【技术实现步骤摘要】
双极晶体管及其制备方法
本专利技术的实施例涉及半导体领域，特别涉及一种双极晶体管及其制备方法。
技术介绍
双极晶体管是一种重要的半导体器件，在高速电路、模拟电路、功率放大等方面具有广泛的应用。双极晶体管一般包括发射区、基区和集电区。为提高双极晶体管的电流增益，需要增加发射区的电子注入效率，进而需要使发射区的杂质浓度远大于基区的杂质浓度，但这会引起基区电阻大、发射结电容、频率特性较差等问题。此外，为降低结边缘电场、提高器件的实际击穿电压、以及在基区形成良好的欧姆接触电阻，现有技术主要通过将高温离子注入到轻掺杂的基区以获得P+区域，作为场限环终端和欧姆接触区。然而，高温离子注入工艺不仅增加工艺成本和难度，同时引入的缺陷仍然会引起外基区的复合，进而降低器件的增益。因此，有必要研究一种改进结构的双极晶体管以克服上述问题。
技术实现思路
本专利技术的实施例旨在提出一种改善性能的双极晶体管及其制备方法。根据本专利技术的一个方面，提出一种双极晶体管，包括：按自下而上的顺序依次设置的集电极、N+衬...
【技术保护点】
1.一种双极晶体管，包括：/n按自下而上的顺序依次设置的集电极、N
【技术特征摘要】
1.一种双极晶体管，包括：
按自下而上的顺序依次设置的集电极、N+衬底、N-集电区、P+基区；
设置于所述P+基区上的P-基区，所述P-基区裸露出P+基区的延伸部分，所述延伸部分包括基极接触区和终端区，其中，所述基极接触区上设置有基极，所述终端区包括间隔设置的多个场限环，相邻场限环之间由凹槽分隔开；
设置于所述P-基区上的N+发射区；以及
设置于所述N+发射区上的发射极。
2.根据权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述双极晶体管还包括设置于双极晶体管表面的介质层，所述介质层的厚度为1.5～2μm。
3.根据权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述多个场限环呈等间距或不等间距分布。
4.根据权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，单个场限环的宽度为3～10μm，凹槽的深度为0.2～0.4μm，相邻场限环的间距为1～3μm，以及所述多个场限环包括15～25个场限环。
5.根据权利要求1所述的双极晶体管，其特征在于，所述N+衬底的掺杂浓度为1018～1019cm-3，所述N-集电区的掺杂浓度为6×1015cm-3，所述P+基区的掺杂浓度为1×1018cm-3，所述P-基区的掺杂浓度为1×1016cm-3，以及所述N+发射区的掺杂浓度为2×1019cm-3。
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：白云，郝继龙，刘新宇，田晓丽，杨成樾，汤益丹，陈宏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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