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公开了半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的顶表面上形成再分布线；和形成钝化层以覆盖半导体衬底的顶表面上的再分布线。形成再分布线包括：在半导体衬底的顶表面上形成再分布线的第一区段的第一阶段，以及在再分布线的第一区...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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