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本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种功率半导体加工方法，其中功率半导体加工方法包括：生长栅氧化层及多晶硅层，并对多晶硅层进行光刻刻蚀；注入及推进形成P－well结；进行N+离子注入及退火形成N+结；然后对所述多晶硅层进行纵向刻蚀，并...该专利属于珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司授权不得商用。