【技术实现步骤摘要】
半导体互连结构及其制备方法
本专利技术属于集成电路设计及制造
，特别是涉及一种半导体互连结构及其制备方法。
技术介绍
现有的半导体互连结构中，与焊盘相连接的互连结构一般经由衬底内的通孔贯穿所述衬底，由于所述衬底为一整体结构(即所述衬底位于所述焊盘下方的部分与所述衬底位于所述焊盘外围的部分一体连接)，所述焊盘及所述互连结构与所述衬底之间存在较高的寄生电容，而较高的寄生电容会导致所述焊盘进行操作时输入及输出速度较低。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种半导体互连结构及其制备方法，用于解决现有技术中的半导体互连结构存在的焊盘及互连结构与衬底之间存在较高的寄生电容，使得焊盘进行操作时输入及输出速度较低的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种半导体互连结构，所述半导体互连结构包括：衬底，包括相对的第一表面及第二表面；第一绝缘层，位于所述衬底的第一表面；焊盘，位于所述第一绝缘层内，且与所述衬底的第一表面具有间距；环形通孔...
【技术保护点】
1.一种半导体互连结构，其特征在于，所述半导体互连结构包括：/n衬底，包括相对的第一表面及第二表面；/n第一绝缘层，位于所述衬底的第一表面；/n焊盘，位于所述第一绝缘层内，且与所述衬底的第一表面具有间距；/n环形通孔，位于所述衬底内，沿所述衬底的厚度方向贯穿所述衬底；/n通孔，位于所述衬底内，沿所述衬底的厚度方向贯穿所述衬底，且所述通孔位于所述环形通孔的内侧；/n填充绝缘层，填充于所述环形通孔及所述通孔内；/n空气间隙，位于填充于所述环形通孔内的所述填充绝缘层内；/n互连结构，一端与所述焊盘的底部相连接，另一端至少贯穿所述第一绝缘层、位于所述通孔内的所述填充绝缘层。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体互连结构，其特征在于，所述半导体互连结构包括：
衬底，包括相对的第一表面及第二表面；
第一绝缘层，位于所述衬底的第一表面；
焊盘，位于所述第一绝缘层内，且与所述衬底的第一表面具有间距；
环形通孔，位于所述衬底内，沿所述衬底的厚度方向贯穿所述衬底；
通孔，位于所述衬底内，沿所述衬底的厚度方向贯穿所述衬底，且所述通孔位于所述环形通孔的内侧；
填充绝缘层，填充于所述环形通孔及所述通孔内；
空气间隙，位于填充于所述环形通孔内的所述填充绝缘层内；
互连结构，一端与所述焊盘的底部相连接，另一端至少贯穿所述第一绝缘层、位于所述通孔内的所述填充绝缘层。
2.根据权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述焊盘镶嵌于所述第一绝缘层内，且所述焊盘远离所述衬底的表面与所述第一绝缘层远离所述衬底的表面相平齐。
3.根据权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述通孔的数量及所述互连结构的数量均为多个，且所述通孔与所述互连结构一一对应设置。
4.根据权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述通孔的宽度小于所述环形通孔的宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述互连结构与所述衬底由位于所述通孔内的所述填充绝缘层相隔离。
6.根据权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述环形通孔位于所述焊盘外围。
7.根据权利要求1所述的半导体互连结构，其特征在于，所述空气间隙的形状包括环形。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体互连结构，其特征在于，所述半导体互连结构还包括：
第二绝缘层，位于所述衬底的第二表面；
所述互连结构远离所述焊盘的一端还贯穿所述第二绝缘层延伸至所述第二绝缘层远离所述衬底的表面。
9.一种半导体互连结构的制备方法，其特征在于，所述半导体互连结构的制备方法包括如下步骤：
提供衬底，所述衬底包括相对的第一表面及第二表面；
于所述衬底内形成环形通孔及通孔，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈顺福，刘威，陈亮，甘程，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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