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本发明提供一种半导体器件的制造方法，提供衬底，所述衬底上形成有浮栅以及其上的堆叠层，所述堆叠层包括依次层叠的隔离层、控制栅和保护层，所述堆叠层的侧壁上形成有侧墙，所述堆叠层一侧为擦除栅区、另一侧为字线区，所述擦除栅区一侧的浮栅延伸至所述堆叠...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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