层叠基板及其制造方法、半导体模块及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种层叠基板及其制造方法、半导体模块及其制造方法。容易且稳定地使绝缘耐压提高。本公开的层叠基板的制造方法是具有由陶瓷形成的绝缘基板(2)和在绝缘基板的正面形成的电极(3、4)、并且能够在电极的正面安装半导体元件的层叠基板的制造方法，其中，对绝缘基板的在电极的外侧的周围处的正面进行激光加工，来进行表面改性以使表面具有导电性。由此，能够通过简单的方法来稳定地制造高耐压的层叠基板。

Laminated substrate and its manufacturing method, semiconductor module and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
层叠基板及其制造方法、半导体模块及其制造方法
本公开涉及一种层叠基板的制造方法、半导体模块的制造方法、以及层叠基板、半导体模块。
技术介绍
半导体模块用的层叠基板例如构成为具有氮化铝(AlN)等陶瓷基板以及设置于陶瓷基板的表面的电极(参照专利文献1～专利文献3)。而且，在电极的表面安装半导体元件。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2002-76197号公报专利文献2：日本特开2002-76190号公报专利文献3：日本特开2005-116602号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题另外，电场集中在电极的端部。因此，容易发生绝缘击穿。例如，在专利文献1和专利文献2中，用固体绝缘物对电极的端部与陶瓷基板的表面之间进行防护。由此，认为绝缘耐压会提高。然而，在电极的端部附近存在大量的被称为凹坑(pit)的缺陷。因此，无法利用固体绝缘物来适当地填充缺陷，从而无法确保足够的绝缘耐压。另外，在专利文献3中，在陶瓷基板与电极之间具有接合层。在专利文献3中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种层叠基板的制造方法，该层叠基板具有由陶瓷形成的绝缘基板和在所述绝缘基板的正面形成的电极，能够在所述电极的正面安装半导体元件，该层叠基板的制造方法的特征在于，/n对所述绝缘基板的在所述电极的外侧的周围处的正面进行激光加工，来进行表面改性以使表面具有导电性。/n

【技术特征摘要】
20180803 JP 2018-1464121.一种层叠基板的制造方法，该层叠基板具有由陶瓷形成的绝缘基板和在所述绝缘基板的正面形成的电极，能够在所述电极的正面安装半导体元件，该层叠基板的制造方法的特征在于，
对所述绝缘基板的在所述电极的外侧的周围处的正面进行激光加工，来进行表面改性以使表面具有导电性。


2.根据权利要求1所述的层叠基板的制造方法，其特征在于，
所述绝缘基板由以氮化铝为主要成分的陶瓷形成。


3.根据权利要求1所述的层叠基板的制造方法，其特征在于，
进行激光加工，使得所述表面改性扩及到所述电极的背面。


4.根据权利要求1所述的层叠基板的制造方法，其特征在于，
对所述绝缘基板的远离所述电极的位置处的正面进行激光加工。


5.根据权利要求3所述的层叠基板的制造方法，其特征在于，
在所述绝缘基板的正面形成所述电极之前进行激光加工。


6.根据权利要求4所述的层叠基板的制造方法，其特征在于，
在所述绝缘基板的正面形成所述电极之后进行激光加工。


7.根据权利要求1所述的层叠基板的制造方法，其特征在于，
遍及所述电极的整周地进行激光加工。


8.根据权利要求1所述的层叠基板的制造方法，其特征在于，
在所述绝缘基板与所述电极之间具有相比于所述电极更向外侧突出的金属制的接合层，对所述绝缘基板的在所述接合层的外侧的周围处的正面进行激光加工。


9.根据权利要求1所述的层叠基板的制造方法，其特征在于，
在所述绝缘基板的正面和背面分别具有所述电极，对所述绝缘基板的正面和背面进行激光...

【专利技术属性】
技术研发人员：山城启辅，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP