一种基于低频噪声检测的电力MOSFET制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，包括基板和MOSFET芯片，基板的顶部设有用于安装MOSFET芯片的置入槽，基板的顶端向外侧延伸设有漏极板，置入槽的底部设有散热层，且散热层延伸至漏极板上，基板的槽壁上和漏极板的底部均安装有一端与散热层的散热片，通过设置的散热片充分利用了散热层的面积，大大增加了MOSFET芯片的散热面积和散热速度，有利于MOSFET芯片工作的稳定，且在散热层的表面安装有与MOSFET芯片的漏极电性连接的导电层，导电层延伸至漏极板上，使MOSFET芯片的漏极与MOSFET芯片上的源极和栅极均位于正面，减小了漏极和源极之间的距离，从而提高了MOSFET芯片的导电效果。

A power MOSFET based on low frequency noise detection

【技术实现步骤摘要】
一种基于低频噪声检测的电力MOSFET
本技术实施例涉及电子
，具体涉及一种基于低频噪声检测的电力MOSFET。
技术介绍
MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)是利用电场效应来控制半导体的场效应晶体管，由于MOSFET具有可实现低功耗电压控制的特性，近年来被广泛应用在大量电子设备中，包括电源、汽车电子、计算机和智能手机中等，受到越来越多的关注。MOSFET器件通过将适当电压施加至MOSFET器件的栅极而工作，其接通该器件并形成连接MOSFET的源极(source)和漏极(drain)的通道以允许电流流动，在MOSFET器件中，期望在该晶体管接通时具有低的漏源接通电阻，MOSFET性能特别是电流承载能力的优劣很大程度上取决于散热性能，散热性能的好坏又主要取决于封装形式。MOSFET的封装要求是大电流的承载能力、高效的导热能力以及较小的封装尺寸，传统MOSFET封装主要是TO、SOT、SOP、QFN、QFP等形式，这类封装都是将芯片包裹在塑封体内，无法将芯片工作时产生的热量及时导走或散去，制约了MSOFET性能提升。
技术实现思路
为此，本技术实施例提供一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，通过在基板的安装槽内设置延伸至漏极板上的散热层和导电层，并在基板外壁和漏极板底部安装一端连接在散热层上的散热片，以解决现有技术中由于MOSFET芯片封装的导热能力差，以及漏极和源极之间距离较远，而导致的MOSFET芯片工作不稳定，和MOSFET芯片导电效果不理想的问题。为了实现上述目的，本技术的实施方式公布了如下技术方案：本技术公布了一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，包括基板和MOSFET芯片，所述MOSFET芯片的顶部设有源极和栅极，所述MOSFET芯片的底部设有漏极，所述基板的顶部设有用于安装MOSFET芯片的置入槽，所述基板的顶端向外侧延伸设有漏极板，所述置入槽的底部设有散热层，且所述散热层延伸至漏极板上，所述基板的侧壁上且位于漏极板的下方安装有两端开口的保护罩，所述基板的槽壁上和漏极板的底部均安装有一端与散热层连接，且位于保护罩内的散热片，所述散热层的表面安装有与MOSFET芯片的漏极电性连接的导电层，所述导电层延伸至漏极板上的一端，以及所述MOSFET芯片的源极和栅极上，分别安装有与所述导电层、源极和栅极电性连接的焊盘，所述漏极板上安装有将导电层和散热层包裹在内的保护层。进一步地，安装在所述基板上的散热片的末端和安装在所述漏极板上的散热片的末端一一对应连接。进一步地，所述散热层由散热硅胶铺设而成。进一步地，所述导电层的末端与漏极板固定连接。进一步地，贴装后的所述MOSFET芯片顶部与所述漏极板顶部的高度差小于微米。本技术的实施方式具有如下优点：(1)通过安装在基板置入槽内散热层将MOSFET芯片的热量传导至外部的散热片上，安装在基板槽壁和漏极板上的散热片，充分利用了散热层的面积，大大增加了MOSFET芯片的散热面积，从而大幅提高了MOSFET芯片的散热速度，有利于MOSFET芯片工作的稳定，有助于提高MSOFET芯片的性能，以及延长MOSFET芯片的使用寿命；(2)通过导电层将MOSFET芯片底部的漏极区引到漏极板上，将漏极板上的导电层作为漏极，从而使MOSFET芯片的源极、栅极和漏极共同位于MSOFET的正面，缩短了MOSFET芯片与外界互联的距离，增强了MOSFET芯片的导电效果。附图说明为了更清楚地说明本技术的实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是示例性的，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图引伸获得其它的实施附图。