半导体器件的制造方法、基板处理装置及程序制造方法及图纸

提供一种即使在基板发生了异常的状况下，检测基板状态的机构也会不与基板接触地检测基板状态的技术。根据本发明专利技术的一个实施方式，提供如下技术，具有：将载置有多枚基板的状态下的基板保持件搬入到反应管内的工序；向反应管内供给气体而对基板进行处理的工序；在对基板进行处理后将基板保持件从反应管搬出的工序；和在以能够移载基板的位置为基准使基板保持件旋转了规定角度的状态下对载置于基板保持件的基板进行检测的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体器件的制造方法、基板处理装置及程序
本专利技术涉及用于处理半导体器件等基板的半导体器件的制造方法、基板处理装置及程序。
技术介绍
公知如下基板处理装置(以下也简称为处理装置)，具有多层地保持基板(以下也称为晶片)的基板保持件(以下也称为舟皿)、和将基板移载到该舟皿的移载机，在舟皿中保持有多个基板的状态下通过处理炉对基板进行处理。在该处理装置中，在处理炉内升温时，或在从处理炉取出而冷却时，由于热应力而存在基板产生裂纹、翘曲等异常的情况。在该裂纹或翘曲处于无法通过基板自动搬送机构自动搬送的级别的情况下，取出放入基板的基板保持体(以下也称为镊子)会与基板发生碰撞而推倒舟皿，导致例如损坏石英制部件等重大事故。为了解决这个问题，可以想到设置检测基板状态的机构。例如，在专利文献1中，记载有如下内容：在移载机上设置光电传感器，使用移载机的上下轴来移动光电传感器，检测基板保持件的基板。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开2005-031851号公报
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种即使在基板发生异常的状况下，检测基板状态的机构也会不与基板接触地检测基板状态的技术。根据本专利技术的一个方案，提供一种技术，具有：将载置有多枚基板的状态下的基板保持件搬入到反应管内的工序；向反应管内供给气体而对基板进行处理的工序；在对基板进行处理后将基板保持件从反应管搬出的工序；和在以能够移载基板的位置为基准使基板保持件旋转了规定角度的状态下对载置于基板保持件的基板进行检测的工序。专利技术效果根据本专利技术，能够保持以往结构而不伴随难度改造，检测基板状态的机构不与基板接触地进行基板的检测。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式的基板处理装置的立体图。图2是图1所示的基板处理装置的侧面透视图。图3是表示作为本专利技术的一个实施方式的移载信息检测机构的一个例子的晶片异常检测装置的解说图。图4涉及本专利技术的一个实施方式，是表示控制多个基板处理装置的基板处理系统的控制器的一个例子的图。图5涉及本专利技术的一个实施方式，是表示基板处理系统的控制器的一个例子的框图。图6是表示使用了图3所示的晶片异常检测装置的晶片检测动作的一个实施例。图7是表示图6所示的使用了晶片异常检测装置的晶片检测动作的俯视图的一个实施例。图8A是表示使用了适合用于本专利技术的一个实施方式的晶片异常检测装置的晶片检测动作的俯视图的一个实施例。图8B是表示使用了适合用于本专利技术的一个实施方式的晶片异常检测装置的晶片检测动作的一个实施例。图9是用于说明适合用于本专利技术的一个实施方式的晶片检测动作的图。图10是表示适合用于本专利技术的一个实施方式的基板处理顺序例的图。具体实施方式在实施本专利技术的最佳方案中，基板处理装置为对基板进行氧化、扩散处理、CVD处理等的纵式基板处理装置(以下也简称为处理装置)，例如，用作半导体器件(IC)的制造方法中的处理装置。如图1及图2所示，在基板处理装置100中，作为收纳多枚基板(晶片)200的搬运器而使用基板收纳容器(以下称为晶片盒)110。在基板处理装置100的壳体111的正面壁111a的正面前方部，作为用于能够进行维护的开口部而开设有正面维护口103。在正面维护口103上，为了对其进行开闭而分别搭建有正面维护门104、104。在壳体111的正面壁111a上以将壳体111的内外连通的方式开设有晶片盒搬入搬出口112。晶片盒搬入搬出口112通过前挡板113而进行开闭。在晶片盒搬入搬出口112的正面前方侧，设置有装载口114。装载口114构成为载置晶片盒110并进行对位。晶片盒110通过工序内搬送装置(未图示)被搬入到装载口114上，且还被从装载口114上搬出。在壳体111内的前后方向的大致中央部，设置有旋转式晶片盒架105。旋转式晶片盒架105构成为保管多个晶片盒110。即，旋转式晶片盒架105具备垂直地立起设置且在水平面内间歇旋转的柱116、和在上中下层的各位置处呈放射状支承于柱116的多张架板(基板收纳器载置台)117，各架板117构成为在分别载置多个晶片盒110的状态下对其进行保持。在壳体111内的装载口114与旋转式晶片盒架105之间，设置有晶片盒搬送装置118，晶片盒搬送装置118由能够在保持着晶片盒110的状态下升降的晶片盒升降机(晶片盒升降机构)118a和晶片盒搬送机构118b构成，晶片盒搬送装置118构成为通过晶片盒升降机118a和晶片盒搬送机构118b的连续动作，在与装载口114、旋转式晶片盒架105、晶片盒打开器121之间搬送晶片盒110。在壳体111内的前后方向的大致中央部中的下部，到达后端地构建有副壳体119。在副壳体119的正面壁119a上沿垂直方向上下二层排列地开设有一对用于将作为基板的晶片200相对于副壳体119内搬入搬出的晶片搬入搬出口120，在上下层的晶片搬入搬出口120、120上分别设置有一对晶片盒打开器121、121。晶片盒打开器121具备载置晶片盒110的载置台122、和装拆晶片盒110的盖(盖体)的盖装拆机构123。晶片盒打开器121构成为通过盖装拆机构123对载置于载置台122的晶片盒110的盖进行装拆，从而对晶片盒110的晶片取放口进行开闭。副壳体119构成被相对于晶片盒搬送装置118、旋转式晶片盒架105的设置空间(以下也称为晶片盒搬送空间)流体性隔绝的移载室124。在移载室124的前侧区域设置有晶片移载机构125，晶片移载机构125由能够将晶片200沿水平方向旋转或直线移动的晶片移载装置125a及用于使晶片移载装置125a升降的晶片移载装置升降机125b构成。如图3所示，在晶片移载装置125a上安装有用于检测晶片200的移载状态的晶片异常检测装置(以后也称为晶片检测装置)400。例如，如图3所示，晶片异常检测装置400由能够旋转地安装于晶片移载装置125a的两侧部的一对检测臂401、401、和用于使一对检测臂401、401旋转驱动的致动器(未图示)构成。在检测臂401上，设有晶片位置检测传感器S1(以后称为传感器S1)和晶片飞出检测传感器S2(以后称为传感器S2)。像这样，即使发生晶片飞出也能够基于传感器S2进行检测。此外，舟皿217的图示省略。如图1示意地所示，晶片移载装置升降机125b设置在耐压壳体111右侧端部与副壳体119的移载室124前方区域右端部之间。通过这些晶片移载装置升降机125b及晶片移载装置125a的连续移动体，构成为将晶片移载装置125a的镊子(基板保持体)125c作为晶片200的载置部，对舟皿(基板保持件)217进行晶片200的装填(装入)及回收(卸下)。在移载室124的后侧区域，构成有收纳舟皿217并使其待机的待机部126。在待机部126的上方，设有处理炉202，处理炉202的下端部构成为通过炉口挡板(炉口开闭机构)147进行开闭。另外，在耐压壳体111右侧端部与副壳体119的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：/n将载置有多枚基板的状态下的基板保持件搬入到反应管内的工序；向所述反应管内供给气体而对所述基板进行处理的工序；在对所述基板进行处理后将所述基板保持件从所述反应管搬出的工序；和在以能够移载所述基板的位置为基准使所述基板保持件旋转了规定角度的状态下对载置于所述基板保持件的所述基板进行检测的工序。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：
将载置有多枚基板的状态下的基板保持件搬入到反应管内的工序；向所述反应管内供给气体而对所述基板进行处理的工序；在对所述基板进行处理后将所述基板保持件从所述反应管搬出的工序；和在以能够移载所述基板的位置为基准使所述基板保持件旋转了规定角度的状态下对载置于所述基板保持件的所述基板进行检测的工序。


