本发明专利技术涉及一种化合物及其应用，所述化合物具有式I至式VI任意一种所示的结构，本发明专利技术的化合物以茚并氧芴(或茚并硫芴)为母核基团，并取代有特定结构的N杂苯环(A基团)，使得化合物具有较浅HOMO和合适LUMO值，可以有效提高电子传输能力，同时有效阻挡空穴，此外，化合物具有较高的三线态能级，高的电子迁移率，优异的热稳定性和薄膜稳定性，该化合物应用于有机光电装置能够提高装置的发光效率，降低驱动电压，延长使用寿命。
A compound and its application
【技术实现步骤摘要】
一种化合物及其应用
本专利技术涉及有机电致发光
，尤其涉及一种化合物及其应用。
技术介绍
目前，关于有机电致发光器件(OLED)的研究成为焦点，除了通过改变有机电致发光器件的结构来提高其性能，对于器件各功能层材料的选择也是至关重要的，其中，传统电致发光器件中使用的电子传输材料是Alq3，但Alq3的电子迁移率比较低(大约在10-6cm2/Vs)，使得器件的电子传输与空穴传输不均衡。随着电发光器件产品化和实用化，人们希望得到传输效率更高、使用性能更好的电子传输材料，在这一领域，研究人员做了大量的探索性工作。LG化学的世界专利(公开号W02007/011170Al和CN101003508A)分别报道了一系列萘并咪唑和芘的衍生物，在电发光器件中用作电子传输和注入材料，提高了器件的发光效率。柯达公司在美国专利(公开号US2006/0204784和US2007/0048545)中，提到混合电子传输层，采用一种低LUMO能级的材料与另一种低起亮电压的电子传输材料和其他材料如金属材料等掺杂而成。基于这种混合电子传输层的器件，效率和寿命等都得以提高。市场上现有较多使用的电子传输材料像红菲略啉(batho-phenanthroline，BPhen)、浴铜灵(bathocuproine，BCP)和3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶(TmPyPB)，大体上能符合有机电致发光面板的市场需求，但它们的玻璃化转变温度较低，一般小于85℃，器件运行时，产生的焦耳热会导致分子的降解和分子结构的改变，使面板效率较低和热稳定性较差。同时，这种分子结构对称化很规则，长时间后很容易结晶。一旦电子传输材料结晶，分子间的电荷跃迀机制跟正常运作的非晶态薄膜机制就会产生差异，导致电子传输的性能降低，使得整个器件的电子和空穴迀移率失衡，激子形成效率大大降低，并且激子形成会集中在电子传输层与发光层的界面处，导致器件效率和寿命严重下降。因此，设计开发稳定高效的，能够同时具有高电子迁移率和高玻璃化温度，且与金属Yb或Liq3有效掺杂的电子传输材料和/或电子注入材料，降低阈值电压，提高器件效率，延长器件寿命，具有很重要的实际应用价值。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种化合物。所述化合物具有较浅HOMO、合适LUMO值以及较高的三线态能级(ET)，可以有效提高电子传输能力和电子迁移率。为达此目的，本专利技术采用如下技术方案：本专利技术提供一种化合物，所述化合物具有式I至式VI任意一种所示的结构；式I至式VI中，所述X为O或S；式I至式VI中，所述L选自单键、取代或未取代的C6～C40(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28、C30、C32、C34、C36、C38等)亚芳基、取代或未取代的C5～C40(例如C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30、C31、C32、C33、C34、C35、C36、C37、C38、C39等)亚杂芳基中的任意一种；式I至式VI中，所述R1、R2、R3和R4各自独立地选自取代或未取代的C1～C12(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)烷基、取代或未取代的C6～C40(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28、C30、C32、C34、C36、C38等)芳基、取代或未取代的C5～C40(例如C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30、C31、C32、C33、C34、C35、C36、C37、C38、C39等)杂芳基中的任意一种，所述R1和R2相互之间连接成环或不连接成环；式I至式VI中，所述m为0～6的整数，例如1、2、3、4、5等，所述n为0～4的整数，例如1、2、3等；式I至式VI中，所述y1和y2各自独立地为0或1，且y1和y2不同；式I至式VI中，所述A具有式VII所示的结构；式VII中，所述X1、X2、X3和X4各自独立地选自N、CH或CR6，且所述X1、X2、X3和X4中至少有一个为N；式VII中，所述R5和R6各自独立地选自取代或未取代的C1～C12(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10等)烷基、取代或未取代的C6～C40(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28、C30、C32、C34、C36、C38等)芳基、取代或未取代的C5～C40(例如C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30、C31、C32、C33、C34、C35、C36、C37、C38、C39等)杂芳基中的任意一种；式VII中，所述r为0～4的整数，例如1、2、3等；式VII中，#代表基团的接入键；上述基团存在取代基时，所述取代基包括C1～C20(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19等)烷基、C1～C20(例如C2、C3、C4、C5、C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19等)烷氧基、C6～C40(例如C10、C12、C14、C16、C18、C20、C26、C28、C30、C32、C34、C36、C38等)芳基、C5～C40(例如C6、C7、C8、C9、C10、C11、C12、C13、C14、C15、C16、C17、C18、C19、C20、C21、C22、C23、C24、C25、C26、C27、C28、C29、C30、C31、C32、C33、C34、C35、C36、C37、C38、C39等)杂芳基中的任意一种或至少两种组合。本专利技术提供了一种新型的化合物，以茚并氧芴(或茚并硫芴)为母核基团，并取代有特定结构的N杂苯环(A基团)，使得化合物具有较浅HOMO和合适LUMO值，可以有效提高电子传输能力，同时有效阻挡空穴，此外，化合物具有较高的三线态能级，高的电子迁移率，优异的热稳定性和薄膜稳定性，该化合物应用于有机光电装置能够提高装置的发光效率，降低驱动电压，延长使用寿命。本专利技术的目的之二在于提供一种有机光电装置，所述有机光电装置包括阳极、阴极以及位于所述阳极和阴极之间有机薄层，所述有机薄层中包含目的之一所述的化合物中的任意一种或至少两种组合。本专利技术的目的之三在于提供一种电子设备，其特征在于，所述电子本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式I至式VI任意一种所示的结构；/n
【技术特征摘要】
1.一种化合物，其特征在于，所述化合物具有式I至式VI任意一种所示的结构；
式I至式VI中，所述X为O或S；
式I至式VI中，所述L选自单键、取代或未取代的C6～C40亚芳基、取代或未取代的C5～C40亚杂芳基中的任意一种；
式I至式VI中，所述R1、R2、R3和R4各自独立地选自取代或未取代的C1～C12烷基、取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C5～C40杂芳基中的任意一种，所述R1和R2相互之间连接成环或不连接成环；
式I至式VI中，所述m为0～6的整数，所述n为0～4的整数；
式I至式VI中，所述y1和y2各自独立地为0或1，且y1和y2不同；
式I至式VI中，所述A具有式VII所示的结构；
式VII中，所述X1、X2、X3和X4各自独立地选自N、CH或CR6，且所述X1、X2、X3和X4中至少有一个为N；
式VII中，所述R5和R6各自独立地选自取代或未取代的C1～C12烷基、取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C5～C40杂芳基中的任意一种；
式VII中，所述r为0～4的整数；
式VII中，#代表基团的接入键；
上述基团存在取代基时，所述取代基包括C1～C20烷基、C1～C20烷氧基、C6～C40芳基、C5～C40杂芳基中的任意一种或至少两种组合。
2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述X为O。
3.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述化合物具有式I-1至式VI-1所示的结构；
式I-1至式VI-1中，所述X、A、R1、R2、L、y1和y2均具有与权利要求1相同的限定范围。
4.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，所述X1、X2、X3和X4中有一个或两个为N。
5.根据权利要求4所述的化合物，其特征在于，所述A具有如下结构中的任意一种：
所述r和q各自独立地为0或1；
所述R5和R6各自独立地选自取代或未取代的C1～C12烷基、取代或未取代的C6～C40芳基、取代或未取代的C5～C40杂芳基中的任意一种；
其中，#代表基团的接入键；
上述基团存在取代基时，所述取代基包括C1～C20的烷基、C1～C20的烷氧基、C6～C40的芳基、C5～C40的杂芳基中的任意一种或至少两种组合。
6.根据权利要求5所述的化合物，其特征在于，所述A具...
【专利技术属性】
技术研发人员：张磊，高威，牛晶华，代文朋，肖文静，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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