透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜技术

本发明专利技术一实施例涉及一种透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜，所要解决的技术问题是提供透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜，该透明氟基薄膜的内部没有孔隙或孔隙极小且具有纳米结构，因此不仅具有高透光率，而且具有高硬度和接合强度，从而能够保护显示装置的透明窗。为此，本发明专利技术公开一种透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜，所述透明氟基薄膜的形成方法包括：从输送气体供应部接收输送气体，并从粉末供应部接收YF3粉末，从而将所述YF3粉末以气溶胶状态输送的步骤；将气溶胶状态输送的所述YF3粉末撞碎在工艺腔室内的基材上，从而在所述基材上形成YF3透明氟基薄膜的步骤。

Formation method of transparent fluorine-based film and transparent fluorine-based film formed by this method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜
本专利技术一实施例涉及一种透明氟基薄膜的形成方法及通过该方法形成的透明氟基薄膜。
技术介绍
显示装置通常包括液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)、有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)、场效应显示装置(FieldEffectDisplay，FED)及电泳显示装置(eletrophoreticdisplaydevice)等。另外，显示装置包括用于显示图像的显示模块和保护显示模块的透明窗(transparentwindow)。一方面，在半导体和/或显示装置的制造工艺中，为了确保非常高的蚀刻速率和精致的线宽，使用高腐蚀性的氯基或氟基气体。就这种严酷环境下使用的制造工艺设备而言，为了实现运作优点和延长使用寿命，在设备的表面上设置有对等离子和腐蚀性气体具有高抗性的保护薄膜。现有技术文献专利文献1：韩国公开专利公报10-2014-0126824(2014.11.03)专利文献2：韩国授权专利公报10-1322783(2013.10.29)专利技术内容专利技术要解决本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种透明氟基薄膜的形成方法，其特征在于，包括：从输送气体供应部接收输送气体，并从粉末供应部接收YF3粉末，从而将所述YF3粉末以气溶胶状态输送的步骤；以及将以所述气溶胶状态输送的所述YF3粉末撞碎在工艺腔室内的基材上，从而在所述基材上形成YF3透明氟基薄膜的步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.27 KR 10-2016-01801801.一种透明氟基薄膜的形成方法，其特征在于，包括：从输送气体供应部接收输送气体，并从粉末供应部接收YF3粉末，从而将所述YF3粉末以气溶胶状态输送的步骤；以及将以所述气溶胶状态输送的所述YF3粉末撞碎在工艺腔室内的基材上，从而在所述基材上形成YF3透明氟基薄膜的步骤。2.根据权利要求1所述的透明氟基薄膜的形成方法，其特征在于，以1000℃以下的温度对从所述粉末供应部供应的YF3粉末进行预处理。3.根据权利要求1所述的透明氟基薄膜的形成方法，其特征在于，当所述YF3透明氟基薄膜的厚度为0.5μm～15μm时，对于可见光的所述YF3透明氟基薄膜的透光率在75％以上。4.根据权利要求1所述的透明氟基薄膜的形成方法，其特征在于，所述YF3透明氟基薄膜中不含氧。5.根据权利要求1所述的透明氟基薄膜的形成方法，其特征在于，所述YF3透明氟基薄膜的孔隙率为0.01％～0.1％、硬度在8GPa以下且耐电压特性在50V/μm...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴载赫，金大根，李明鲁，金秉基，石惠媛，
申请(专利权)人：IONES株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR