柔性基板制备方法及柔性基板技术

本发明专利技术涉及一种柔性基板的制备方法及柔性基板。其中，柔性基板的制备方法，包括：将基片进行超声波清洗；对清洗后的所述基片进行等离子体轰击；采用射频磁控溅射法在所述基片上形成衬底薄膜；采用直流磁控溅射法在所述衬底薄膜上形成导电薄膜以形成柔性基板；对所述柔性基板进行退火处理。上述柔性基板的制备方法通过在采用等离子体轰击技术和磁控溅射技术，增加沉积到柔性基板表面的粒子和柔性基板表面本身的能量及膜层结合的能量，可提高膜层之间的附着力，降低膜层的内应力。同时，在基片和导电薄膜之间还溅射衬底薄膜，也可以增大膜层之间的粘附力。由于在基片上溅射沉积衬底薄膜和导电薄膜，可以降低基片表面的阻抗。

【技术实现步骤摘要】
柔性基板制备方法及柔性基板
本专利技术涉及基板，特别是涉及柔性基板制备方法及柔性基板。
技术介绍
目前曲面技术在显示领域内取得了长足的发展，曲面显示器深受市场和用户的青睐。曲面显示并不是显示技术发展的终极，可随意弯曲的柔性显示屏才是行业的未来趋势。柔性显示技术和柔性显示屏，将成为显示行业未来的发展趋势。柔性显示屏包括柔性基板和设置于柔性基板上的显示结构。光学领域最常用的柔性基板有:聚甲基丙烯醱甲脂(polymethylmethacrylate，PMMA)、聚苯乙烯(Polystyrene，PS)和聚碳酸脂(Polycarbonate，PC)热塑性基板。在制备柔性基板时，柔性基板在成型过程中容易产生内应力且不易消除。当内应力很大时，膜料沉积到基板表面后,内应力会转移到膜层上来,从而大大降低膜层的稳定性,甚至使膜层开裂起皱，使得产品良率低。
技术实现思路
基于此，有必要针对柔性基板成型过程中内应力较大影响膜层稳定性的问题，提供一种柔性基板的制备方法及柔性基板。一种柔性基板的制备方法，包括：将基片进行超声波清洗；对清洗后的所述基片进行等离子体轰击；采用射频磁控溅射法在进行等离子体轰击后的基片上形成衬底薄膜；采用直流磁控溅射法在所述衬底薄膜上形成导电薄膜以形成柔性基板；对所述柔性基板进行退火处理。在其中一个实施例中，所述将基片进行超声波清洗之前还包括：将所述基片浸泡于清洗液中以去除基片表面杂质。在其中一个实施例中，浸泡时间为20min～30min，浸泡温度为30℃～40℃。在其中一个实施例中，所述清洁液包括氢氧化钠、碳酸钠、磷酸钠和水，其中，所述氢氧化钠的比例为4％-6％，所述碳酸钠的比例为2％-4％，所述磷酸钠的比例为3％-5％，所述水的比例为87％-89％。在其中一个实施例中，所述对清洁后的所述基片进行等离子体轰击之前还包括：将所述基片加热，以烘干所述基片。在其中一个实施例中，所述射频磁控溅射法的溅射功率为750W～1000W，溅射速率为15nm/min～25nm/min。在其中一个实施例中，所述衬底薄膜的厚度为30nm～50nm。在其中一个实施例中，所述柔性基板的厚度为50nm～100nm。在其中一个实施例中，所述导电薄膜的材料为氧化铟锡、掺铝氧化锌、石墨烯中的任意一种。一种柔性基板，包括：基片；衬底薄膜，设置于所述基片上；导电薄膜，设置于所述衬底薄膜上。上述柔性基板的制备方法通过在采用等离子体轰击技术和磁控溅射技术，增加沉积到柔性基板表面的粒子和柔性基板表面本身的能量及膜层结合的能量，可提高膜层之间的附着力，降低膜层的内应力。同时，在基片和导电薄膜之间还溅射衬底薄膜，也可以增大膜层之间的粘附力。由于在基片上溅射沉积衬底薄膜和导电薄膜，可以降低基片表面的阻抗。附图说明图1为本申请的一个实施例提供的柔性基板制备方法流程图；图2为本申请的又一实施例提供的柔性基板结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是在于限制本专利技术。正如
技术介绍
