氟化氧化钇涂覆膜的形成方法及基于其的氟化氧化钇涂覆膜技术

本发明专利技术的各种实施例涉及一种氟化氧化钇涂覆膜的形成方法及基于其的氟化氧化钇涂覆膜，要解决的技术问题在于提供一种氟化氧化钇涂覆膜的形成方法及基于其的氟化氧化钇涂覆膜，不仅内部无气孔或气孔极小且具有纳米结构，光透过率高，而且硬度及接合强度高，可以保护显示装置的透明窗口。为此，本发明专利技术各种实施例的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法包括以下步骤：提供具有0.1μm至12μm粒径范围的预处理后YOF粉末的；接收从移送气体供给部供给移送气体，接收从粉末供给部供给的所述预处理后YOF粉末，以气溶胶状态移送所述预处理后YOF粉末；以及使以所述气溶胶状态移送的所述预处理后YOF粉末碰撞到工序腔室内的基材并被破碎(喷射)，在所述基材形成氟化氧化钇涂覆膜。

The formation method of yttrium fluoride coating and yttrium fluoride coating based on it

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氟化氧化钇涂覆膜的形成方法及基于其的氟化氧化钇涂覆膜
本专利技术的各种实施例涉及氟化氧化钇涂覆膜的形成方法及基于其的氟化氧化钇涂覆膜。
技术介绍
一般而言，显示装置包括液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay：LCD)、有机发光显示装置(OrganicLightEmittingDisplay：OLED)、场效应显示装置(FieldEffectDisplay：FED)及电泳显示装置(eletrophoreticdisplaydevice)等。另外，显示装置包括显示图像的显示模块和包括显示模块的透明窗口(transparentwindow)等。另一方面，在半导体和/或显示装置的制造工序中，为了很高的蚀刻率和精确的线宽，正在使用氯类或氟类的具有高腐蚀性的气体。在这种严苛的环境中使用的制造工序装备，为了运行优势和延长使用时间，在工序装备的表面，包括对等离子体及腐蚀气体的抵抗性高的保护薄膜。现有技术文献专利文献韩国公开专利公报10-2014-0126824(2014年11月03日)韩国授权专利公报10-1322783(2013年10月29日)
技术实现思路
技术问题本专利技术的各种实施例提供一种氟化氧化钇涂覆膜的形成方法及基于其的氟化氧化钇涂覆膜，不仅气孔率极小(或填充率极高)且具有纳米结构，从而光透过率高，而且硬度及接合强度高，可以保护显示装置的透明窗口。本专利技术的各种实施例提供一种氟化氧化钇涂覆膜的形成方法及基于其的氟化氧化钇涂覆膜，由于硬度高，因此针对腐蚀性气体及高速碰撞离子粒子具有高蚀刻抵抗性，因而可以在蚀刻工序中保护半导体/显示零件。问题解决方案本专利技术的各种实施例的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法可以包括以下步骤：提供包含钇(Y)、氧(O)及氟(F)的预处理前YOF粉末；对所述预处理前YOF粉末进行预处理而提供预处理后YOF粉末；接收从移送气体供给部供给的移送气体，接收从粉末供给部供给的所述预处理后YOF粉末，以气溶胶状态移送所述预处理后YOF粉末；以及使以所述气溶胶状态移送的所述预处理后YOF粉末，碰撞在工序腔室内的基材并被破碎(喷射)，在所述基材上形成YOF涂覆膜。所述预处理后YOF粉末可以具有0.1μm至12μm的粒径范围。所述预处理可以在粉碎预处理前YOF粉末后，以100℃至1000℃温度进行热处理而实现。所述预处理可以将预处理前YOF粉末以100℃至1000℃温度进行热处理而实现。当所述YOF涂覆膜的厚度为0.5μm至20μm时，所述YOF涂覆膜对可见光线的光透过率可以为50％至95％。所述YOF涂覆膜的雾度可以为0.5％至5％。所述YOF涂覆膜的硬度可以为6GPa至12Gpa。所述YOF涂覆膜的气孔率可以为0.01％至1％，硬度为6GPa至12Gpa，耐电压特性为50V/μm至150V/μm。所述预处理前YOF粉末、所述预处理后YOF粉末及所述YOF涂覆膜的EDS(Energy-dispersiveX-rayspectroscopy)成分比可以为5：4：7或1：1：1。所述预处理前YOF粉末、所述预处理后YOF粉末及所述YOF涂覆膜的晶系可以包括斜方晶系或三方晶系。所述基材可以是显示装置的透明窗口或暴露于等离子体环境的零件。所述透明窗口可以是玻璃基板、塑料基板、蓝宝石基板或石英基板，所述零件可以为用于制造半导体或显示装置的工序腔室的内部零件。所述零件可以是静电卡盘(electrostaticchuck)、加热器(heater)、腔室衬里(chamberliner)、喷头(showerhead)、CVD(ChemicalVaporDeposition)用舟皿(boat)、聚焦环(focusring)、壁衬(wallliner)、屏蔽罩(shield)、冷垫(coldpad)、源头(sourcehead)、外衬(outerliner)、沉积屏蔽罩(depositionshiled)、上部衬(upperliner)、排气板(exhaustplate)、边缘环(edgering)及掩模框(maskframe)中的任一个。本专利技术各种实施例的氟化氧化钇涂覆膜作为以上述方法形成的氟化氧化钇涂覆膜，当YOF涂覆膜的厚度为0.5μm至20μm时，所述YOF涂覆膜对可见光线的光透过率可以为50％至95％。所述YOF涂覆膜的雾度可以为0.5％至5％。