本说明书所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。图1为本技术的整体结构示意图。图中：1-基板；2-MOSFET芯片；3-漏极板；4-散热层；5-保护罩；6-散热片；7-导电层；8-焊盘；9-保护层。具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1所示，本技术公布了一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，包括基板1和MOSFET芯片2，所述MOSFET芯片2的顶部设有源极和栅极，所述MOSFET芯片的底部设有漏极，所述基板1的顶部设有用于安装MOSFET芯片2的置入槽，所述基板1的顶端向外侧延伸设有漏极板3，所述置入槽的底部设有由散热硅胶铺设而成的散热层4，且所述散热层4延伸至漏极板3上，所述基板1的槽壁上和漏极板3的底部均安装有一端与散热层4连接的散热片6，通过铺设的散热层4将MOSFET芯片2工作产生的热量传导至位于基板1外部的散热片6上，通过安装在基板1和漏极板3上的散热片6，充分利用了散热层4的面积，大大增加了MOSFET芯片2的散热面积，从而提高了MOSFET芯片2的散热速度，有效降低了MOSFET芯片2工作时温度，有利于MOSFET芯片2正常运作，延长MOSFET芯片2的使用寿命。并且，所述散热层4的表面安装有与MOSFET芯片2的漏极电性连接的导电层7，所述导电层7可以是由导电的金属材料制成的金属片，也可以是电镀在基板1上的金属膜等，MOSFET芯片2的漏极通过软焊料与导电层7电性连接，所述导电层7延伸至漏极板3上的一端，以及所述MOSFET芯片2的源极和栅极上，分别安装有与所述导电层7、源极和栅极电性连接的焊盘8，所述漏极板3上安装有将导电层7和散热层4包裹在内的保护层9，通过导电层7使MOSFET芯片2的漏极上升至与源极在同一平面，减小了源极和漏极之间的距离，从而缩短了电流的传导通路，使得RDS(on)降低。优选的是，所述基板1的侧壁上且位于漏极板3的下方安装有两端开口的保护罩5，散热片6位于保护罩5内，保护罩5的底部与基板1的底部在同一平面内，有利于安装的稳定，且起到保护散热片6的作用，并使整体较美观。优选的是，安装在所述基板1上的散热片6的末端和安装在所述漏极板3上的散热本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，其特征在于，包括基板(1)和MOSFET芯片(2)，所述MOSFET芯片(2)的顶部设有源极和栅极，所述MOSFET芯片的底部设有漏极，所述基板(1)的顶部设有用于安装MOSFET芯片(2)的置入槽，所述基板(1)的顶端向外侧延伸设有漏极板(3)，所述置入槽的底部设有散热层(4)，且所述散热层(4)延伸至漏极板(3)上，所述基板(1)的侧壁上且位于漏极板(3)的下方安装有两端开口的保护罩(5)，所述基板(1)的槽壁上和漏极板(3)的底部均安装有一端与散热层(4)连接，且位于所述保护罩(5)内的散热片(6)；所述散热层(4)的表面安装有与MOSFET芯片(2)的漏极电性连接的导电层(7)，所述导电层(7)延伸至漏极板(3)上的一端，以及所述MOSFET芯片(2)的源极和栅极上，分别安装有与所述导电层(7)、源极和栅极电性连接的焊盘(8)，所述漏极板(3)上安装有将导电层(7)和散热层(4)包裹在内的保护层(9)。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于低频噪声检测的电力MOSFET，其特征在于，包括基板(1)和MOSFET芯片(2)，所述MOSFET芯片(2)的顶部设有源极和栅极，所述MOSFET芯片的底部设有漏极，所述基板(1)的顶部设有用于安装MOSFET芯片(2)的置入槽，所述基板(1)的顶端向外侧延伸设有漏极板(3)，所述置入槽的底部设有散热层(4)，且所述散热层(4)延伸至漏极板(3)上，所述基板(1)的侧壁上且位于漏极板(3)的下方安装有两端开口的保护罩(5)，所述基板(1)的槽壁上和漏极板(3)的底部均安装有一端与散热层(4)连接，且位于所述保护罩(5)内的散热片(6)；所述散热层(4)的表面安装有与MOSFET芯片(2)的漏极电性连接的导电层(7)，所述导电层(7)延伸至漏极板(3)上的一端，以及所述MOSFET芯片(2)的源极和栅极上，分别安装有与所述导电层(7)、源极和栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：高苗苗，
申请(专利权)人：深圳市冠禹半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44