所述，目前柔性基板在制备成型的过程中容易产生内应力。当柔性基板的应力很大时，膜料沉积到基板表面后,基板的内应力会转移到基板上的膜层上来,从而降低了膜层的稳定性,当应力足够大时甚至会使膜层开裂起皱。另一方面，柔性基板表面具有高阻抗的特性，摩擦时容易产生静电，可能影响产品特性。另外。柔性基板和沉积与柔性基板上的薄膜材料的热膨胀系数差异较大,在成膜过程中或膜层形成后，可能会因温度变化而产生应力导致膜层开裂,甚至使膜层和柔性基板基底之间产生剥落现象。基于上述问题，本申请的一个实施例提供一种柔性基板的制备方法，请参阅图1，该方法包括以下步骤：S100:将基片进行超声波清洗。本实施例中，基片为柔性材料制成，柔性材料可以是聚甲基丙烯醱甲脂、聚苯乙烯或聚碳酸脂热塑性基板中的任意一种。由于基片上可能存在杂质颗粒，因此，需要将基片进行清洗，以清除表面杂质。本实施例采用超声波清洗法清洗基片表面的杂质。利用超声波在液体中的空化作用、加速度作用及直进流作用对液体和杂质颗粒直接、间接的作用，使杂质颗粒层被分散、乳化、剥离而达到清洗目的。其中，清洗介质可以是离子水或纯酒精。S200:对清洗后的基片进行等离子体轰击。将清洗后的基片送入等离子腔室，开启射频电源，在氧气的气体氛围中处理功率为100W～300W的条件下，进行3min～10min的等离子清洗，进一步清洗基片上的杂质、水汽，保证基片清洁，请采用等离子体轰击，可提高基片表面的活性，提高膜层的结合能力。同时，可以在一定程度上增加基片表面的粗糙程度，提高膜层的附着力。S300:采用射频磁控溅射法在基片上形成衬底薄膜。射频磁控溅射可用于沉积绝缘靶材，利用射频放电，使带电粒子在电极间往复震荡并相互碰撞电离，并在基片上沉积形成衬底薄膜。一方面，衬底薄膜可用于隔离基片与后续形成的导电薄膜，另一方面，在基片上形成衬底薄膜，可增大柔性基板的膜层之间的附着力，防止膜层在外力作用下裂解。本实施例中，射频磁控溅射法的沉积参数为：溅射功率为750W～1000W，溅射速率为15nm/min～25nm/min，优选的，可以是20nm/min，氧气的流量为10sccm～20sccm，氩气流量600sccm～800sccm，靶基距为8cm，镀膜室真空度2.5*10-1Pa～3.50*10-2Pa之间。更进一步地，氧气的纯度为99.999％，氩气的纯度为99.999％。衬底薄膜可以是氧化硅、氧化钛或其他光学性能较好的材料。溅射功率为750W～1000W，溅射功率越大，电离离子撞击出的沉积离子具有更高的能量，进而沉积离子与基片的结合力也越大，可以提高膜层之间的附着力。S400:采用直流磁控溅射法在衬底薄膜上形成导电薄膜，以形成柔性基板。直流磁控溅射利用直流辉光放电，可用于沉积导体靶材，进而可以在衬底薄膜上沉积形成导电薄膜，以形成柔性基板的基本结构。当需要制备显本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种柔性基板的制备方法，其特征在于，包括：/n将基片进行超声波清洗；/n对清洗后的所述基片进行等离子体轰击；/n采用射频磁控溅射法在进行等离子体轰击后的基片上形成衬底薄膜；/n采用直流磁控溅射法在所述衬底薄膜上形成导电薄膜以形成柔性基板；/n对所述柔性基板进行退火处理。/n

【技术特征摘要】
1.一种柔性基板的制备方法，其特征在于，包括：
将基片进行超声波清洗；
对清洗后的所述基片进行等离子体轰击；
采用射频磁控溅射法在进行等离子体轰击后的基片上形成衬底薄膜；
采用直流磁控溅射法在所述衬底薄膜上形成导电薄膜以形成柔性基板；
对所述柔性基板进行退火处理。


2.根据权利要求1所述的柔性基板的制备方法，其特征在于，所述将基片进行超声波清洗之前还包括：将所述基片浸泡于清洗液中以去除基片表面杂质。


3.根据权利要求2所述的柔性基板的制备方法，其特征在于，浸泡时间为20min～30min，浸泡温度为30℃～40℃。


4.根据权利要求2所述的柔性基板的制备方法，其特征在于，所述清洁液包括氢氧化钠、碳酸钠、磷酸钠和水，其中，所述氢氧化钠的比例为4％-6％，所述碳酸钠的比例为2％-4％，所述磷酸钠的比例为3％-5％，所述水的比例为87％-89％。


5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：易伟华，张迅，郑芳平，周慧蓉，杨会良，刘明礼，刘松林，周成，阳威，孔线宁，何智斌，
申请(专利权)人：江西沃格光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36