本专利技术各种实施例的氟化氧化钇涂覆膜作为使用上述方法形成的YOF涂覆膜，所述YOF涂覆膜的钇(Y)、氧(O)及氟(F)的EDS(Energy-dispersiveX-rayspectroscopy)成分比可以为5：4：7或1：1：1。所述YOF涂覆膜的硬度可以为6GPa至12Gpa。在所述YOF涂覆膜的厚度为0.5μm至20μm时，所述YOF涂覆膜对可见光线的光透过率可以为50％至95％。专利技术效果本专利技术提供一种氟化氧化钇涂覆膜的形成方法及基于其的氟化氧化钇涂覆膜，不仅气孔率极小(或填充率极高)且具有纳米结构，光透过率高，而且硬度及接合强度高，可以保护显示装置的透明窗口。即，本专利技术的薄膜气孔率大致为0.01％至1％，光透过率大致为50％至95％(以涂覆膜厚度0.5μm至20μm为基准)，可以充分用作硬度大致为6Gpa至12Gpa的透明窗口的透明保护膜。另外，本专利技术提供一种氟化氧化钇涂覆膜的形成方法及基于其的氟化氧化钇涂覆膜，使用作为与蚀刻气体反应而气化的、升华热高的材料的氟化氧化钇，可以在蚀刻工序中保护半导体/显示零件。即，本专利技术的涂覆膜在高密度等离子体蚀刻环境下，由于硬度高，针对腐蚀性气体及高速碰撞离子粒子具有高蚀刻抵抗性，因而可以充分用作暴露于诸如半导体/显示零件的等离子体蚀刻工序环境的零件的保护膜。另外，本专利技术的涂覆膜的耐电压特性大致为50至150V/μm，这可以充分满足半导体/显示零件的制造工序中要求的耐电压范围。附图简要说明图1是表示本专利技术各种实施例的用于形成氟化氧化钇涂覆膜的装置的示意图。图2是表示本专利技术各种实施例的氟化氧化钇涂覆膜形成方法的流程图。图3是表示本专利技术各种实施例的用于形成氟化氧化钇涂覆膜的YOF粉末的粒径范围及体积密度的曲线图。图4表示了本专利技术各种实施例的用于形成氟化氧化钇涂覆膜的预处理后YOF粉末照片。图5是表示本专利技术各种实施例的关于氟化氧化钇涂覆膜的相对于光波长的透过率的曲线图。图6是表示本专利技术各种实施例的关于氟化氧化钇涂覆膜的光的雾度的照片。图7是表示本专利技术各种实施例的氟化氧化钇涂覆膜的放大剖视图。图8是表示本专利技术各种实施例的氟化氧化钇涂覆膜的硬度特性的曲线图。图9是表示本专利技术各种实施例的用于形成氟化氧化钇涂覆膜的预处理前及预处理后(粉末研磨后热处理)的YOF粉末的粒径范围及体积密度的曲线图。图10a及图10b是表示本专利技术各种实施例的预处理前YO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供包含钇(Y)、氧(O)及氟(F)的预处理前YOF粉末；/n对所述预处理前YOF粉末进行预处理而提供预处理后YOF粉末；/n接收从移送气体供给部供给的移送气体，接收从粉末供给部供给的所述预处理后YOF粉末，以气溶胶状态移送所述预处理后YOF粉末；以及/n使以所述气溶胶状态移送的所述预处理后YOF粉末，碰撞到工序腔室内的基材并被破碎，在所述基材上形成YOF涂覆膜。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170526 KR 10-2017-0065283;20170526 KR 10-2017-001.一种氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供包含钇(Y)、氧(O)及氟(F)的预处理前YOF粉末；
对所述预处理前YOF粉末进行预处理而提供预处理后YOF粉末；
接收从移送气体供给部供给的移送气体，接收从粉末供给部供给的所述预处理后YOF粉末，以气溶胶状态移送所述预处理后YOF粉末；以及
使以所述气溶胶状态移送的所述预处理后YOF粉末，碰撞到工序腔室内的基材并被破碎，在所述基材上形成YOF涂覆膜。


2.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，
所述预处理后YOF粉末具有0.1μm至12μm的粒径范围。


3.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，
所述预处理，是在粉碎预处理前YOF粉末后以100℃至1000℃温度进行热处理而实现。


4.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，
所述预处理，是将预处理前YOF粉末以100℃至1000℃温度进行热处理而实现。


5.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，
当所述YOF涂覆膜的厚度为0.5μm至20μm时，所述YOF涂覆膜对可见光线的光透过率为50％至95％。


6.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，
所述YOF涂覆膜的雾度为0.5％至5％。


7.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，
所述YOF涂覆膜的硬度为6GPa至12Gpa。


8.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，
所述YOF涂覆膜的气孔率为0.01％至1％，硬度为6GPa至12Gpa，耐电压特性为50V/μm至150V/μm。


9.根据权利要求1所述的氟化氧化钇涂覆膜的形成方法，其特征在于，
所述预处理前YOF粉末、所述预处理后YOF粉末及所述YOF涂覆膜的能量色散X射线谱成分比为5：4：7。

【专利技术属性】
技术研发人员：朴載赫，金大根，石惠媛，金秉基，
申请(专利权)人：IONES株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR