温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；设于衬底中的阱区，具有第二导电类型；设于所述阱区中的源极区，具有第一导电类型；设于所述阱区中的体引出区，具有第二导电类型，所述源极区和体引出区在导电沟道宽度方向上交替排列从而形...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。