新型二极管组件制造技术

技术编号:23862464 阅读:26 留言:0更新日期:2020-04-18 14:40
本实用新型专利技术涉及新型二极管组件,其包括二极管基体(101)、三个设置在二极管基体(101)侧部的二极管端脚(102)、竖直设置在二极管端脚(102)上且用于插入导线的二极管插线孔(103)、横向设置在二极管插线孔(103)侧部的二极管顶丝(104)、设置在二极管插线孔(103)中的二极管弹性导电环片(106)、设置在二极管弹性导电环片(106)两端的二极管定位键端(107)、二极管定位键槽(105)、设置在二极管插线孔(103)内侧壁上且用于放置对应二极管定位键端(107)的二极管定位键槽(105);本实用新型专利技术设计合理、结构紧凑且使用方便。

New diode assembly

【技术实现步骤摘要】
新型二极管组件
本技术涉及新型二极管组件,广泛应用于整流,大功耗,散热较差的电路。
技术介绍
现在国内外生产厂家,普遍采用肖特基二极管解决大电流整流的领域,但压降为0.5V以上,功耗仍然很大,在一些大功率应用场合,必须安装散热器,体积较大专利技术设计电流为150A的大功率金属全密封一种低功耗理想二极管,宽电压输入9V~50V,压降可以降至几十mV,大幅度降低功耗,在一些大功率场合,不需要散热器,大大减小了重量和体积,性能更可靠。如何解决市场现有的二极管热阻大、功耗大,在大功率应用必须使用散热器,体积和重量较大成为急需解决的技术问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题总的来说是提供一种新型二极管组件。为解决上述问题,本技术所采取的技术方案是:一种新型二极管组件,包括二极管基体、三个设置在二极管基体侧部的二极管端脚、竖直设置在二极管端脚上且用于插入导线的二极管插线孔、横向设置在二极管插线孔侧部的二极管顶丝、设置在二极管插线孔中的二极管弹性导电环片、设置在二极管弹性导电环片两端的二极管定位键端、二极管定位键槽、设置在二极管插线孔内侧壁上且用于放置对应二极管定位键端的二极管定位键槽。作为上述技术方案的进一步改进:二极管基体采用金属管壳体全密封结构,功率组件烧结在二极管基体的金属管壳上,二极管基体的控制部分通过PCB板固定在功率组件上方。二极管弹性导电环片为椭圆设置,二极管顶丝位于二极管定位键槽的对称中心线上,外接导线安装在二极管弹性导电环片中心通孔中,二极管定位键端到二极管弹性导电环片中心点距离长于二极管顶丝到二极管弹性导电环片中心点距离。在二极管弹性导电环片内侧壁上分布有用于增大与导线接触摩擦力的二极管内环槽。在二极管基体中的功率组件包括并联的MOS管Q102-105;其中,并联的MOS管Q102-105的S极接输入端脚Vin,并联的MOS管Q102-105的D极接输出端脚Vout,在并联的MOS管Q102-105的G极与端脚Vin之间连接有反馈电路;反馈电路包括电阻R101-R105,反馈互感器T101,电容C101-104,二极管D102,稳压管D101,以及放大三极管Q101,在放大三极管Q101基极B与端脚Vin之间并接分压电阻R102与电容C103,放大三极管Q101基极B通过稳压电阻R104接地GND,放大三极管Q101发射极E通过稳压电阻R101接地GND,在放大三极管Q101基极B与发射极E之间旁接电容C101,在放大三极管Q101发射极E与集电极C之间旁接电容C102,在放大三极管Q101通过反馈互感器T101的主线圈接端脚Vin;反馈互感器T101的次线圈一端经过二极管D102分两路,一路经过电容C104接输出端脚Vout,另一路接限流可变电阻R103;限流可变电阻R103分两路,一路接并联的MOS管Q102-105的G极,另一路并联的反压电阻R105与稳压管D101接输出端脚Vout;次线圈另一端接输出端脚Vout;本技术通过反压电阻R105的阻值调节来调节反馈电路的反馈时间。本技术的原理上是直流控制,采用LC震荡电路,起震,输入输出进行变压器隔离,巧妙的利用MOSFET反向也可以触发及体二极管完全实现二极管的功能,在MOSFET未触发的情况下,体二极管实现二极管的功能,当MOSFET触发后,因为MOSFET内阻较低,可以大幅度的减少功耗,肖特基二极管在大电流压降为0.5V以上,而采用此电路实现的二极管功能,压降可降至几十毫伏,而当主电路电压下降到一定程度后,二极管也可以可靠关断。结构上设计采用全新金属全密封结构,侧面出腿,功率组件烧结在金属管壳上,控制部分使用PCB固定在功率上方,极大减小了体积。附图说明图1是本实用新硬件的结构示意图。图2是本技术电路的结构示意图。其中:101、二极管基体;102、二极管端脚;103、二极管插线孔;104、二极管顶丝;105、二极管定位键槽;106、二极管弹性导电环片;107、二极管定位键端;108、二极管内环槽。具体实施方式如图1-2所示,本实施例的新型二极管组件其相比于传统二极管结构,性能更佳,包括二极管基体101、三个设置在二极管基体101侧部的二极管端脚102分别用于接入输出与接地、竖直设置在二极管端脚102上且用于插入导线的二极管插线孔103、横向设置在二极管插线孔103侧部的二极管顶丝104、设置在二极管插线孔103中的二极管弹性导电环片106、设置在二极管弹性导电环片106两端的二极管定位键端107、二极管定位键槽105、设置在二极管插线孔103内侧壁上且用于放置对应二极管定位键端107的二极管定位键槽105。通过键槽结构实现快速定位安装,利用金属片具有弹性的原理,相比于传统仅仅通过顶丝压接导线方案,不损伤导线,摩擦力大,接触面积大,安装方便。二极管基体101采用金属管壳体全密封结构,功率组件烧结在二极管基体101的金属管壳上,二极管基体101的控制部分通过PCB板固定在功率组件上方。二极管弹性导电环片106为椭圆设置,二极管顶丝104位于二极管定位键槽105的对称中心线上,外接导线安装在二极管弹性导电环片106中心通孔中,二极管定位键端107到二极管弹性导电环片106中心点距离长于二极管顶丝104到二极管弹性导电环片106中心点距离。将导线插入二极管弹性导电环片106通孔中,然后,顶丝顶压环片使其弹性形变,从而与导线接触并导通,采用椭圆结构,其复位效果好,不易变形。在二极管弹性导电环片106内侧壁上分布有用于增大与导线接触摩擦力的二极管内环槽108。工艺性好,可以具有更好摩擦力与接触面积。在二极管基体101中的功率组件包括并联的MOS管Q102-105;其中,并联的MOS管Q102-105的S极接输入端脚Vin,并联的MOS管Q102-105的D极接输出端脚Vout,在并联的MOS管Q102-105的G极与端脚Vin之间连接有反馈电路;反馈电路包括电阻R101-R105,反馈互感器T101,电容C101-104,二极管D102,稳压管D101,以及放大三极管Q101,在放大三极管Q101基极B与端脚Vin之间并接分压电阻R102与电容C103,放大三极管Q101基极B通过稳压电阻R104接地GND,放大三极管Q101发射极E通过稳压电阻R101接地GND,在放大三极管Q101基极B与发射极E之间旁接电容C101,在放大三极管Q101发射极E与集电极C之间旁接电容C102,在放大三极管Q101通过反馈互感器T101的主线圈接端脚Vin;反馈互感器T101的次线圈一端经过二极管D102分两路,一路经过电容C104接输出端脚Vout,另一路接限流可变电阻R103;限流可变电阻R103分两路,一路接并联的MOS管Q102-105的G极,另一路并联的反压电阻R105与稳压管D101接输出端脚Vout;...

