超宽带低噪声放大器电路制造技术

技术编号:8348586 阅读:180 留言:0更新日期:2013-02-21 03:06
本发明专利技术属于射频集成电路技术领域,具体涉及一种超宽带低噪声放大器电路,其包括第一场效应管,第二场效应管,第一电阻,第二电阻,第三电阻,第一电感,接地的第一电容和第二电容。该低噪声放大器电路在超宽频带内都能提供低噪声系数,高且平坦的增益和好的输入输出匹配。

【技术实现步骤摘要】
超宽带低噪声放大器电路
本专利技术属于射频集成电路设计
,涉及一种应用于超宽带通信系统的超宽带低噪声放大器电路。
技术介绍
近年来,对于可同时覆盖多种通信标准的多频段多模式的无线电的需求与日俱增。各种通信标准,如数字电视广播(DVB),手机无线网络,GPS全球定位系统,卫星通信网络等等的功能集成,对无线电系统提出了多频段多模式兼容的要求。开发频率覆盖从百兆赫兹低频到6GHz (软件无线电SDR)甚至IOGHz (超宽带通信UWB)的能满足多种通信标准要求的集成宽带无线电接收机已成为研究热点。作为宽带接收机前端电路中的核心模块,低噪声放大器必须同时满足在上GHz的宽频带内的输入端良好匹配以减少回波损耗,高且平坦的增益以抑制后级电路对整体接收机的噪声贡献,低的噪声系数以提高接收机的灵敏度。传统的宽带低噪声放大器主要结构有分布式放大器;基于宽带滤波网络的源简并放大器;电阻并联反馈式放大器;基于宽带噪声抵消技术的共栅放大器。然而,分布式放大器由于多管级联功耗大面积大;基于宽带滤波网络的源简并放大器由于滤波网络中片上电感电容的损耗引入的额外噪声而难以获得较低的噪声系数,并且由于片上集成了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超宽带低噪声放大器电路,其特征在于,包括:第一场效应管???????????????????????????????????????????????,第二场效应管,第一电阻,第二电阻,第三电阻,第一电感,第二电容和接地的第一电容;所述第一电容和所述第一电感与一信号输入端口(Vin)连接;所述第一电感分别与所述第一场效应管的栅极及所述第一电阻连接;所述第一场效应管的漏极分别与所述第二场效应管的栅极及所述第二电阻连接,源极直接接地;所述第一场效应管的栅极与所述第二场效应管的源极之间连接所述第一电阻;所述第二场效应管的漏极和第二场效应管的栅极之间连接所述第二电阻;所述第二场效应管的源极和地之间连...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:孙征宇杨洪文阎跃鹏张立军
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
类型:发明
国别省市:

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