半导体装置的形成方法制造方法及图纸

一种半导体装置的形成方法包括形成鳍片突出于基板之上，形成栅极结构于鳍片之上，形成凹槽于邻近栅极结构的鳍片中；以及形成源极/漏极区域于凹槽中，源极/漏极区域包括第一膜层、第二膜层、及第三膜层。形成源极/漏极区域包括：在第一工艺条件下进行第一外延工艺以在凹槽中形成第一膜层，第一膜层沿着凹槽所露出的鳍片的表面延伸，在第二工艺条件下进行第二外延工艺以在第一膜层上形成第二膜层；以及在第三工艺条件下进行第三外延工艺以在第二膜层上形成第三膜层，第三膜层填充凹槽。第一工艺条件、第二工艺条件、及第三工艺条件不同。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本专利技术实施例涉及一种半导体装置的形成方法，且特别有关于一种包括鳍状场效晶体管(FinField-EffectTransistor，FinFET)的半导体装置的形成方法。
技术介绍
由于各种电子组件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度持续改善，半导体工业经历了快速成长。在大部分情况下，集成密度的改善来自重复减少最小部件尺寸，其允许在给定的面积中整合更多的组件。鳍状场效晶体管元件在集成电路中变得经常被使用。鳍状场效晶体管元件具有三维结构，其包括从基板突出的半导体鳍片。栅极结构环绕半导体鳍片，其用以控制鳍状场效晶体管元件的导电通道中电荷载子流动。例如，在三栅极(tri-gate)鳍状场效晶体管元件中，栅极结构环绕半导体鳍片的三侧面，因而在半导体鳍片的三侧面上形成导电通道。
技术实现思路
本专利技术实施例包括一种半导体装置的形成方法，包括：形成鳍片突出于基板之上，形成栅极结构于鳍片之上，形成凹槽于邻近栅极结构的鳍片中；以及形成源极/漏极区域于凹槽中，源极/漏极区域包括第一膜层、第二膜层、及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n形成一鳍片突出于一基板之上；/n形成一栅极结构于该鳍片之上；/n形成一凹槽于邻近该栅极结构的该鳍片中；以及/n形成一源极/漏极区域于该凹槽中，该源极/漏极区域包括一第一膜层、一第二膜层、及一第三膜层，其中形成该源极/漏极区域包括：/n在第一工艺条件下进行一第一外延工艺以在该凹槽中形成该第一膜层，该第一膜层沿着该凹槽所露出的该鳍片的表面延伸；/n在第二工艺条件下进行一第二外延工艺以在该第一膜层上形成该第二膜层；以及/n在第三工艺条件下进行一第三外延工艺以在该第二膜层上形成该第三膜层，该第三膜层填充该凹槽，其中该些第一工艺条件、该些第二工艺条件、及该些第三工...

【技术特征摘要】
20180928 US 62/738,654;20190528 US 16/424,0671.一种半导体装置的形成方法，包括：
形成一鳍片突出于一基板之上；
形成一栅极结构于该鳍片之上；
形成一凹槽于邻近该栅极结构的该鳍片中；以及
形成一源极/漏极区域于该凹槽中，该源极/漏极区域包括一第一膜层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：林资敬，林建智，朱峯庆，舒丽丽，李启弘，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71