用于从腔室排出气体的设备及方法技术

本公开提供用于从一腔室泵送气体的设备及方法。在一范例中，公开一种用于从一化学气相沉积腔室排出气体的设备。此设备包括：一壳体以及一涂层。壳体包括一内表面及与化学气相沉积腔室流体连通的至少一入口。涂层在内表面上。涂层配置以使内表面为疏水性。

【技术实现步骤摘要】
用于从腔室排出气体的设备及方法
本公开实施例是关于一种用于从腔室排出气体的设备及方法。
技术介绍
半导体集成电路晶圆通过多个制造制程生产，制程可包括例如热氧化、扩散、离子布植(ionimplantation)、快速热处理(rapidthermalprocessing，RTP)、化学气相沉积(chemicalvapordeposition，CVD)、物理气相沉积(chemicalvapordeposition，PVD)、外延(epitaxy)、蚀刻、微影等。作为典型的制造制程(例如化学气相沉积制程)的一部分，所选择的气体输入到用于在基板上形成薄膜的反应腔室。这种薄膜不仅沉积在基板上，还沉积在反应腔室的墙及其它暴露表面上。然后将气体泵出反应腔室进入泵送装置，例如真空泵。但是因为只有一小部分输入到腔室中的气体实际上是在沉积过程中消耗，从腔室泵出的气体包含仍处于高反应状态的化合物及/或含有可在泵中形成沉积物的残留物或颗粒物质。这些沉积物会随着时间而堵塞泵及连接到其上的泵送管线、干扰真空泵的正常操作、并缩短泵的使用寿命。另外，沉积的材料可能移动回到腔室中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于从腔室排出气体的设备，包括：/n一壳体，包括一内表面以及与一腔室流体连通的至少一入口，其中该腔室为一化学气相沉积腔室；以及/n一涂层，在该内表面上，其中该涂层配置以使该内表面为疏水性。/n

【技术特征摘要】
20180921 US 62/734,423;20190618 US 16/444,4761.一种用于从腔室排出气体的设备，包括：
一壳体，包括一内表面以及与一腔室流体连通的至少一入口，其中该腔室为一化学气相沉积腔室；以及
一涂层，在该内表面上，其中该涂层配置以使该内表面为疏水性。


2.如权利要求1所述的用于从腔室排出气体的设备，其中该涂层配置以使该内表面具有大于120度的一水接触角。


3.如权利要求1所述的用于从腔室排出气体的设备，更包括：
多个涡轮叶片，在该壳体内部，且被该内表面围绕，其中该内表面与该等涡轮叶片之间具有一间隙，使得该等涡轮叶片在该等涡轮叶片的泵送操作期间不会损坏该涂层。


4.如权利要求1所述的用于从腔室排出气体的设备，更包括一输入泵送管线，该输入泵送管线将该化学气相沉积腔室流体连接到该至少一入口，其中：
该等气体通过该输入泵送管线被泵出该化学气相沉积腔室；
该输入泵送管线的一内表面具有一第二涂层，配置以使该输入泵送管线的该内表面为疏水性；以及
该至少一入口的一内表面具有一第三涂层，配置以使该至少一入口的该内表面为疏水性。


5.如权利要求1所述的用于从腔室排出气体的设备，更包括一输出泵送管线，该输出泵送管线将该壳体的一出口流体连接到一洗...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄逢志，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71