真空处理装置和真空处理装置的控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供真空处理装置和真空处理装置的控制方法。在减压环境下对被处理体进行规定的处理的真空处理装置具有：处理模块，其形成有真空处理室，真空处理室的室内被减压，在真空处理室内对被处理体进行规定的处理；真空搬送模块，其形成有以与真空处理室之间隔着隔断阀的方式设置的真空搬送室，真空搬送室的室内被保持为减压状态且设置有用于搬送被处理体的搬送机构；气体供给机构，其向真空搬送室供给至少用于防止氧化的规定的气体；以及控制部，其控制气体供给机构，其中，在空闲状态下，控制部控制气体供给机构以向真空搬送室供给规定的气体，进行调整以使空闲状态下的真空搬送室的氧浓度比将真空搬送室设为抽真空状态的情况下的氧浓度低。

【技术实现步骤摘要】
真空处理装置和真空处理装置的控制方法
本公开涉及一种真空处理装置和真空处理装置的控制方法。
技术介绍
专利文献1公开了一种真空处理装置，该真空处理装置构成为：在利用在构成成膜模块的真空处理室与加载互锁室之间设置的真空搬送室来搬送在成膜模块中完成成膜处理的基板时，抑制在基板的被处理面的整个面内发生氧化。在该真空处理装置中，沿完成成膜处理的基板的搬送区域以遍及该搬送区域的整体的方式设置有用于向基板的被处理面侧供给非活性气体的非活性气体供给部。基于该结构，一边使被处理面暴露在非活性气体中一边搬送基板，由此针对整个被处理面抑制水分的附着，从而抑制整个被处理面的氧化。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2016-4834号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题本公开所涉及的技术在真空处理装置刚刚从空闲状态恢复的时间点抑制被处理体发生氧化。用于解决问题的方案本公开的一个方式是在减压环境下对被处理体进行规定的处理的真空处理装置，所述真空处理装置具有：处理模块，其形成有真空处理室，所述真空处理室的室内被减压，在所述真空处理室内被对被处理体进行所述规定的处理；真空搬送模块，其形成有真空搬送室，所述真空搬送室以与所述真空处理室之间隔着隔断阀的方式设置，该真空搬送室的室内被保持为减压状态，并且在该真空搬送室的室内设置有用于与所述真空处理室之间进行被处理体的搬送的搬送机构；气体供给机构，其向所述真空搬送室供给至少用于防止氧化的规定的气体；以及控制部，其控制所述气体供给机构，其中，在不利用该真空处理装置对被处理体进行处理的空闲状态下，所述控制部控制所述气体供给机构以向所述真空搬送室供给所述规定的气体，并且进行调整以使所述空闲状态下的该真空搬送室的氧浓度比将该真空搬送室被设为抽真空状态的情况下的氧浓度低。专利技术的效果根据本公开，在真空处理装置刚刚从空闲状态恢复的时间点能够抑制被处理体发生氧化。附图说明图1是表示从进行切换使得真空搬送室成为抽真空状态起的经过时间与该真空搬送室内的压力及氧浓度之间的关系的图。图2是从使真空搬送室成为抽真空状态之后的空闲状态起重新开始供给氮气体而恢复时的、从重新开始供给氮气体起的经过时间与真空搬送室内的压力及氧浓度之间的关系的图。图3是表示第一实施方式所涉及的真空处理装置的结构的概要的俯视图。图4是用于说明控制真空搬送室内的气氛的机构的概要的图。图5是表示真空搬送室内的设定压力与氮气体流量之间的关系的图。图6是表示真空搬送室内的设定压力与该真空搬送室内的氧浓度之间的关系的图。图7是表示第一实施方式的变形例所涉及的真空搬送室的概要结构例的图。图8是表示第二实施方式所涉及的真空处理装置的结构的概要的说明图。具体实施方式在半导体装置的制造过程中，在减压环境下对半导体晶圆(以下称作“晶圆”)等被处理体进行成膜处理、蚀刻处理等规定的处理。作为进行该处理的真空处理装置，具有：真空处理室，该真空处理室的室内被减压，在所述真空处理室内进行上述规定的处理；以及真空搬送室，其设置有用于与真空处理室之间进行被处理体的搬送的搬送机构，并且该真空搬送室的室内被保持为减压状态。专利文献1的真空处理装置构成为：沿完成成膜处理的基板的搬送区域以遍及该搬送区域的整体的方式设置有用于向基板的被处理面侧供给非活性气体的非活性气体供给部。通过该结构，防止在高温下进行了成膜处理的晶圆的被处理面在成膜处理后进行基板搬送时由于真空搬送室内的微量的水分而氧化。