一种伪栅移除的方法技术

本发明专利技术提供了一种伪栅移除的方法，能够高效去除伪栅结构并且能够防止在去除伪栅过程中的残余物导致的芯片失效和低良率问题。该方法通过降低伪栅高度进而降低刻蚀槽的深宽比，从而减少由于高深宽比对刻蚀形成的残余物排出的消极影响，实现了对残余物量的抑制。对于可能的残余物，通过氧化处理刻蚀剩余的伪栅表面，从而实现分解和清除聚合物残余物的目的。此外，针对湿法刻蚀过程中的气泡阻碍刻蚀问题，我们通过引入气泡释放剂来释放湿法刻蚀伪栅表面形成的气泡，并通过对腔室的低真空处理，加速气泡的排出。

A method of removing pseudo gate

【技术实现步骤摘要】
一种伪栅移除的方法
本专利技术涉及半导体集成电路芯片制造工艺制造领域，特别涉及一种伪栅移除的方法。
技术介绍
当代集成电路工业的高速发展往往伴随着工艺和技术的不断突破。摩尔定律不断的激发着相关企业和科研工作者寻求在更小工艺节点上的突破，比如14nm、10nm、7nm等等。为了减小栅极尺寸的同时控制短沟道效应，提出了高K金属栅(HKMG，HighKMetalGate)晶体管，即采用高K介质材料取代常规的氧化硅等材料作为晶体管的栅介质层，采用金属材料取代常规的多晶硅材料作为晶体管的栅电极层。HKMG工艺专利技术使得器件尺寸进一步缩小，集成密度进一步提高。金属电极结合高介电常数绝缘层替代了传统的多晶硅栅极，并极大的改善了器件性能。在栅最后工艺中，首先进行多晶硅伪栅的生长，随后进行漏源的生长。在一系列工艺流程后，HKMG栅极会留到最后。通常会对多晶硅伪栅(dummygate)顶部的介电层进行化学机械抛光，以露出多晶硅伪栅，然后通过一系列干湿法刻蚀工艺清除多晶硅，露出沟槽。随后进行HKMG工艺，生长真正的金属栅极。在现有半导体多晶硅伪栅去除工艺中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种伪栅移除的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤S01：在衬底结构上形成伪栅结构；/n步骤S02：降低所述衬底结构上的所述伪栅结构的高度；/n步骤S03：对所述伪栅进行干法刻蚀，去除部分伪栅结构，形成凹槽结构；/n步骤S04：对所述凹槽结构中暴露出的所述伪栅结构进行氧化处理；/n步骤S05：去除所述伪栅结构表面的氧化物层；/n步骤S06：清洗所述凹槽结构中的所述伪栅结构的表面；/n步骤S07：在低真空环境下采用湿法刻蚀去除剩下的所述伪栅结构，所述湿法刻蚀的溶液中添加有气泡释放剂。/n

【技术特征摘要】
1.一种伪栅移除的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01：在衬底结构上形成伪栅结构；
步骤S02：降低所述衬底结构上的所述伪栅结构的高度；
步骤S03：对所述伪栅进行干法刻蚀，去除部分伪栅结构，形成凹槽结构；
步骤S04：对所述凹槽结构中暴露出的所述伪栅结构进行氧化处理；
步骤S05：去除所述伪栅结构表面的氧化物层；
步骤S06：清洗所述凹槽结构中的所述伪栅结构的表面；
步骤S07：在低真空环境下采用湿法刻蚀去除剩下的所述伪栅结构，所述湿法刻蚀的溶液中添加有气泡释放剂。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述伪栅结构的材料为多晶硅伪栅。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S02中通过使用化学机械抛光工艺降低所述伪栅的高度，并且通过所述抛光工艺去除的伪栅高度为原始伪栅高度的10％～20％。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S03中的所述第一干法刻蚀为反应离子刻蚀RIE，并且形成凹槽结构的深度为所述降低高度后的伪栅高度的10％-40％。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S04中，采用臭氧对所述凹槽结构中暴露出的所述伪栅结构进行氧化处理，采用的所述臭氧为纯度在99.9％以上的高纯度臭氧，所述氧化处理时臭氧的流量为50毫升/分钟至150毫升/分钟，处理时间为...

【专利技术属性】
技术研发人员：林健，洪波，
申请(专利权)人：海光信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12