基于多路功率合成的集成式异相射频功率放大电路制造技术

技术编号:36183915 阅读:22 留言:0更新日期:2022-12-31 20:43
本发明专利技术公开一种基于多路功率合成的集成式异相射频功率放大电路,电路包括第一隔直电容、第二隔直电容、功率分配电路、功率合成电路、第一单片差分带宽电路以及第二单片差分带宽电路。实施本发明专利技术实施例,该电路通过引入差分结构,进而改善集成式异相射频功率放大电路的窄带限制,进而在新一代通信对集成式异相射频功率放大电路的需求中可以脱颖而出,并能通过频点的选择性,能满足在不同应用频带下进行工作,提升了集成式异相射频功率放大电路的带宽。宽。宽。

【技术实现步骤摘要】
基于多路功率合成的集成式异相射频功率放大电路


[0001]本专利技术属于功率放大
,尤其涉及一种基于多路功率合成的集成式异相射频功率放大电路。

技术介绍

[0002]随着无线通信系统朝着小型化、低功耗的方向发展,单片集成射频电路成为大势所趋。第五代移动通信(下简称“5G”通信)的到来,为新一代射频前端(包括射频功率放大器)芯片的研发拉开帷幕。进入“5G”通信时代,在室内空间大规模建设微型基站成为重要的发展趋势。微基站具有体积小巧、灵活部署的特点,可以很好地解决局部热点对信号和容量的需求,实现深度覆盖,增加网络容量。因此,近几年内,应用于微基站的射频功率放大器(功放)芯片将成为“5G”通信一大热点。然而,受环境以及寄生参数的影响,传统的单端功率放大器设计普遍存在带宽低的不足。

