【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法
本专利技术涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，包括浮栅型闪存的半导体器件得到了广泛的应用。浮栅型闪存是一种非易失性存储器，具有集成度高、存储速度快、易于擦除和重写等优点。然而随着集成电路特征尺寸的不断减小，半导体器件的制备工艺较为复杂，制造成本高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的制造方法，简化半导体器件的制造工艺，降低制造成本。为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有浮栅以及其上的堆叠层，所述堆叠层包括依次层叠的隔离层、控制栅和保护层，所述堆叠层的侧壁上形成有侧墙，所述堆叠层一侧为擦除栅区、另一侧为字线区，所述擦除栅区一侧的浮栅延伸至所述堆叠层以及所述侧墙之外，所述擦除栅区一侧形成有擦除栅，所述字线区一侧形成有字线；选择性去除所述保护层；在所述擦除栅、字线以及控制栅上形成接触塞。
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底上形成有浮栅以及其上的堆叠层，所述堆叠层包括依次层叠的隔离层、控制栅和保护层，所述堆叠层的侧壁上形成有侧墙，所述堆叠层一侧为擦除栅区、另一侧为字线区，所述擦除栅区一侧的浮栅延伸至所述堆叠层以及所述侧墙之外，所述擦除栅区一侧形成有擦除栅，所述字线区一侧形成有字线；/n选择性去除所述保护层；/n在所述擦除栅、字线以及控制栅上形成接触塞。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有浮栅以及其上的堆叠层，所述堆叠层包括依次层叠的隔离层、控制栅和保护层，所述堆叠层的侧壁上形成有侧墙，所述堆叠层一侧为擦除栅区、另一侧为字线区，所述擦除栅区一侧的浮栅延伸至所述堆叠层以及所述侧墙之外，所述擦除栅区一侧形成有擦除栅，所述字线区一侧形成有字线；
选择性去除所述保护层；
在所述擦除栅、字线以及控制栅上形成接触塞。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用湿法腐蚀选择性去除所述保护层。
3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述擦除栅、字线以及控制栅为多晶硅，所述保护层为氮化硅，所述湿法腐蚀采用的溶液为磷酸。
4.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，采用湿法腐蚀选择性去除保护层之前，保护层的厚度范围为100-200埃。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制造方法，其特征在于，所述浮栅和堆叠层的形成方法包括：
在所述衬底上依次沉积浮栅层以及隔离层、控制栅和保护层；
进行所述隔离层、控制栅和保护层...
【专利技术属性】
技术研发人员：张超然，李赟，周俊，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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