【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种铝制加热盘氟化处理的工艺方法，属于半导体
技术介绍
铝制加热盘为半导体真空设备中常用的加热盘，主要用途是作为加热介质为其上面承载的物品进行加热，在PECVD中除了给其上方的承载物进行加热外，还担当着下电极的作用，与上电极配合射频电源使其在上下电极之间的气体进行等离子化，等离子化的气体相互反应沉积到加热盘承载物的表面，形成薄膜，铝制加热盘的氟化可使加热盘处于稳定状态，从而会增加工艺腔室的稳定性，进而使工艺达到稳定的状态。
技术实现思路
本专利技术以解决上述问题为目的，提供一种铝制加热盘氟化处理的工艺方法，该工艺方法在中低真空腔室中，铝制加热盘处于腔体内，采用不同的位置，将NF3和Ar气在气相等离子体的作用下产生活性F离子与铝制加热盘进行反应实现对铝制加热盘氟化的效果，本专利技术采用不同的氟化位置，气体流量及氟化循环次数，在控压的模式下对铝制加热盘进行氟化处理从而得到稳定的不导电的加热盘，并且降低了腔体的颗粒。为实现上述目的，本专利技术采用下述技术方案：一种铝制加热盘氟化处理的工艺方法，具体实现步骤如下：在中低真空腔室中，铝制加热盘处于腔体内，首先将NF3和Ar气在气相等离子体的作用下产生活性F离子，然后将所述产生的活性F离子通过管路导入至腔体内,在腔体压力为4-6Torr的条件下对腔体内的铝制加热盘进行氟化处理，每次氟化处理的时间为300s，循环次数为16-200次。所述铝制加热盘的温度为400℃。所述NF3的流量为2500-3000sccm，Ar气的流量为6000-8000sccm。所述铝制加热盘与腔体上部出气装置的距离为8-15...
【技术保护点】
一种铝制加热盘氟化处理的工艺方法，其特征在于，具体实现步骤如下：在中低真空腔室中，铝制加热盘处于腔体内，首先将NF3和Ar气在气相等离子体的作用下产生活性F离子，然后将所述产生的活性F离子通过管路导入至腔体内,在腔体压力为4‑6Torr的条件下对腔体内的铝制加热盘进行氟化处理，每次氟化处理的时间为300s，循环次数为16‑200次。
【技术特征摘要】
1.一种铝制加热盘氟化处理的工艺方法，其特征在于，具体实现步骤如下：在中低真空腔室中，铝制加热盘处于腔体内，首先将NF3和Ar气在气相等离子体的作用下产生活性F离子，然后将所述产生的活性F离子通过管路导入至腔体内,在腔体压力为4-6Torr的条件下对腔体内的铝制加热盘进行氟化处理，每次氟化处理的时间为300s，循环次数为16-200次。2.如权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：商庆燕，于棚，刘忆军，
申请(专利权)人：沈阳拓荆科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁;21
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