【技术实现步骤摘要】
一种芯片加工过程中抓取装置
本技术涉及芯片制造
,具体领域为芯片加工过程中抓取装置。
技术介绍
芯片制作过程,使用单晶硅晶圆(或III-V族,如砷化镓)用作基层,然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件,再利用薄膜和CMP技术制成导线,如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量,导线可分为铝工艺(以溅镀为主)和铜工艺(以电镀为主参见Damascene)。主要的工艺技术可以分为以下几大类:黄光微影、刻蚀、扩散、薄膜、平坦化制成、金属化制成,IC由很多重叠的层组成,每层由视频技术定义,通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层(成为扩散层),一些定义哪里额外的离子灌输(灌输层),一些定义导体(多晶硅或金属层),一些定义传导层之间的连接(过孔或接触层)。所有的组件由这些层的特定组合构成,在芯片制作过程中,芯片体积较小,需要机械抓取,但是一般机械抓取会损坏芯片,且现有技术不能使芯片进行不同角度的运输与放置。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种芯片加工过程中抓取装置, ...
【技术保护点】
1.一种芯片加工过程中抓取装置,包括电动旋转台(1),其特征在于:所述电动旋转台(1)的输出端固接装配有竖杆(2)的一端,所述竖杆(2)的另一端固接装配有套环(3),所述套环(3)的内部插接有横筒(4),所述电动旋转台(1)的一侧设有旋转装置(5),所述旋转装置(5)的上方设有抽气泵(6),所述抽气泵(6)的上表面左右两端分别固接装配有吸气口(8)和出气口(7),所述吸气口(8)的外壁固接装配有输气管(9)的一端,所述输气管(9)的另一端插进横筒(4)的内部,所述输气管(9)位于横筒(4)内部的一端固接装配有第一球槽(13),所述第一球槽(13)的内部卡接有第二球槽(15) ...
【技术特征摘要】
1.一种芯片加工过程中抓取装置,包括电动旋转台(1),其特征在于:所述电动旋转台(1)的输出端固接装配有竖杆(2)的一端,所述竖杆(2)的另一端固接装配有套环(3),所述套环(3)的内部插接有横筒(4),所述电动旋转台(1)的一侧设有旋转装置(5),所述旋转装置(5)的上方设有抽气泵(6),所述抽气泵(6)的上表面左右两端分别固接装配有吸气口(8)和出气口(7),所述吸气口(8)的外壁固接装配有输气管(9)的一端,所述输气管(9)的另一端插进横筒(4)的内部,所述输气管(9)位于横筒(4)内部的一端固接装配有第一球槽(13),所述第一球槽(13)的内部卡接有第二球槽(15)的一端,所述第一球槽(13)与第二球槽(15)相接处卡接有密封圈(16),所述第二球槽(15)的另一端固接装配有吸盘(10),所述吸盘(10)的正表面靠近第二球槽(15)的一侧通过第一转轴(14)活动安装有直杆(17)的另一端,所述直杆(17)的另一端通过第二转轴(18)与横筒(4)活动相连,所述直杆(17)靠近第二转轴(18)的一端固接...
【专利技术属性】
技术研发人员:宋五洲,
申请(专利权)人:卓创五洲武汉光电科技有限公司,
类型:新型
国别省市:湖北;42
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