半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

公开了半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的顶表面上形成再分布线；和形成钝化层以覆盖半导体衬底的顶表面上的再分布线。形成再分布线包括：在半导体衬底的顶表面上形成再分布线的第一区段的第一阶段，以及在再分布线的第一区段上形成再分布线的第二区段的第二阶段。再分布线的第二区段的平均晶粒尺寸小于再分布线的第一区段的平均晶粒尺寸。

Semiconductor device and manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法相关申请的交叉引用该非临时申请要求于2018年8月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0096751的优先权，其全部内容通过引用结合于此。
本专利技术构思涉及半导体装置和/或其制造方法，并且更具体地，涉及包括再分布层的半导体装置和/或制造该半导体装置的方法。
技术介绍
半导体装置由于其小尺寸、多功能性和/或低制造成本而在电子工业中是有益的。随着电子工业的发展，半导体装置变得高度集成。为了更高的集成度，正在减小半导体装置的图案的线宽。然而，需要新的和/或廉价的曝光技术来限定更精细的图案。因此，难以高度集成半导体装置。因此，已经对新的集成技术进行了各种研究。随着半导体装置中的性能和集成的进步，已经开发了用于制造具有较高信号传输速率和紧凑尺寸的半导体装置或封装件的技术。例如，再分布线被用于减小尺寸并增加半导体装置的电气特性。
技术实现思路
本专利技术构思的一些示例实施例提供了具有改进的结构稳定性的半导体装置和/或制造该半导体装置的方法。本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：/n提供半导体衬底；/n在所述半导体衬底的顶表面上形成再分布线；以及/n形成钝化层以覆盖所述半导体衬底的所述顶表面上的所述再分布线，/n其中形成所述再分布线包括：/n第一阶段，在所述半导体衬底的所述顶表面上形成所述再分布线的第一区段，和/n第二阶段，在所述再分布线的所述第一区段上形成所述再分布线的第二区段，并且/n其中，所述再分布线的所述第二区段的平均晶粒尺寸小于所述再分布线的所述第一区段的平均晶粒尺寸。/n

【技术特征摘要】
20180820 KR 10-2018-00967511.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底的顶表面上形成再分布线；以及
形成钝化层以覆盖所述半导体衬底的所述顶表面上的所述再分布线，
其中形成所述再分布线包括：
第一阶段，在所述半导体衬底的所述顶表面上形成所述再分布线的第一区段，和
第二阶段，在所述再分布线的所述第一区段上形成所述再分布线的第二区段，并且
其中，所述再分布线的所述第二区段的平均晶粒尺寸小于所述再分布线的所述第一区段的平均晶粒尺寸。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一阶段和所述第二阶段被连续地执行。


3.根据权利要求2所述的方法，其中
所述第一阶段和所述第二阶段中的每一个包括电镀工艺，并且
在所述第一阶段中施加的电压大于在所述第二阶段中施加的电压。


4.根据权利要求2所述的方法，其中
所述第一阶段和所述第二阶段中的每一个包括电镀工艺，并且
用于所述第一阶段的电镀溶液的浓度大于用于所述第二阶段的电镀溶液的浓度。


5.根据权利要求2所述的方法，其中，电镀溶液被用于所述第二阶段并且包括晶粒细化剂。


6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一阶段和所述第二阶段在相同的镀液中执行。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一区段的底表面的粗糙度大于所述第二区段的顶表面的粗糙度。


8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述再分布线的所述第二区段的所述平均晶粒尺寸小于所述再分布线的所述第一区段的所述平均晶粒尺寸的70％。


9.根据权利要求1所述的方法，其中
形成所述再分布线还包括：第三阶段，在执行所述第一阶段之前在所述半导体衬底的所述顶表面上形成所述再分布线的第三区段，使得执行所述第一阶段在所述第三区段上形成所述第一区段。


10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述再分布线的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦正起，崔朱逸，郑泰和，藤崎纯史，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR