【技术实现步骤摘要】
一种晶片封装结构
本公开涉及半导体
，尤其涉及一种可以提高散热效率，改善散热效果的晶片封装结构。
技术介绍
随着晶片内部电路的集成度不断增加，晶片所产生的热量也不断增加，例如中央处理器或是图像处理器等晶片均会产生大量的热。为了使上述晶片能够正常工作，晶片必须工作于适宜的工作温度下，以避免温度过高造成晶片性能下降或损坏。如何将晶片工作时所产生的热量有效且迅速地散出已成为半导体领域所面临的重要课题。现有的晶片封装结构，由于晶片本身的散热能力有限，一般通过额外设置的散热装置才能达到较好的散热效果。但这增加了成本以及晶片封装结构的尺寸。因此本领域需要一种散热效率高、散热效果好，且不增加成本和尺寸的晶片封装结构。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题针对上述技术问题，本公开提供了一种散热效率高、散热效果好，且不增加成本和尺寸的晶片封装结构。(二)技术方案为了达到上述目的，本公开提供了一种晶片封装结构，包括：晶片，具有多个表面，所述多个表面中的至少一个表面形成有非平面结构。
【技术保护点】
1.一种晶片封装结构，其特征在于，包括：/n晶片，具有多个表面，所述多个表面中的至少一个表面形成有非平面结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种晶片封装结构，其特征在于，包括：
晶片，具有多个表面，所述多个表面中的至少一个表面形成有非平面结构。
2.如权利要求1所述的晶片封装结构，所述非平面结构暴露于晶片封装结构整体表面。
3.如权利要求1所述的晶片封装结构，所述非平面结构内嵌于晶片封装结构整体内部。
4.如权利要求1所述的晶片封装结构，所述非平面结构通过以下工艺的其中一种形成：激光打孔工艺、干式刻蚀工艺、湿式刻蚀工艺。
5.如权利要求1所述的晶片封装结构，其特征在于，所述非平面结构包括至少一个盲孔、沟槽结构、至少一个凸起的任意一种，或者任意两种以上的组合。
6.如权利要求5所述的晶片封装结构，其特征在于，所述盲孔的深度介于150um至200um之间。
7.如权利要求5所述的晶片封装结构，其特征在于，所述盲孔的数量为多个，相邻盲孔之间的距离介于300um至500um之间。
8.如权利要求5所述的晶片封装结构，其特征在于，所述盲孔的宽度介于50um-150um之间。
9.如权利要求5所述的晶片封装结构，其特征在于，所述盲孔为圆孔、椭圆孔、方孔、条形孔、三角形孔、多边形孔的至少一种。
10.如权利要求5所述的晶片封装结构，其特征在于，所述至少一个盲孔呈现有序的分布。
11.如权利要求5所述的晶片封装结构，其特征在于，所述至少一个盲孔呈现无序的分布。
12.如权利要求10所述的晶片封装结构，其特征在于，所述至少一个盲孔呈现均匀的分布。
13.如权利要求10所述的晶片封装结构，其特征在于，所述至少一个盲孔呈现不均匀的分布。
14.如权利要求10所述的晶片封装结构，其特征在于，所述至少一个盲孔呈二维阵列排布，或围成多圈同心圆。
15.如权利要求10所述的晶片封装结构，其特征在于，所述盲孔的轴线垂直于形成有所述非平面结构的表面，或与形成有所述非平面结构的表面的夹角为锐角或钝角。
16.如权利要求14所述的晶片封装结构，其特征在于，所述至少一个盲孔围成多圈同心圆，沿远离同心圆圆心方向，各圈同心圆的盲孔数量逐渐增大，盲孔的横截面的尺寸逐渐减小，所述横截面是指平行于形成有所述非平面结构的表面的横截面。
17.如权利要求14所述的晶片封装结构，其特征在于，所述至少一个盲孔围成多圈同心圆，各圈同心圆的盲孔数量相同。
18.如权利要求1所述的晶片封装结构，其特征在于，所述沟槽结构包括至少一组沟槽，每组沟槽包括多个沟槽。
19.如权利要求18所述的晶片封装结构，其特征在于，所述沟槽结构包括一组沟槽。
20.如权利要求19所述的晶片封装结构，其特征在于，所述多个沟槽相互平行。
21.如权利要求20所述的晶片封装结构，其特征在于，所述多个沟槽沿晶片的边长方向延伸。
22.如权利要求18所述的晶片封装结构，其特征在于，所述沟槽结构包括多组沟槽。
23.如权利要求22所述的晶片封装结构，其特征在于，所述每组沟槽的多个沟槽之间不平行。
24.如权利要求22所述的晶片封装结构，其特征在于，所述每组沟槽的多个沟槽之间相互平行。
25.如权利要求24所述的晶片封装结构，其特征在于，每组沟槽的多个沟槽具有一延伸方向，各组沟槽的延伸方向不完全相同。
26.如权利要求25所述的晶片封装结构，其特征在于，所述沟槽结构包括两组沟槽，两组沟槽的延伸方向相互垂直。
27.如权利要求26所述的晶片封装结构，其特征在于，两组沟槽的延伸方向分别平行于所述晶片的两个边长方向。...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢战勇，张楠赓，
申请(专利权)人：北京嘉楠捷思信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。