2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
还具有使所述基板保持件旋转第2规定角度而对载置于所述基板保持件的所述基板的裂纹进行检测的工序。


3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
还具有使所述基板保持件反转所述规定角度而对载置于所述基板保持件的所述基板的裂纹进行检测的工序。


4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
构成为还具有对保持于所述基板保持件的所述基板及配置有所述基板保持件的移载室进行冷却的冷却工序，在所述冷却工序后，使所述基板保持件旋转规定角度。


5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
构成为还具有将多个所述基板移载到所述基板保持件的工序，在移载的工序后且在搬入的工序前，使所述基板保持件旋转规定角度。


6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
构成为还具有将多枚基板载置于基板保持体并经由所述基板保持体将所述基板移载到所述基板保持件的移载工序，当在所述移载工序之前所述基板保持体发生了异常时，在消除所述异常之前不移载所述基板。


7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，
构成为通过所述移载装置在从初始位置移动至装填位置后返回了预先指定的距离时暂时停止，其中在所述装填位置将所述基板从所述基板保持体装填到所述基板保持件。


8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有：
将载置有多枚基板的状态下的基板保持件搬入到反应管内的工序；向所述反应管内供给气体而对所述基板进行处理的工序；在对所述基板进行处理后将所述基板保持件从所述反应管搬出的工序；和在搬入所述基板保持件的工序前在以能够移载所述基板的位置为基准使所述基板保持件...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫田智之，安彦一，川崎润一，冈崎正，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：日本;JP