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本发明提供了一种伪栅移除的方法，能够高效去除伪栅结构并且能够防止在去除伪栅过程中的残余物导致的芯片失效和低良率问题。该方法通过降低伪栅高度进而降低刻蚀槽的深宽比，从而减少由于高深宽比对刻蚀形成的残余物排出的消极影响，实现了对残余物量的抑制。...
该专利属于海光信息技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海光信息技术有限公司授权不得商用。

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