【技术保护点】
1.一种新型二极管组件,其特征在于:包括二极管基体(101)、三个设置在二极管基体(101)侧部的二极管端脚(102)、竖直设置在二极管端脚(102)上且用于插入导线的二极管插线孔(103)、横向设置在二极管插线孔(103)侧部的二极管顶丝(104)、设置在二极管插线孔(103)中的二极管弹性导电环片(106)、设置在二极管弹性导电环片(106)两端的二极管定位键端(107)、二极管定位键槽(105)、设置在二极管插线孔(103)内侧壁上且用于放置对应二极管定位键端(107)的二极管定位键槽(105)。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型二极管组件,其特征在于:包括二极管基体(101)、三个设置在二极管基体(101)侧部的二极管端脚(102)、竖直设置在二极管端脚(102)上且用于插入导线的二极管插线孔(103)、横向设置在二极管插线孔(103)侧部的二极管顶丝(104)、设置在二极管插线孔(103)中的二极管弹性导电环片(106)、设置在二极管弹性导电环片(106)两端的二极管定位键端(107)、二极管定位键槽(105)、设置在二极管插线孔(103)内侧壁上且用于放置对应二极管定位键端(107)的二极管定位键槽(105)。


2.根据权利要求1所述的新型二极管组件,其特征在于:二极管基体(101)采用金属管壳体全密封结构,功率组件烧结在二极管基体(101)的金属管壳上,二极管基体(101)的控制部分通过PCB板固定在功率组件上方。


3.根据权利要求1或2所述的新型二极管组件,其特征在于:二极管弹性导电环片(106)为椭圆设置,二极管顶丝(104)位于二极管定位键槽(105)的对称中心线上,外接导线安装在二极管弹性导电环片(106)中心通孔中,二极管定位键端(107)到二极管弹性导电环片(106)中心点距离长于二极管顶丝(104)到二极管弹性导电环片(106)中心点距离。


4.根据权利要求3所述的新型二极管组件,其特征在于:在二极管弹性导电环片(106)内侧壁上分布有用于增大与导线接触摩擦力的二极...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘宏伟郝秋强王鹏飞
申请(专利权)人:青岛航天半导体研究所有限公司
类型:新型
国别省市:山东;37

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