技术实现思路

[0003]本专利技术针对现有技术中存在的问题,提供一种基于多路功率合成的集成式异相射频功率放大电路,能够提升整体电路的带宽。
[0004]本申请公开一种基于多路功率合成的集成式异相射频功率放大电路,包括第一隔直电容、第二隔直电容、功率分配电路、功率合成电路、第一单片差分带宽电路以及第二单片差分带宽电路,其中:
[0005]所述第一隔直电容的一端与射频输入端连接,所述第一隔直电容的另一端与所述功率分配电路的第一端连接;
[0006]所述功率分配电路的第二端通过匹配网络与所述第一单片差分带宽电路的一端连接,所述功率分配电路的第三端通过匹配网络与所述第二单片差分带宽电路的一端连接,所述功率分配电路适于将所述第一端接收到的功率分配至所述第一单片差分带宽电路和所述第二单片差分带宽电路;
[0007]所述第一单片差分带宽电路的另一端通过匹配网络与所述功率合成电路的第一端连接,所述第一单片差分带宽电路适于进行功率放大;
[0008]所述第二单片差分带宽电路的另一端通过匹配网络与所述功率合成电路的第二端连接,所述第二单片差分带宽电路适于进行功率放大;
[0009]所述功率合成电路的第三端与所述第二隔直电容的一端连接,所述第二隔直电容的另一端与射频输出端连接,所述功率合成电路适于将所述功率合成电路第一端和第二端接收到的两路功率进行合并。
[0010]结合第一方面第一种可能的实现方式,在第一方面第二种可能的实现方式中,所述功率分配电路包括第一电感、第一电容以及第一电阻,其中:
[0011]所述第一电感的一端与所述第一隔直电容的另一端以及所述第一电容的一端同时连接,所述第一电感的另一端与所述第一电阻的一端连接,且所述第一电感的另一端以
及所述第一电阻的一端通过匹配网络同时与所述第二单片差分带宽电路的一端连接;
[0012]所述第一电容的另一端与所述第一电阻的另一端连接,且所述第一电容的另一端以及所述第一电阻的另一端通过匹配网络同时与所述第一单片差分带宽电路的一端连接。
[0013]结合第一方面第一种可能的实现方式,在第一方面第二种可能的实现方式中,所述第一单片差分带宽电路包括第一变压器、第一放大电路、第二放大电路以及第二变压器,其中:
[0014]所述第一变压器的第一端通过匹配网络与所述第一电容的另一端以及所述第一电阻的另一端同时连接;所述第一变压器的第二端接地;所述第一变压器的第三端与所述第一放大电路的一端连接;所述第一变压器的第四端与所述第二放大电路的一端连接;
[0015]所述第二变压器的第一端与所述第一放大电路的另一端连接;所述第二变压器的第二端与所述第二放大电路的另一端连接;所述第二变压器的第三端通过匹配网络与所述功率合成电路的第一端连接;所述第二变压器的第四端接地。
[0016]结合第一方面第一种可能的实现方式,在第一方面第二种可能的实现方式中,所述第二单片差分带宽电路包括第三变压器、第三放大电路、第四放大电路以及第四变压器,其中:
[0017]所述第三变压器的第一端通过匹配网络与所述第一电感的另一端以及所述第一电阻的一端同时连接;所述第三变压器的第二端接地;所述第三变压器的第三端与所述第三放大电路的一端连接;所述第三变压器的第四端与所述第四放大电路的一端连接;
[0018]所述第四变压器的第一端与所述第三放大电路的另一端连接;所述第四变压器的第二端与所述第四放大电路的另一端连接;所述第四变压器的第三端通过匹配网络与所述功率合成电路的第二端连接;所述第四变压器的第四端接地。
[0019]结合第一方面第一种可能的实现方式,在第一方面第二种可能的实现方式中,所述功率合成电路包括第二电感、第二电容以及第二电阻,其中:
[0020]所述第二电感的一端与所述第二电阻的一端连接,且所述第二电感的一端以及所述第二电阻的一端通过匹配网络与所述第二变压器的第三端同时连接;
[0021]所述第二电容的一端与所述第二电阻的另一端连接,且所述第二电容的一端以及所述第二电阻的另一端通过匹配网络与所述第四变压器的第三端同时连接;所述第二电容的另一端以及所述第二电感的另一端与所述第二隔直电容的一端同时连接。
[0022]结合第一方面第一种可能的实现方式,在第一方面第二种可能的实现方式中,所述功率分配电路还包括第三电感和第三电容,其中:
[0023]所述第三电感的一端与所述第一电容的一端连接,所述第三电感的另一端接地;
[0024]所述第三电容的一端与所述第一电感的一端连接,所述第三电容的另一端接地。
[0025]结合第一方面第一种可能的实现方式,在第一方面第二种可能的实现方式中,所述功率合成电路还包括第四电感和第四电容,其中:
[0026]所述第四电感的一端与所述第二电容的一端连接,所述第四电感的另一端接地;
[0027]所述第四电容的一端与所述第二电感的一端连接,所述第四电容的另一端接地。
[0028]与现有技术相比,本专利技术实施例具有以下有益效果:
[0029]本专利技术实施例中,基于多路功率合成的集成式异相射频功率放大电路通过引入差分结构,进而改善集成式异相射频功率放大电路的窄带限制,进而在新一代通信对集成式
异相射频功率放大电路的需求中可以脱颖而出,并能通过频点的选择性,能满足在不同应用频带下进行工作,提升了集成式异相射频功率放大电路的带宽。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1是本专利技术实施例公开的一种基于多路功率合成的集成式异相射频功率放大电路的结构示意图;
[0032]图2是本专利技术实施例公开的一种功率分配电路的结构示意图;
[0033]图3是本专利技术实施例公开的一种功率合成电路的结构示意图;
[0034]图4是本专利技术实施例公开的另一种功率合成电路的结构示意图。
[0035]图1本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于多路功率合成的集成式异相射频功率放大电路,包括第一隔直电容、第二隔直电容、功率分配电路、功率合成电路、第一单片差分带宽电路以及第二单片差分带宽电路,其中:所述第一隔直电容的一端与射频输入端连接,所述第一隔直电容的另一端与所述功率分配电路的第一端连接;所述功率分配电路的第二端通过匹配网络与所述第一单片差分带宽电路的一端连接,所述功率分配电路的第三端通过匹配网络与所述第二单片差分带宽电路的一端连接,所述功率分配电路适于将所述第一端接收到的功率分配至所述第一单片差分带宽电路和所述第二单片差分带宽电路;所述第一单片差分带宽电路的另一端通过匹配网络与所述功率合成电路的第一端连接,所述第一单片差分带宽电路适于进行功率放大;所述第二单片差分带宽电路的另一端通过匹配网络与所述功率合成电路的第二端连接,所述第二单片差分带宽电路适于进行功率放大;所述功率合成电路的第三端与所述第二隔直电容的一端连接,所述第二隔直电容的另一端与射频输出端连接,所述功率合成电路适于将所述功率合成电路第一端和第二端接收到的两路功率进行合并。2.根据权利要求1所述的基于多路功率合成的集成式异相射频功率放大电路,所述功率分配电路包括第一电感、第一电容以及第一电阻,其中:所述第一电感的一端与所述第一隔直电容的另一端以及所述第一电容的一端同时连接,所述第一电感的另一端与所述第一电阻的一端连接,且所述第一电感的另一端以及所述第一电阻的一端通过匹配网络同时与所述第二单片差分带宽电路的一端连接;所述第一电容的另一端与所述第一电阻的另一端连接,且所述第一电容的另一端以及所述第一电阻的另一端通过匹配网络同时与所述第一单片差分带宽电路的一端连接。3.根据权利要求2所述的基于多路功率合成的集成式异相射频功率放大电路,所述第一单片差分带宽电路包括第一变压器、第一放大电路、第二放大电路以及第二变压器,其中:所述第一变压器的第一端通过匹配网络与所述第一电容的另一端以及所述第一电阻的另一端同时连接;所述第一变压器的第二端接地;所述第一变压器的第三端与所述第一放大电路的一端连接;所述第一变压器的第四端与所述第二放大电路的一端连接;所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:汤委龙陈思弟关宇涵陈哲李嘉进刘祖华
申请(专利权)人:佛山臻智微芯科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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