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一种半导体装置的形成方法包括形成鳍片突出于基板之上，形成栅极结构于鳍片之上，形成凹槽于邻近栅极结构的鳍片中；以及形成源极/漏极区域于凹槽中，源极/漏极区域包括第一膜层、第二膜层、及第三膜层。形成源极/漏极区域包括：在第一工艺条件下进行第一外...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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