一种半导体晶片及其加工方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体晶片及其加工方法。本发明专利技术选用硬质透明塑料基片作为支撑基片，通过UV胶将待抛光加工的半导体晶片与基片贴合，固化后再对半导体晶片进行抛光处理，有效解决了90‑140μm厚的半导体晶片的加工过程中容易碎片，成品率较低的问题。本发明专利技术可批量生产90‑140μm厚的半导体晶片，减小了外延芯片过程中去除背面衬底材料的厚度，缩短了去除衬底材料的时间，节约了生产成本。

A semiconductor wafer and its processing method

【技术实现步骤摘要】
一种半导体晶片及其加工方法
本专利技术涉及晶片加工领域，具体涉及一种半导体晶片及其加工方法。
技术介绍
半导体晶片以砷化镓(GaAs)为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料由于其独特的电学性能，在卫星通讯、微波器件、激光器及发光二极管领域有着十分广泛的应用，因此也受到越来越广泛的关注。异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、LED等器件的制作，需要在高质量的衬底表面利用分子束外延或者有机金属化合物气相外延技术生长外延结构。随着现有LED技术的发展，LED颗粒也越来越小，现在新技术推出的MiniLED、MicroLED均为小尺寸的芯粒，其显示技术是将LED结构设计薄膜化、微小化与阵列化，尺寸仅约1-100μm等级，但精准度可达传统LED的1万倍。此外，MicroLED在显示特性上与OLED类似，无需背光源且能自发光，在发光效率上，MicroLED需将衬底移除，留下3～5μm的薄膜磊晶，光线直接射出，出光效果优于其它显示技术。另外，MicroLED在画质上能够实现高ppi，若应用在手机和穿戴装置等中小尺寸显示荧屏上，优势也十分明显。由于，Mini、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体晶片的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)在半导体晶片的一面均匀涂覆UV胶；/n(2)将晶片涂覆有UV胶的表面粘接到基片上，其中，所述基片的材质为硬质透明塑料；/n(3)将粘接有晶片的基片置于紫外光下进行固胶，固化时间为15-25s；/n(4)对晶片上与UV胶相对的表面进行抛光处理；/n(5)抛光后的晶片经室温溶胶，清洗后，得到厚度为90-140μm的单面抛光半导体晶片。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在半导体晶片的一面均匀涂覆UV胶；
(2)将晶片涂覆有UV胶的表面粘接到基片上，其中，所述基片的材质为硬质透明塑料；
(3)将粘接有晶片的基片置于紫外光下进行固胶，固化时间为15-25s；
(4)对晶片上与UV胶相对的表面进行抛光处理；
(5)抛光后的晶片经室温溶胶，清洗后，得到厚度为90-140μm的单面抛光半导体晶片。


2.根据权利要求1所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，还包括以下步骤：
(6)清洗后在半导体晶片的抛光面均匀涂覆UV胶，并将半导体晶片涂覆有UV胶的抛光面粘接到基片上，重复上述步骤(3)-(5)，得到双面抛光半导体晶片。


3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，所述步骤(1)中，UV胶的涂覆厚度为0.04-0.06mm。


4.根据权利要求1或2所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，所述基片的材质为PMMA。


5.根据权利要求4所述的半导体晶片的加工方法，其特征在于，所述基片的厚度为260-450μm，优选为260-320μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖彬，周铁军，严卫东，陈勇，王金灵，马金峰，詹晨晨，
申请(专利权)人：广东先导先进材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44