半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；设于衬底中的阱区，具有第二导电类型；设于所述阱区中的源极区，具有第一导电类型；设于所述阱区中的体引出区，具有第二导电类型，所述源极区和体引出区在导电沟道宽度方向上交替排列从而形成沿导电沟道宽度方向延伸的第一区域，所述第一区域的两侧为源极区的边缘和体引出区的边缘交替排列而成的边界；导电辅助区，具有第一导电类型，设于所述第一区域的至少一侧，与所述边界直接接触，且接触的部位包括所述边界上至少一个源极区的边缘和边界上至少一个体引出区的边缘。本发明专利技术在源极区和体引出区的一侧设置导电辅助区，能够降低器件的导通电阻。

Semiconductor devices and manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体器件，还涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
半导体器件的源极区和体引出区可以设置在阱区中。一种传统的设置方式是源极区和体引出区均为沿导电沟道宽度方向延伸的条形，从而在导电沟道长度方向上排列，但这样会导致器件在导电沟通长度方向的尺寸较大。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：衬底；设于衬底中的阱区，具有第二导电类型；设于所述阱区中的源极区，具有第一导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；设于所述阱区中的体引出区，具有第二导电类型，所述源极区和体引出区在导电沟道宽度方向上交替排列从而形成沿导电沟道宽度方向延伸的第一区域，所述第一区域的两侧为源极区的边缘和体引出区的边缘交替排列而成的边界；及导电辅助区，具有第一导电类型，设于所述第一区域的至少一侧，与所述边界直接接触，且接触的部位包括所述边界上至少一个源极区的边缘和边界上至少一个体引出区的边缘。在其中一个实施例中，所述导电辅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n设于衬底中的阱区，具有第二导电类型；/n设于所述阱区中的源极区，具有第一导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；/n设于所述阱区中的体引出区，具有第二导电类型，所述源极区和体引出区在导电沟道宽度方向上交替排列从而形成沿导电沟道宽度方向延伸的第一区域，所述第一区域的两侧为源极区的边缘和体引出区的边缘交替排列而成的边界；及/n导电辅助区，具有第一导电类型，设于所述第一区域的至少一侧，与所述边界直接接触，且接触的部位包括所述边界上至少一个源极区的边缘和边界上至少一个体引出区的边缘。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
设于衬底中的阱区，具有第二导电类型；
设于所述阱区中的源极区，具有第一导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；
设于所述阱区中的体引出区，具有第二导电类型，所述源极区和体引出区在导电沟道宽度方向上交替排列从而形成沿导电沟道宽度方向延伸的第一区域，所述第一区域的两侧为源极区的边缘和体引出区的边缘交替排列而成的边界；及
导电辅助区，具有第一导电类型，设于所述第一区域的至少一侧，与所述边界直接接触，且接触的部位包括所述边界上至少一个源极区的边缘和边界上至少一个体引出区的边缘。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电辅助区的掺杂浓度小于所述源极区的掺杂浓度。


3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括漏极区和栅极，所述第一区域位于所述栅极的一侧，所述漏极区位于所述栅极的另一侧。


4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括设于所述阱区中的第二区域，所述第二区域与所述源极区、体引出区部分重合，所述第二区域与所述导电辅助区是在同一步离子注入工艺和热扩散工艺中形成。


5.一种半导体器件的制造方法，包括：
在衬底上光刻形成阱区注入窗口；
通过所述阱区注入窗口向衬底内注入第一导电类型的离子和第二导电类型的离子，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；
热扩散使注入的所述第二导电类型的离子形成阱区，注入的所述第一导电类型的离子形成第二区域；及
在所述阱区中形成源极区和体引出区；其中，所述源极区和体引出区在导电沟道宽度方向上交替排列从而形成沿导电沟道宽度方向延伸的第一区域，所述第一区域的两侧为源极区的边缘和体引出区的边缘交替排列而成的边界，所述第一区...

【专利技术属性】
技术研发人员：金华俊，孙贵鹏，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32