设置在静电吸附盘的外侧；至少2组阻挡片支撑组件...
该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。