一种功率半导体加工方法及功率半导体技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种功率半导体加工方法，其中功率半导体加工方法包括：生长栅氧化层及多晶硅层，并对多晶硅层进行光刻刻蚀；注入及推进形成P－well结；进行N+离子注入及退火形成N+结；然后对所述多晶硅层进行纵向刻蚀，并去除掉两个所述P－well结之间对应的多晶硅层部分，以减小栅极电容区域，两个所述P－well结间距定义为L，两个所述P－well结之间被刻蚀掉多晶硅层的宽度为L1，所述L1≤L，本方案通过对多晶硅层进行刻蚀，去除掉两个所述P－well结之间对应的多晶硅层部分，减小栅极电容的面积，降低栅极电容，提高了产品的整体性能。

A power semiconductor processing method and power semiconductor

【技术实现步骤摘要】
一种功率半导体加工方法及功率半导体
本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种功率半导体加工方法及功率半导体。
技术介绍
金属－氧化物半导体场效应晶体管(Metal－Oxide－SemiconductorField－EffectTransistor，MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管，在平面MOSFET或IGBT产品中，栅电容对产品的动态参数影响很大。如果产品栅电容比较大，栅极加电压就会需要更长的充电时间，影响器件的开关速度，造成开关损耗变大，器件的能效表现就会差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种功率半导体加工方法及功率半导体，其能够解决功率半导体中栅极电容问题。本专利技术的实施例是这样实现的：一种功率半导体加工方法，包括：生长栅氧化层及多晶硅层，并对多晶硅层进行光刻刻蚀；注入及推进形成P－well结；进行N+离子注入及退火形成N+结；然后对所述多晶硅层进行纵向刻蚀，并去除掉两个所述P－well结之间对应的多晶硅层部分，以减小栅极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体加工方法，其特征在于，包括：/n生长栅氧化层(2)及多晶硅层(3)，并对多晶硅层(3)进行光刻刻蚀；/n注入及推进形成P－well结(8)；/n进行N+离子注入及退火形成N+结(9)；/n然后对所述多晶硅层(3)进行纵向刻蚀，并去除掉两个所述P－well结(8)之间对应的多晶硅层(3)部分，以减小栅极电容区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率半导体加工方法，其特征在于，包括：
生长栅氧化层(2)及多晶硅层(3)，并对多晶硅层(3)进行光刻刻蚀；
注入及推进形成P－well结(8)；
进行N+离子注入及退火形成N+结(9)；
然后对所述多晶硅层(3)进行纵向刻蚀，并去除掉两个所述P－well结(8)之间对应的多晶硅层(3)部分，以减小栅极电容区域。


2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，两个所述P－well结(8)间距定义为L，两个所述P－well结(8)之间被刻蚀掉多晶硅层(3)的宽度为L1，所述L1≤L。


3.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，采用光刻工艺对所述多晶硅层(3)进行刻蚀。


4.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭依腾，史波，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，珠海零边界集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44