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一种半导体装置的形成方法包含在基底之上设置多个第一半导体层和多个第二半导体层,其中第一半导体层和第二半导体层具有不同的材料组成且交错设置,且第一半导体层和第二半导体层在基底的第一区域和第二区域之上延伸;将第一半导体层和第二半导体层图案化,以...该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。
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一种半导体装置的形成方法包含在基底之上设置多个第一半导体层和多个第二半导体层,其中第一半导体层和第二半导体层具有不同的材料组成且交错设置,且第一半导体层和第二半导体层在基底的第一区域和第二区域之上延伸;将第一半导体层和第二半导体层图案化,以...