另外，真空处理装置为了防止在设置于真空搬送室的构成晶圆的搬送机构的搬送臂上成膜、搬送臂的腐蚀等，有时在对晶圆进行处理时向真空搬送室供给氮气体等，来将真空搬送室的压力调节为相对于真空处理室为正压。另外，真空处理装置存在不对晶圆进行处理的空闲状态。以往，在该空闲状态下，为了对真空处理装置的真空搬送室进行减压而进行排气，但为了削减成本等，停止对真空搬送室供给气体。也就是说，在空闲状态下，使真空搬送室成为抽真空状态(最高真空度)。而且，即使像这样在空闲状态下使真空搬送室成为抽真空状态，在晶圆的被处理面的氧化的观点看来也没有特别的问题。但是，随着半导体装置的精细化取得进一步进展，即使以往不会成为问题的轻微氧化有时也给半导体装置的电气特性带来影响。另外，本专利技术的专利技术人们经过认真调查，明确了如图1和图2所示的点。图1是表示从停止向真空搬送室供给氮气体起的经过时间、即从进行切换使得真空搬送室成为抽真空状态起的经过时间与该真空搬送室内的压力及氧浓度之间的关系的图。另外，图2是表示从使真空搬送室成为抽真空状态的空闲状态起重新开始供给氮气体而恢复时的、从重新开始供给氮气体起的经过时间与真空搬送室内的压力及氧浓度之间的关系的图。在图1和图2中，横轴表示时刻，纵轴表示真空搬送室内的压力和氧浓度。另外，在为了得到图2的结果而进行的试验中，控制向该真空搬送室供给氮气体的供给压力，以在对晶圆进行处理的动作状态下使真空搬送室内的压力相对于真空处理室成为106Pa的正压。而且，在真空搬送室内的压力稳定为106Pa后，经由真空搬送室将在加载互锁室内待机的晶圆搬送至真空处理室内，在真空处理室中对该晶圆实施处理之后使该晶圆从真空处理室返回真空搬送室。如图1所示，从停止供给氮气体的时刻(23点左右)起，真空搬送室内的氧浓度随时间经过而上升，另外，即使在真空搬送室成为抽真空状态之后该氧浓度也继续上升。在图中的例子中，在从停止供给氮气体的起经过约9小时且真空搬送室内的压力为3.2Pa时，氧浓度上升至3.4ppm。另外，如图2所示，即使重新开始供给氮气体来从空闲状态恢复并且真空搬送室内的压力成为规定的压力(106Pa)，在从空闲状态刚刚恢复的时间点真空搬送室内的氧浓度也没有完全下降。省略图示，但尤其在恢复后对第一张晶圆进行的成膜处理等规定的处理结束且要将该晶圆从真空处理室向真空搬送室搬出的时间点，真空搬送室内的氧浓度没有完全下降。像这样，当在空闲状态时真空搬送室内的氧浓度上升时，需要时间来返回原来的氧浓度。而且，在使晶圆从真空处理室返回真空搬送室的时间点，有时晶圆的温度为400℃以上，在该时间点，如果真空搬送室内的氧浓度高，则由于氧化而引起晶圆的被处理面劣化的风险增加。专利文献1没有公开这一点。因此，本公开所涉及的技术在真空处理装置刚刚从空闲状态恢复的时间点抑制被处理体氧化。下面，参照附图来说明本实施方式所涉及的基板处理装置和检查方法。此外，在本说明书和附图中，对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的标记，由此省略重复说明。(第一实施方式)图3是表示真空处理装置1的结构的概要的俯视图。真空处理装置1在减压环境下对作为被处理体的晶圆W进行例如成膜处理、扩散处理、蚀刻处理等规定的处理。真空处理装置1具有将用于搬出和搬入能够收容多个晶圆W的承载件C的承载件交接站10和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空处理装置，在减压环境下对被处理体进行规定的处理，所述真空处理装置具有：/n处理模块，其形成有真空处理室，所述真空处理室的室内被减压，在所述真空处理室内对被处理体进行所述规定的处理；/n真空搬送模块，其形成有真空搬送室，所述真空搬送室以与所述真空处理室之间隔着隔断阀的方式设置，该真空搬送室的室内被保持为减压状态，并且在该真空搬送室的室内设置有用于与所述真空处理室之间进行被处理体的搬送的搬送机构；/n气体供给机构，其向所述真空搬送室供给至少用于防止氧化的规定的气体；以及/n控制部，其控制所述气体供给机构，/n其中，在不利用该真空处理装置对被处理体进行处理的空闲状态下，所述控制部控制所述气体供给机构以向所述真空搬送室供给所述规定的气体，并且进行调整以使所述空闲状态下的该真空搬送室的氧浓度比将该真空搬送室被设为抽真空状态的情况下的氧浓度低。/n

