线性化混频器制造技术

本实用新型专利技术属于混频器技术领域，线性化混频器，包括场效应管混频器，其特征在于：所述的场效应管混频器的本振信号由驱动级产生，所述的驱动级包括本振信号输出端，本振信号输出端呈高阻态。本实用新型专利技术有益效果在于：利用了栅‑源寄生电容（Cgs）的存在很好的控制了Vgs电平的稳定，使Ron恒定，有效地提高了混频器的线性度，使混频后的信号变的更加精确。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于混频器
，尤其涉及一种线性化混频器。
技术介绍
在无线通信系统中，混频器是必不可少的设备。射频收发链路中，涉及把频率由低频段转为高频段，和把频率由高频段转为低频段。并要求转换后得到的中频信号不失真，这就对混频器的线性度提出的严苛的要求。在传统接收机中，转换器通常由带有金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的混频器组成，射频（RF）信号通过MOSFET的漏源端，而MOSFET的栅极被本地振荡器信号驱动。在本振信号使MOSFET开启期间，射频（RF）信号通过，MOSFET的栅极电压一般由本振信号维持稳定，MOSFET的导通端子的电压随射频（RF）信号变化而变化。因此，在晶体管开启期间，其栅-源电压Vgs随射频（RF）信号的变化而变化。进而，在此期间晶体管导通电阻Ron也随RF信号的变化而变化。因此，在进行下变频时，变化的Ron会增加通过此MOSFET的信号的非线性。因此，改善混频器的混频器的线性度变得极为必要。
技术实现思路
本技术解决上述问题，提供一种线性化混频器。本技术的技术方案如下：线性化混频器，包括场效应管混频器，所述的场效应管混频器的本振信号由驱动级产生，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
线性化混频器，包括场效应管混频器，其特征在于：所述的场效应管混频器的本振信号由驱动级产生，所述的驱动级包括本振信号输出端，本振信号输出端呈高阻态。

【技术特征摘要】
1.线性化混频器，包括场效应管混频器，其特征在于：所述的场效应管混频器的本振信号由驱动级产生，所述的驱动级包括本振信号输出端，本振信号输出端呈高阻态。2.根据权利要求1所述的线性化混频器，其特征在于：所述的驱动级包括本振信号输入端、本振信号输出端、第一反相器、第一PMOS管、第二PMOS管和第一NMOS管，第一反相器的输入端和第二PMOS管的栅极和第一NMOS管的栅极耦合到本振信号的输入端，第一反相器的输出耦合到第一PMOS管的栅极，第一PMOS管的源级耦合到电源VDD，第一PMOS管的漏级耦合到第二PMOS管的源端，第一NMOS管的源端接地，第一NMOS管的漏级耦合到第二PMOS管的漏端，第二PMOS管和第一NMOS管共接的漏端连接到本振信号输出端。3.根据权利要求2所述的线性化...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡秋富，章国豪，李嘉进，陈锦涛，林俊明，
申请(专利权)人：佛山臻智微芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44