半导体装置的形成方法制造方法及图纸

在一实施例中，方法包括：形成第一栅极堆叠与第二栅极堆叠于鳍状物上；蚀刻鳍状物以形成凹陷于第一栅极堆叠与第二栅极堆叠之间的鳍状物中；以及形成外延的源极/漏极区于凹陷中，包括：配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第一层衬垫凹陷的侧部与底部，以及在成长第一层之后，配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢于凹陷中，以成长第二层于第一层上，其中成长第一层时以第一流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者，而成长第二层时以第二流速配送硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、与氯化氢的每一者。

Forming method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本公开实施例关于半导体装置，更特别关于外延的源极/漏极区与其形成方法。
技术介绍
半导体装置用于多种电子应用，比如个人电脑、手机、数字相机、与其他电子设备。半导体装置的制作方法通常为依序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料于半导体基板上，再采用微影图案化多种材料层以形成电路构件与元件于半导体基板上。半导体产业持续缩小最小结构的尺寸，以持续改良多种电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容、或类似物)的集成密度，进而将更多构件整合至给定面积中。然而随着最小结构尺寸缩小，产生需解决的额外问题。
技术实现思路
本公开一实施例提供的半导体装置的形成方法包括：形成栅极堆叠于鳍状物上；蚀刻鳍状物以形成凹陷于与栅极堆叠相邻的鳍状物中；在第一成长制程时配送多个硅前驱物以形成源极/漏极区的第一层于凹陷中，且在第一成长制程时配送的硅前驱物具有第一组流速比例；以及在第二成长制程时配送硅前驱物以形成源极/漏极区的第二层于外延的源极/漏极区的第一层上，且在第二成长制程时配送的硅前驱物具有第二组流速比例，而第二组流速比例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n形成一栅极堆叠于一鳍状物上；/n蚀刻该鳍状物以形成一凹陷于与该栅极堆叠相邻的该鳍状物中；/n在一第一成长制程时配送多个硅前驱物以形成一源极/漏极区的一第一层于该凹陷中，且在该第一成长制程时配送的该些硅前驱物具有一第一组流速比例；以及/n在一第二成长制程时配送该些硅前驱物以形成该源极/漏极区的一第二层于该外延的源极/漏极区的该第一层上，且在该第二成长制程时配送的该些硅前驱物具有一第二组流速比例，而该第二组流速比例与该第一组流速比例不同，/n其中该第一成长制程的该些硅前驱物中，键结的气相硅原子与键结的气相氢原子总量对键结的气相氯原子量具有一第一比例；以及/n...

【技术特征摘要】
20180927 US 62/737,455;20190730 US 16/526,1631.一种半导体装置的形成方法，包括：
形成一栅极堆叠于一鳍状物上；
蚀刻该鳍状物以形成一凹陷于与该栅极堆叠相邻的该鳍状物中；
在一第一成长制程时配送多个硅前驱物以形成一源极/漏极区的一第一层于该凹陷中，且在该第一成长制程时配送的该些硅前驱物具有一第一组流速比例；以及

【专利技术属性】
技术研发人员：林资敬，林建智，朱峯庆，吴卓斌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71