半导体器件和形成半导体器件的方法技术

半导体器件包括无源电子组件，位于衬底中；以及互连结构，位于无源电子组件上方，互连结构的导电部件电耦合到无源电子组件。互连结构的导电部件包括：第一导线，位于衬底上方；导电凸块，位于第一导线上方，其中，在平面图中，导电凸块具有第一细长形状并且完全设置在第一导线的边界内；以及第一通孔，位于第一导线和导电凸块之间，第一通孔电连接到第一导线和导电凸块，其中，在平面图中，第一通孔具有第二细长形状并且完全设置在导电凸块的边界内。本发明专利技术的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和形成半导体器件的方法
本专利技术的实施例涉及半导体器件和形成半导体器件的方法，更具体地，涉及具有多个极性组的半导体器件。
技术介绍
由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的不断改进，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的这种改进来自最小部件尺寸的重复减小，这允许将更多的组件集成到给定区域中。近来随着对更小电子设备的需求增长，对半导体管芯的更小和更创新的封装技术的需求日益增长。这些封装技术的一个示例是集成扇出(InFO)封装技术。在InFO封装件中，管芯嵌入在模塑材料中。重分布结构形成在管芯的第一面上并电耦合到管芯。重分布结构延伸超出管芯的横向范围。重分布结构的导电部件(诸如导线或导电焊盘)允许在超出管芯边界的位置处与管芯电连接。近来集成无源器件(IPD)和技术越来越受欢迎。IPD中可以集成多种多样的无源器件，诸如电容器、电阻器、电感器、平衡转换器、耦合器、分配器，滤波器或双工器。由于集成度高，与例如表面安装器件(SMD)相比，IDP可以实现占位面积的显著减小。与此同时，与S本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n无源电子组件，位于衬底中；以及/n互连结构，位于所述无源电子组件上方，所述互连结构的导电部件电耦合到所述无源电子组件，所述互连结构的所述导电部件包括：/n第一导线，位于所述衬底上方；/n导电凸块，位于所述第一导线上方，其中，在平面图中，所述导电凸块具有第一细长形状并且完全设置在所述第一导线的边界内；以及/n第一通孔，位于所述第一导线和所述导电凸块之间，所述第一通孔电连接到所述第一导线和所述导电凸块，其中，在所述平面图中，所述第一通孔具有第二细长形状并且完全设置在所述导电凸块的边界内。/n

【技术特征摘要】
20180928 US 62/738,618;20181210 US 16/215,3251.一种半导体器件，包括：
无源电子组件，位于衬底中；以及
互连结构，位于所述无源电子组件上方，所述互连结构的导电部件电耦合到所述无源电子组件，所述互连结构的所述导电部件包括：
第一导线，位于所述衬底上方；
导电凸块，位于所述第一导线上方，其中，在平面图中，所述导电凸块具有第一细长形状并且完全设置在所述第一导线的边界内；以及
第一通孔，位于所述第一导线和所述导电凸块之间，所述第一通孔电连接到所述第一导线和所述导电凸块，其中，在所述平面图中，所述第一通孔具有第二细长形状并且完全设置在所述导电凸块的边界内。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述互连结构包括多个导电凸块，其中，所述互连结构包括多个导电路径，其中，所述导电路径中的每一个将所述导电凸块中的一个耦合到所述无源电子组件中的一个的至少一个接触焊盘，其中，互连结构不具有提供多个导电路径之间的电连接的导电部件。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述无源电子组件是相同类型的，其中，所述无源电子组件是电容器、电阻器或电感器。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述平面图中，所述第一通孔具有在所述导电凸块的面积的50％至90％之间的面积。


5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述互连结构包括位于所述第一导线和所述衬底之间的第二通孔，所述第二通孔电耦合到所述第一通孔，其中，在所述平面图中，所述第二通孔的面积小于所述第一通孔的面积。


6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二细长形状与所述第一细长形状的几何...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾英诚，黄育智，戴志轩，郭婷婷，赖季晖，吴邦立，刘家宏，蔡豪益，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71