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本发明属于射频集成电路技术领域，具体涉及一种超宽带低噪声放大器电路，其包括第一场效应管，第二场效应管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第一电感，接地的第一电容和第二电容。该低噪声放大器电路在超宽频带内都能提供低噪声系数，高且平坦的增益和好的输...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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