【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种混频器。
技术介绍
混频器用于频率转换，是射频系统里的一个重要组成部分，主要作用是将一个射频信号转换成一个中频信号。附图I为现有技术中的一种混频器的结构示意图，包括晶体管Q、本振信号输入端I、射频信号输入端2、中频信号输出端3、电源V、第一电感LI以及第二电感L2，其中射频信号输入端2与晶体管Q的栅极相连，电源V与第一电感LI的一端相连,第一电感LI的另一端与晶体管Q的栅极相连，本振信号输入端I与第二电感L2的一端相连，第二电感L2的另一端与晶体管Q的漏极相连，晶体管Q的源极接地，中频信号输出端3与晶体管Q的漏极相连，由于本振信号输入端I和中频信号输出端3均与晶体管Q的漏极相连，因此在进行频率转换时，本振信号与中频信号、以及射频信号与中频信号之间均会产生一定的干扰。
技术实现思路
针对现有的单晶体管混频器存在的信号间干扰较强的问题，本专利技术提供一种混频器，能有效的降低各个信号间的干扰。一种混频器，包括射频信号输入端、本振信号输入端、中频信号输出端、第一晶体管、第二晶体管、电压转换模块、用于为第一晶体管输入栅偏压的第一偏置端以及用于为第二晶体管输入...
【技术保护点】
一种混频器，其特征在于，所述混频器包括：射频信号输入端、本振信号输入端、中频信号输出端、第一晶体管、第二晶体管、电压转换模块、用于为第一晶体管输入栅偏压的第一偏置端以及用于为第二晶体管输入栅偏压的第二偏置端；所述射频信号输入端和所述第一偏置端均与所述第一晶体管的栅极相连，所述第一晶体管的源极接地，所述本振信号输入端和所述第二偏置端均与所述第二晶体管的栅极相连，所述第一晶体管的漏极与所述第二晶体管的源极相连，所述中频信号输出端和所述电压转换模块均与所述第二晶体管的漏极相连；所述第一晶体管用于将由射频信号输入端输入的射频电压信号和由本振信号输入端输入的本振电压信号通过栅调制和漏...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吕宏鸣，肖柯，钱鹤，吴华强，伍晓明，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：
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