内衬及反应腔室制造技术

本发明专利技术提供一种内衬及反应腔室，该内衬包括：内衬主体；环形匀流板，与内衬主体的底部固定连接，且在环形匀流板中设置有沿其周向均匀分布的多个第一通孔；调节板，与环形匀流板叠置，且在调节板中设置有与多个第一通孔一一对应的多个第二通孔；在调节板位于第一位置时，第二通孔在环形匀流板上的正投影与位于环形匀流板的指定区域中的、且与其对应的第一通孔的重合面积最大；在调节板位于第二位置时，第二通孔与第一通孔上述的重合面积最小；在调节板自第一位置向第二位置移动时，各个第二通孔在环形匀流板上的正投影和与之对应的第一通孔的重合面积逐渐减小。应用本发明专利技术，可以实现对反应腔室内流场的调节。

Lining and reaction chamber

【技术实现步骤摘要】
内衬及反应腔室
本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种内衬及反应腔室。
技术介绍
目前，在半导体制造领域，反应腔室作为工艺反应的载体，是半导体设备的关键组成部分。在半导体产品的制造过程中，通常需要对腔室进行抽真空，其中，某些腔室(如侧下抽真空腔室)由于硬件结构的不对称性，导致抽真空时大部分气体直接从近泵口处被抽走，而远泵口处的抽真空气流较少，最终导致反应腔室内的气流场、压力场和密度场的不均匀。而气流场、压力场及密度场的均匀性通常与工艺的均匀性有密切关系，所以，若反应腔室内气流场、压力场、密度场等不均匀，则将直接影响工艺的均匀性，影响产品的质量。现有技术中，为了改善反应腔室内的气流场、压力场、密度场的均匀性，通常在反应腔室内环绕设置有内衬结构，并在内衬结构的底部开设栅格孔，由于栅格孔的孔隙率可直接影响抽气通道的面积，所以，可通过设置合适的孔隙率，对反应腔室内的气流场、压力场、密度场的均匀性进行改善。但是采用现有的内衬结构，反应腔室内近泵口侧的气流分布较为密集且流速较大，远泵口侧的气流分布较为稀疏且流速较小，从而导致本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内衬，用于改善反应腔室内的气流环境，其特征在于，包括：/n内衬主体；/n环形匀流板，与所述内衬主体的底部固定连接，且在所述环形匀流板中设置有沿其周向均匀分布的多个第一通孔；/n调节板，与所述环形匀流板叠置，且在所述调节板中设置有与多个所述第一通孔一一对应的多个第二通孔；/n所述调节板至少能够在第一位置和第二位置之间移动，其中，在所述调节板位于所述第一位置时，所述第二通孔在所述环形匀流板上的正投影与位于所述环形匀流板的指定区域中的、且与其对应的所述第一通孔的重合面积最大；在所述调节板位于所述第二位置时，所述第二通孔在所述环形匀流板上的正投影与位于所述指定区域中的、且与其对应的所述第一通孔...

【技术特征摘要】
1.一种内衬，用于改善反应腔室内的气流环境，其特征在于，包括：
内衬主体；
环形匀流板，与所述内衬主体的底部固定连接，且在所述环形匀流板中设置有沿其周向均匀分布的多个第一通孔；
调节板，与所述环形匀流板叠置，且在所述调节板中设置有与多个所述第一通孔一一对应的多个第二通孔；
所述调节板至少能够在第一位置和第二位置之间移动，其中，在所述调节板位于所述第一位置时，所述第二通孔在所述环形匀流板上的正投影与位于所述环形匀流板的指定区域中的、且与其对应的所述第一通孔的重合面积最大；在所述调节板位于所述第二位置时，所述第二通孔在所述环形匀流板上的正投影与位于所述指定区域中的、且与其对应的所述第一通孔的重合面积最小；在所述调节板自所述第一位置向所述第二位置移动时，各个所述第二通孔在所述环形匀流板上的正投影和与之对应的所述第一通孔的重合面积逐渐减小。


2.根据权利要求1所述的内衬，其特征在于，在所述调节板位于所述第一位置时，各个所述第二通孔在所述环形匀流板上的正投影一一对应地与位于所述指定区域中的各个所述第一通孔完全重合；和/或，
在所述调节板位于所述第二位置时，各个所述第二通孔在所述环形匀流板上的正投影一一对应地与位于所述指定区域中的各个所述第一通孔完全交错。


3.根据权利要求1或2所述的内衬，其特征在于，所述调节板包括呈圆弧状的匀...

【专利技术属性】
技术研发人员：戎艳天，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11