包括凹陷的半导体器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件，其包括：管芯载体，其包括位于所述管芯载体的第一表面上的X形凹陷；半导体管芯，其布置在所述管芯载体的所述第一表面之上并且至少部分地覆盖所述X形凹陷；以及耦合剂，其将所述半导体管芯附接至所述管芯载体，其中，所述耦合剂至少部分地布置在所述X形凹陷中，其中，所述X形凹陷的四个臂中的每者指向所述半导体管芯的拐角，并且在投射到所述管芯载体的所述第一表面上的正交投影中在所述半导体管芯的轮廓之上延伸。

Semiconductor devices including dents and their fabrication methods

【技术实现步骤摘要】
包括凹陷的半导体器件及其制作方法
本公开涉及包括凹陷的半导体器件以及用于制作这种半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件可以包括又被称为管芯载体的衬底以及通过诸如(软)焊料或粘合剂的耦合剂而附接至管芯载体的半导体。理想地，半导体管芯被附接至管芯载体，使得半导体管芯的背侧或底侧(面向管芯载体的一侧)完全被耦合剂覆盖，以使耦合剂的渗出最小，以使由硬化的耦合剂引入到半导体管芯中的应力最小，以使硬化的耦合剂包括最少的孔隙，并且使半导体管芯相对于管芯载体的倾斜最小。与这些要求的偏差可能(例如)导致半导体器件表现出亚最佳的电气、热或机械特性，导致有缺陷的器件，或者导致寿命缩短的器件。这些和其它问题由独立权利要求的主题解决。从属权利要求进一步描述了有利的示例。
技术实现思路
本公开的第一方面涉及一种半导体器件，其包括：管芯载体，其包括位于管芯载体的第一表面上的X形凹陷；布置在所述管芯载体的第一表面之上并且至少部分地覆盖所述X形凹陷的半导体管芯；以及将所述半导体管芯附接至所述管芯载体的耦合剂，其中，所述耦合剂至少部分地布置在所述X形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n管芯载体，其包括位于所述管芯载体的第一表面上的X形凹陷；/n半导体管芯，其布置在所述管芯载体的所述第一表面之上并且至少部分地覆盖所述X形凹陷；以及/n耦合剂，其将所述半导体管芯附接至所述管芯载体，其中，所述耦合剂至少部分地布置在所述X形凹陷中，/n其中，所述X形凹陷的四个臂中的每者指向所述半导体管芯的拐角，并且在投射到所述管芯载体的所述第一表面上的正交投影中在所述半导体管芯的轮廓之上延伸。/n

【技术特征摘要】
20180810 DE 102018119522.21.一种半导体器件，包括：
管芯载体，其包括位于所述管芯载体的第一表面上的X形凹陷；
半导体管芯，其布置在所述管芯载体的所述第一表面之上并且至少部分地覆盖所述X形凹陷；以及
耦合剂，其将所述半导体管芯附接至所述管芯载体，其中，所述耦合剂至少部分地布置在所述X形凹陷中，
其中，所述X形凹陷的四个臂中的每者指向所述半导体管芯的拐角，并且在投射到所述管芯载体的所述第一表面上的正交投影中在所述半导体管芯的轮廓之上延伸。


2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述管芯载体包括布置在所述X形凹陷的中心的矩形凹陷，其中，所述X形凹陷的臂从所述矩形凹陷指向所述半导体管芯的所述拐角。


3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，所述X形凹陷的每个臂的主要部分由相应臂的直边形成。


4.根据前述权利要求之一所述的半导体器件，其中，所述半导体管芯的覆盖区具有非方形的矩形形状，并且其中，所述管芯载体包括条形凹陷，所述条形凹陷从所述X形凹陷的中心平行于所述半导体管芯的所述非方形的矩形覆盖区的较长边延伸。


5.根据前述权利要求之一所述的半导体器件，其中，所述X形凹陷的每个臂在所述半导体管芯的所述轮廓之上至少延伸100微米。


6.根据前述权利要求之一所述的半导体器件，其中，所述X形凹陷具有处于20微米到100微米的范围内的深度。


7.根据前述权利要求之一所述的半导体器件，其中，所述耦合剂的厚度在所述半导体管芯的所述拐角处具有非零最小值。


8.根据前述权利要求之一所述的半导体器件，其中，所述耦合剂完全覆盖所述半导体管芯的面向所述管芯载体的表面。


9.根据前述权利要求之一所述的半导体器件，其中，所述X形凹陷的臂在所述X形凹陷的中心处连接。


10.根据权利要求1到8之一所述的半导体器件，其中，所述X形凹陷的臂在所述X形凹陷的中心处不连接。


11.根据前述权利要求之一所述的半导体器件，其中，所述管芯...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·贝默尔，M·施塔德勒，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE