薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体设计及制造领域，特别是涉及一种薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法，薄膜堆叠结构的制备方法包括：形成氧化硅层的步骤；形成氮化硅层的步骤；以及形成氢氮氧化硅缓冲层的步骤，其中，所述氢氮氧化硅缓冲层形成于所述氧化硅层与所述氮化硅层之间。本发明专利技术在氧化硅层及氮化硅层之间插入氢氮氧化硅缓冲层，降低了氧化硅层及氮化硅层间的应力梯度，从而最大限度地减小层间应力差引起的剪应力，提高氧化硅层及氮化硅层的结合强度，防止氧化硅层及氮化硅层间由于应力不平衡引起的开裂风险。

Film stacking structure, three-dimensional memory and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法
本专利技术属于半导体设计及制造领域，特别是涉及一种薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法。
技术介绍
随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限，现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，三维存储器结构应运而生，三维存储器结构可以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数目的存储器单元。在非易失性存储器中，例如NAND存储器，增加存储器密度的一种方式是通过使用垂直存储器阵列，即3DNAND存储器，而CTF(ChargeTrapFlash，电荷捕获闪存)型3DNAND存储器是目前较为前沿、且极具发展潜力的存储器技术。氮化硅层及氧化硅层的堆叠层结构是3DNAND存储器制造的关键技术之一。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种薄膜堆叠结构、三维存储器及其制备方法，用于解决现有技术中氮化硅层及氧化硅层之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜堆叠结构，其特征在于，所述薄膜堆叠结构包括：/n氧化硅层；/n氮化硅层；以及/n氢氮氧化硅缓冲层，所述氢氮氧化硅缓冲层位于所述氧化硅层与所述氮化硅层之间。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜堆叠结构，其特征在于，所述薄膜堆叠结构包括：
氧化硅层；
氮化硅层；以及
氢氮氧化硅缓冲层，所述氢氮氧化硅缓冲层位于所述氧化硅层与所述氮化硅层之间。


2.根据权利要求1所述的薄膜堆叠结构，其特征在于：所述氧化硅层的厚度范围介于100埃～1000埃之间，所述氮化硅层的厚度范围介于100埃～1000埃之间，所述氢氮氧化硅缓冲层的厚度范围介于100埃～1000埃之间。


3.根据权利要求1所述的薄膜堆叠结构，其特征在于：包括多个交替层叠的所述氧化硅层及所述氮化硅层，且任意两相邻的所述氧化硅层及所述氮化硅层之间均具有所述氢氮氧化硅缓冲层。


4.一种三维存储器，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交替设置的栅极和氧化硅层，相邻的所述栅极与氧化硅层之间设置有氢氮氧化硅缓冲层。


5.根据权利要求4所述的三维存储器，其特征在于：所述氧化硅层的厚度范围介于100埃～1000埃之间，所述栅极的厚度范围介于100埃～1000埃之间，所述氢氮氧化硅缓冲层的厚度范围介于100埃～1000埃之间。


6.一种薄膜堆叠结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
形成氧化硅层的步骤；
形成氮化硅层的步骤；以及
形成氢氮氧化硅缓冲层的步骤，其中，所述氢氮氧化硅缓冲层形成于所述氧化硅层与所述氮化硅层之间。


7.根据权利要求6所述的薄膜堆叠结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：
1)于基底上形成所述氧化硅层；
2)于所述氧化硅层表面上形成所述氢氮氧化硅缓冲层；
3)于所述氢氮氧化硅缓冲层表面上形成所述氮化硅层。


8.根据权利要求6所述的薄膜堆叠结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：
1)于基底上形成所述氮化硅层；
2)于所述氮化硅层表面上形成所述氢氮氧化硅缓冲层；
3)于所述氢氮氧化硅缓冲层表面上形成所述氧化硅层。


9.根据权利要求6所述的薄膜堆叠结构的制备方法，其特征在于：包括多次交替形成所述氧化硅层的步骤及形成所述氮化硅层的步骤，且每形成任一所述氧化硅层或任一所述氮化硅层后...

【专利技术属性】
技术研发人员：温志杰，魏伯州，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42