半导体装置的形成方法制造方法及图纸

一种半导体装置的形成方法包含在基底之上设置多个第一半导体层和多个第二半导体层，其中第一半导体层和第二半导体层具有不同的材料组成且交错设置，且第一半导体层和第二半导体层在基底的第一区域和第二区域之上延伸；将第一半导体层和第二半导体层图案化，以在第一区域中形成第一鳍及在第二区域中形成第二鳍；从第一鳍和第二鳍移除第一半导体层，使得图案化的第二半导体层的第一部分在第一鳍中形成多个第一悬浮纳米结构，且图案化的第二半导体层的第二部分在第二鳍中形成多个第二悬浮纳米结构；在第二鳍中的第二悬浮纳米结构上形成多个第三半导体层；以及进行退火制程，以驱使第三半导体层中含有的材料进入对应的第二鳍中的第二悬浮纳米结构中。

Forming method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法
本专利技术实施例内容涉及一种半导体结构及半导体装置的形成方法，特别涉及一种双通道环绕式栅极(dualchannelgateallaround)晶体管装置及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路(integratedcircuit，IC)产业已经历了快速的成长。集成电路(IC)的材料与设计的技术发展已经创造了集成电路的多个世代，而各个世代相较于前一世代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演进的历程中，功能密度(亦即单位芯片面积的互连装置数量)普遍地增加，同时缩小几何尺寸(亦即使用生产制程可产生的最小组件(或线))。这种缩小化制程通常经由增加生产效率和降低相关成本来提供效益。这种缩小化制程也增加了集成电路的处理和制造的复杂性，而为了实现这些发展，需要在集成电路的处理和制造上进行类似的开发。举例而言，现已导入多栅极(multi-gate)装置，通过增加栅极通道耦合的效应以增进栅极控制、减小关闭状态(off-state)电流、以及减少短通道效应(short-channeleffects，SCE)。多栅极装置的一种是环绕式栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n提供一基底，在该基底上设置多个第一半导体层和多个第二半导体层，其中所述多个第一半导体层和所述多个第二半导体层具有不同的材料组成且在一垂直方向上交错设置，其中所述多个第一半导体层和所述多个第二半导体层各自在该基底的一第一区域和一第二区域之上延伸；/n将所述多个第一半导体层和所述多个第二半导体层图案化，以在该第一区域中形成一第一鳍及在该第二区域中形成一第二鳍；/n从该第一鳍和该第二鳍移除所述多个第一半导体层，使得图案化的所述多个第二半导体层的一第一部分在该第一鳍中形成多个第一悬浮纳米结构，且图案化的所述多个第二半导体层的一第二部分在该第二鳍中形成多个第二悬浮...

【技术特征摘要】
20180927 US 62/737,269;20190327 US 16/366,9461.一种半导体装置的形成方法，包括：
提供一基底，在该基底上设置多个第一半导体层和多个第二半导体层，其中所述多个第一半导体层和所述多个第二半导体层具有不同的材料组成且在一垂直方向上交错设置，其中所述多个第一半导体层和所述多个第二半导体层各自在该基底的一第一区域和一第二区域之上延伸；
将所述多个第一半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志豪，黄瑞乾，林群雄，江国诚，周智超，王培勋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71