【技术特征摘要】
20180925 JP 2018-1792071.一种真空处理装置，在减压环境下对被处理体进行规定的处理，所述真空处理装置具有：
处理模块，其形成有真空处理室，所述真空处理室的室内被减压，在所述真空处理室内对被处理体进行所述规定的处理；
真空搬送模块，其形成有真空搬送室，所述真空搬送室以与所述真空处理室之间隔着隔断阀的方式设置，该真空搬送室的室内被保持为减压状态，并且在该真空搬送室的室内设置有用于与所述真空处理室之间进行被处理体的搬送的搬送机构；
气体供给机构，其向所述真空搬送室供给至少用于防止氧化的规定的气体；以及
控制部，其控制所述气体供给机构，
其中，在不利用该真空处理装置对被处理体进行处理的空闲状态下，所述控制部控制所述气体供给机构以向所述真空搬送室供给所述规定的气体，并且进行调整以使所述空闲状态下的该真空搬送室的氧浓度比将该真空搬送室被设为抽真空状态的情况下的氧浓度低。


2.根据权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，
在利用该真空处理装置对被处理体进行处理的动作状态下，所述控制部控制所述气体供给机构以向所述真空搬送室供给所述规定的气体，并且进行调整以使所述动作状态下的该真空搬送室的压力比所述真空处理室的压力大，
并且，所述控制部控制所述气体供给机构，以使所述空闲状态时的所述真空搬送室的压力比所述动作状态时的所述真空搬送室的压力小。


3.根据权利要求1或2所述的真空处理装置，其特征在于，
还具有压力检测部，所述压力检测部检测所述真空搬送室的压力，
在所述空闲状态下，所述控制部基于所述压力检测部的检测结果控制所述气体供给机构，来调整所述空闲状态下的所述真空搬送室的氧浓度。


4.根据权利要求3所述的真空处理装置，其特征在于，
所述气体供给机构具有压力控制阀，该压力控制阀调整向所述真空搬送室供给所述规定的气体的供给压力，
在所述空闲状态下，所述控制部基于所述压力检测部的检测结果控制所述压力控制阀，来调整该空闲状态下的所述真空搬送室的氧浓度。


5.根据权利要求3或4所述的真空处理装置，其特征在于，
在所述空闲状态下，在规定的定时变更该空闲状态下的所述真空搬送室的设定压力。


6.根据权利要求5所述的真空处理装置，其特征在于，
在所述空闲状态下，定期地变更该空闲状态下的所述真空搬送室的...

【专利技术属性】
技术研发人员：石桥诚之，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP