拾取装置以及拾取方法制造方法及图纸

本发明专利技术的拾取装置具备：平台(20)，含有吸附片材(12)的吸附面(22)；上推构件(30)，将片材(12)上推；以及三向阀(67)，使开口(23)的开口压力在接近真空的第一压力与接近大气压的第二压力之间切换；并且在将半导体裸片(15)与粘弹性膜(11)一并拾取时，在将吸附面(22)的吸附压力设为接近真空的第三压力且利用上推构件(30)将片材(12)上推的状态下，使开口压力以与粘弹性膜(11)的粘弹性特性相应的既定频率振动。由此，将经由粘弹性膜而贴附于片材的表面的薄半导体裸片与粘弹性膜一并自片材的表面拾取。

Pickup device and method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】拾取装置以及拾取方法
本专利技术涉及一种自片材(sheet)拾取半导体裸片(die)的拾取装置及其方法。
技术介绍
半导体裸片是将8英寸或12英寸大小的晶片(wafer)切断成既定大小而制造。在所制造的晶片的背面，安装有在裸片接合(diebonding)时在基板与半导体裸片之间形成树脂层的被称为粘结膜(DieAttachFilm，DAF)的粘弹性膜。另外，为了在切断晶片时使所切断的半导体裸片不零乱，而在DAF的背面贴附切割片材(dicingsheet)，自表面侧通过切割锯(dicingsaw)或激光光线等将晶片与DAF一并切断。此时，贴附于背面的切割片材稍许被切入但并未被切断，成为保持各半导体裸片及DAF的状态。然后，将所切断的各半导体裸片与DAF一并自切割片材逐一拾取，送至裸片接合等后续工程。关于将半导体裸片与DAF一并自切割片材拾取的拾取装置，已提出有如下拾取装置：使半导体裸片的周边部自切割片材初期剥离后，使半导体裸片的中央部自切割片材剥离，利用筒夹(collet)拾取半导体裸片(例如参照专利文献1)。所述拾取装置如下那样运行。首先，在使圆筒状的吸附平台的表面吸附切割片材且使筒夹吸附半导体裸片的状态下，使配置于吸附平台的中央部的初期剥离用支柱及顶出销(ejectpin)自吸附平台的表面向上突出，将半导体裸片上推。另外，同时将吸附平台的内部设为真空而使半导体裸片的周边发生初期剥离(参照专利文献1的图4a、图4b)。然后，在将吸附平台的内部设为真空的状态下，使初期剥离用支柱下降至吸附平台的表面，使半导体裸片的中央部自切割片材剥离(参照专利文献1的图6a、图6b)。继而，利用筒夹拾取半导体裸片。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利第7,665,204号说明书
技术实现思路
专利技术所要解决的问题再者，近年来半导体裸片逐渐变得非常薄，也有例如20μm左右的半导体裸片。另一方面，切割片材的厚度为100μm左右，故切割片材的厚度也成为半导体裸片的厚度的4倍～5倍。对于专利文献1所记载的现有技术的拾取装置而言，在将吸附平台的内部设为真空时，顶出销之间的半导体裸片及DAF追随于切割片材的向下方的变形而向下方挠曲，并未在DAF与切割片材之间发生剥离，难以拾取薄半导体裸片。因此，本专利技术的目的在于将经由粘弹性膜而贴附于片材表面的薄半导体裸片与粘弹性膜一并自片材表面拾取。解决问题的技术手段本专利技术的拾取装置将经由粘弹性膜而贴附于片材表面的半导体裸片与粘弹性膜一并自片材表面拾取，且所述拾取装置的特征在于具备：平台(stage)，含有吸附片材的背面的吸附面；上推构件，配置于设于平台的吸附面的开口中，前端自吸附面突出并将片材的背面上推；以及开口压力切换机构，将开口的开口压力在接近真空的第一压力与接近大气压的第二压力之间切换；并且在将半导体裸片与粘弹性膜一并拾取时，在将吸附面的吸附压力设为接近真空的第三压力且利用上推构件将片材的背面自吸附面上推的状态下，使开口压力以与粘弹性膜的粘弹性特性相应的既定频率在第一压力与第二压力之间振动。在本专利技术的拾取装置中，也可根据粘弹性膜的弛缓时间使第一压力与第二压力之间的开口压力的振动频率变化。在本专利技术的拾取装置中，也可粘弹性膜的弛缓时间越长则越提高第一压力与第二压力之间的开口压力的振动频率。在本专利技术的拾取装置中，第一压力与第二压力之间的开口压力的振动频率也可设为10Hz至50Hz。在本专利技术的拾取装置中，上推构件也可包含：上顶销组，包含将片材背面的远离的多个位置上推的多个上顶销；以及上顶块，包含将各上顶销之间及上顶销组的外周侧的片材背面上推的多个上顶柱；且上顶销组的前端及上顶块的前端分别在高于吸附面的第一位置与低于第一位置的第二位置之间移动，在将半导体裸片与粘弹性膜一并拾取时，将吸附压力设为第三压力且将上顶销组的前端及上顶块的前端设为第一位置，使开口压力以与粘弹性膜的粘弹性特性相应的既定频率在第一压力与第二压力之间振动后，在将吸附压力保持于第三压力且将上顶销组的前端保持于第一位置的状态下，将上顶块的前端设为第二位置，使开口压力在第一压力与第二压力之间振动。