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本发明提供一种半导体互连结构及其制备方法，半导体互连结构包括：衬底；第一绝缘层，位于衬底的第一表面；焊盘，位于第一绝缘层内，且与衬底的第一表面具有间距；环形通孔，位于衬底内，沿衬底的厚度方向贯穿衬底；通孔，位于衬底内，沿衬底的厚度方向贯穿衬...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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