在本专利技术的拾取装置中，上推构件也可包含：上顶销组，包含将片材背面的远离的多个位置上推的多个上顶销；以及上顶块，包含将各上顶销之间及上顶销组的外周侧的片材背面上推的多个上顶柱；且上顶销组的前端及上顶块的前端分别在高于吸附面的第三位置与低于第三位置的第四位置之间移动，在将半导体裸片与粘弹性膜一并拾取时，将吸附压力设为第三压力且将上顶销组的前端及上顶块的前端与第三位置与第四位置之间的第五位置，使开口压力以与粘弹性膜的粘弹性特性相应的既定频率在第一压力与第二压力之间振动后，在将吸附压力保持于第三压力且将上顶块的前端保持于第五位置的状态下，将上顶销组的前端设为第三位置，使开口压力在第一压力与第二压力之间振动。在本专利技术的拾取装置中，上推构件也可包含：上顶销组，包含将片材背面的远离的多个位置上推的多个上顶销；以及上顶块，包含将各上顶销之间及上顶销组的外周侧的片材背面上推的多个上顶柱；且上顶销组的前端及上顶块的前端分别在高于吸附面的第三位置与低于第三位置的第四位置之间移动，在将半导体裸片与粘弹性膜一并拾取时，将吸附压力设为第三压力且将上顶销组的前端及上顶块的前端与第三位置与第四位置之间的第五位置，使开口压力以与粘弹性膜的粘弹性特性相应的既定频率在第一压力与第二压力之间振动后，在将吸附压力保持于第三压力的状态下，将上顶销组的前端设为第三位置，且将上顶块的前端设为第四位置，使开口压力在第一压力与第二压力之间振动。在本专利技术的拾取装置中，第四位置也可设为与吸器面相同或较吸附面低的位置。本专利技术的拾取方法将经由粘弹性膜而贴附于片材表面的半导体裸片与粘弹性膜一并自片材表面拾取，且所述拾取方法的特征在于：准备拾取装置，所述拾取装置具备：平台，含有吸附片材的背面的吸附面；上推构件，配置于设于平台的吸附面的开口中，前端自吸附面突出并将片材的背面上推；以及开口压力切换机构，将开口的开口压力在接近真空的第一压力与接近大气压的第二压力之间切换；在将吸附面的吸附压力设为接近真空的第三压力且利用上推构件将片材的背面自吸附面上推的状态下，使开口压力以与粘弹性膜的粘弹性特性相应的既定频率在第一压力与第二压力之间振动，将半导体裸片与粘弹性膜一并拾取。在本专利技术的拾取方法中，也可根据粘弹性膜的弛缓时间使第一压力与第二压力之间的开口压力的振动频率变化。在本专利技术的拾取方法中，也可粘弹性膜的弛缓时间越长则越提高第一压力与第二压力之间的开口压力的振动频率。在本专利技术的拾取方法中，第一压力与第二压力之间的开口压力的振动频率也可设为10Hz至50Hz。专利技术的效果本专利技术可将经由粘弹性膜而贴附于片材表面的薄半导体裸片与粘弹性膜一并自片材表面拾取。附图说明图1为表示实施方式的拾取装置的构成的系统图。图2为表示图1所示的拾取装置的平台的立体图。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种拾取装置，将经由粘弹性膜而贴附于片材的表面的半导体裸片与所述粘弹性膜一并自所述片材的所述表面拾取，并且所述拾取装置的特征在于包括：/n平台，含有吸附所述片材的背面的吸附面；/n上推构件，配置于设于所述平台的所述吸附面的开口中，前端自所述吸附面突出并将所述片材的背面上推；以及/n开口压力切换机构，将所述开口的开口压力在接近真空的第一压力与接近大气压的第二压力之间切换；并且/n在将所述半导体裸片与所述粘弹性膜一并拾取时，在将所述吸附面的吸附压力设为接近真空的第三压力且利用所述上推构件将所述片材的背面自所述吸附面上推的状态下，使所述开口压力以与所述粘弹性膜的粘弹性特性相应的既定频率在所述第一压力与所述第二压力之间振动。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170324 JP 2017-0585221.一种拾取装置，将经由粘弹性膜而贴附于片材的表面的半导体裸片与所述粘弹性膜一并自所述片材的所述表面拾取，并且所述拾取装置的特征在于包括：
平台，含有吸附所述片材的背面的吸附面；
上推构件，配置于设于所述平台的所述吸附面的开口中，前端自所述吸附面突出并将所述片材的背面上推；以及
开口压力切换机构，将所述开口的开口压力在接近真空的第一压力与接近大气压的第二压力之间切换；并且
在将所述半导体裸片与所述粘弹性膜一并拾取时，在将所述吸附面的吸附压力设为接近真空的第三压力且利用所述上推构件将所述片材的背面自所述吸附面上推的状态下，使所述开口压力以与所述粘弹性膜的粘弹性特性相应的既定频率在所述第一压力与所述第二压力之间振动。


2.根据权利要求1所述的拾取装置，其特征在于：根据所述粘弹性膜的弛缓时间使所述第一压力与所述第二压力之间的所述开口压力的振动频率变化。


3.根据权利要求2所述的拾取装置，其特征在于：所述粘弹性膜的所述弛缓时间越长，越提高所述第一压力与所述第二压力之间的所述开口压力的振动频率。


4.根据权利要求2所述的拾取装置，其特征在于：所述第一压力与所述第二压力之间的所述开口压力的振动频率为10Hz至50Hz。


5.根据权利要求3所述的拾取装置，其特征在于：所述第一压力与所述第二压力之间的所述开口压力的振动频率为10Hz至50Hz。


6.根据权利要求2至5中任一项所述的拾取装置，其特征在于：所述上推构件包含：上顶销组，包含将所述片材的背面的远离的多个位置上推的多个上顶销；以及上顶块，包含将所述各上顶销之间及所述上顶销组的外周侧的所述片材的背面上推的多个上顶柱；且所述上顶销组的前端及所述上顶块的前端分别在高于所述吸附面的第一位置与低于所述第一位置的第二位置之间移动，
在将所述半导体裸片与所述粘弹性膜一并拾取时，
将所述吸附压力设为所述第三压力且将所述上顶销组的前端及所述上顶块的前端设为所述第一位置，使所述开口压力以与所述粘弹性膜的粘弹性特性相应的既定频率在所述第一压力与所述第二压力之间振动后，
在将所述吸附压力保持于所述第三压力且将所述上顶销组的前端保持于所述第一位置的状态下，将所述上顶块的前端设为所述第二位置，使所述开口压力在所述第一压力与所述第二压力之间振动。


7.根据权利要求2至5中任一项所述的拾取装置，其特征在于：所述上推构件包含：上顶销组，包含将所述片材的背面的远离的多个位置上推的多个上顶销；以及上顶块，包含将所述各上顶销之间及所述上顶销组的外周侧的所述片材的背面上推的多个上顶柱；且所述上顶销组的前端及所述上顶块的前端分别在高于所述吸附面的第三位置与低于所述第三位置的第四位置之间移动，
在将所述半导体裸片与所述粘弹性膜一并拾取时，
将所述吸附压力设为所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：长野一昭，
申请(专利权)人：株式会社新川，
类型：发明
国别省市：日本;JP